フィルター
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電子ICの破片
| イメージ | 部分# | 記述 | メーカー | 標準的 | RFQ | |
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STPS2150整流器ダイオードのショットキー橋整流器はショットキー整流器に動力を与える |
穴DO-15を通したダイオード150 V 2A
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製造者
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LT4356CMS-1#TRPBFの整流器ダイオードの過電圧の保護調整装置および侵入の振幅制限器 |
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製造者
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BZX84C2V7 350のMWの表面の台紙のケイ素の平面のツェナー ダイオードの普及した集積回路 |
ツェナー ダイオード2.7 V 350 MW ±7.41%の表面の台紙SOT-23
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製造者
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TZM5239B-GS08整流器ダイオードのケイ素のツェナー ダイオードの普及した集積回路 |
ZenerZenerのダイオード9.1 V 500 MW ±5%の表面の台紙SOD-80 MiniMELFのダイオード9.1 V 500 MW ±5%の表面の台紙SOD-80 MiniMELF
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製造者
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PESD3V3L5UFの115の整流器ダイオードの低いキャパシタンス単方向5重ESD保護ダイオードの配列 |
12Vクランプ2.5A （8/20µs） Ipp TVのダイオードの表面の台紙6-XSON、SOT886 （1.45x1）
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製造者
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安定させた電源電子ICの破片のための1N4758A-TAPケイ素の平面のツェナー ダイオード |
穴DO-204AL （DO-41）を通したツェナー ダイオード56 V 1.3 W ±5%
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製造者
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IRF7424TRPBF HEXFET力MOSFETのテスト力トランジスター |
P-Channel 30 V 11A （Ta）の2.5W （Ta）表面の台紙8-SO
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製造者
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電界効果トランジスタAO3400AのN-Channelの強化モード30V |
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製造者
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元の標準的なFSCに92 2N5459力MosfetのトランジスターN-Channel |
穴TO-92-3を通ってJFETのN-Channel 25 V 625 MW
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製造者
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2N6405Gシリコン制御整流素子はサイリスタの妨害を逆転させる50から800ボルト |
SCR 800 V 16穴TO-220ABを通した標準的な回復
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製造者
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BC817-25LT1G NPNの一般目的のトランジスター電子工学の集積回路 |
両極（BJT）トランジスターNPN 45 V 500 mA 100MHz 300 MWの表面の台紙SOT-23-3 （TO-236）
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製造者
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BC847A二重力MosfetのトランジスターNPNケイ素の電子工学の部品 |
両極（BJT）トランジスターNPN 45 V 100 mA 300MHz 250 MWの表面の台紙SOT-23-3 （TO-236）
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製造者
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BC846Bのケイ素の一般目的のトランジスターNPN電気IC |
両極（BJT）トランジスターNPN 65 V 100 mA 300MHz 350 MWの表面の台紙SOT-23-3
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製造者
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一般目的力MosfetのトランジスターKSP2907ATA同等のPNPアンプ |
穴TO-92-3を通って両極（BJT）トランジスターPNP 60 V 600 mA 200MHz 625 MW
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製造者
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KSP2907ATFの一般目的のトランジスター |
穴TO-92-3を通って両極（BJT）トランジスターPNP 60 V 600 mA 200MHz 625 MW
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製造者
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線形力Mosfetのトランジスター2N5458 JFETsはテレビICの破片を導いた |
穴TO-92 （TO-226）を通ってJFETのN-Channel 25 V 310 MW
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製造者
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信号力MosfetのトランジスターPチャネルの強化モードBSP315 SIPMOS |
P-Channel 50 V 1A 1.8Wの表面の台紙SOT-223
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製造者
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補足力MosfetのトランジスターBT136-600Eサイリスタのトライアックの敏感なゲート |
トライアックの論理-穴TO-220ABを通した敏感なゲート600 V 4 A
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製造者
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BD681 NPNダーリントン力トランジスター中型力の切換え |
両極（BJT）トランジスターNPN -ダーリントン穴SOT-32-3を通した100ボルト4 A 40 W
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製造者
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交流電力のトライアックの調光器スイッチBTA41-600BRG 40A一般目的BTAシリーズ |
穴TOP3を通したトライアックの標準600 V 40 A
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製造者
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高圧力MosfetのトランジスターBTA16-600BRG 16AトライアックBTA/BTB 16 |
穴TO-220を通したトライアックの標準600 V 16 A
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製造者
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AO3400A力MosfetのトランジスターN-Channelの強化モード電界効果トランジスタ |
N-Channel 30 V 5.7A （Ta）の1.4W （Ta）表面の台紙SOT-23-3
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製造者
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第三世代HEXFET IRFBC40PBF力Mosfetのトランジスター速い切換え |
N-Channel 600 V 6.2A （穴TO-220ABを通したTc） 125W （Tc）
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製造者
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抵抗HEXFET力mosfet IC IRLML6402TRPBFで超低い |
P-Channel 20 V 3.7A （Ta）の1.3W （Ta）表面の台紙Micro3™/SOT-23
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製造者
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HEXFET力Mosfetのトランジスター、力mosfetモジュールIRF7329TRPBF |
Mosfetの配列12V 9.2A 2Wの表面の台紙8-SO
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製造者
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ACはフォトトランジスター オプトカプラー電子工学の構成のトランジスターH11AA1Mを入れた |
基礎出力4170Vrms 1チャネル6-DIPが付いているオプティカルアイソレータのトランジスター
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製造者
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PNP/NPNの高い現在の切換えのためのエピタキシアル平面のケイ素力トランジスター2SC5707 |
両極（BJT）トランジスターNPN 50 V8 330MHz 1 Wの表面の台紙TP-FA
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製造者
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20V N-ChannelのPowerTrench力MosfetのトランジスターFDV305N |
N-Channel 20 V 900mA （Ta）の350mW （Ta）表面の台紙SOT-23-3
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製造者
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PNPのケイ素のトランジスター一般目的の転換の塗布BC856BLT3G |
両極（BJT）トランジスターPNP 65 V 100 mA 100MHz 300 MWの表面の台紙SOT-23-3 （TO-236）
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製造者
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概要Afの適用、高いコレクター流れBc817-40のためのトランジスター（Npn） |
両極（BJT）トランジスターNPN 45 V 500 mA 100MHz 300 MWの表面の台紙SOT-23
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製造者
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補足のケイ素力Ttransistors BD139 |
穴SOT-32-3を通した両極（BJT）トランジスターNPN 80 V 1.5 A 1.25のW
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製造者
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低い熱抵抗100つのVのN-ChannelのNexFET力のMOSFETs CSD19533Q5A |
N-Channel 100 V 100A （Ta） 3.2W （Ta）、96W （Tc）表面の台紙8-VSONP （5x6）
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製造者
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20V力MosfetのトランジスターN-ChannelのPowerTrench MOSFET FDV305N |
N-Channel 20 V 900mA （Ta）の350mW （Ta）表面の台紙SOT-23-3
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製造者
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100V 80AのAEC Q101 UISの機能FDB3632に修飾される9mз力Mosfetのトランジスター |
N-Channel 100 V 12A （Ta）、80A （Tc） 310W （Tc）表面の台紙Dの²朴（TO-263）
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製造者
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単一フェーズガラスは橋整流器を25.0 Ampガラス不動態化された橋整流器GBJ2510不動態化した |
橋整流器の単一フェーズの標準穴GBJを通した1つのkV
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製造者
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8 HEXFREDの超高速の柔らかい回復ダイオード力MosfetのトランジスターHFA08TB60 |
ダイオード 600 V 8A スルーホール TO-220AC
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製造者
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トライアックの敏感なゲートBT134W-600Eの115フェライト・ビーズのモデルsmdの陶磁器のコンデンサー |
トライアックの論理-敏感なゲート600 V 1 Aの表面の台紙SC-73
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製造者
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BT139-800E 1のトライアックの敏感なゲートのトランジスター原物ICはTVの電話在庫の提供の力Tranを欠く |
トライアックの論理-穴TO-220ABを通した敏感なゲート800 V 16 A
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製造者
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新しい及び元のHEXFET力MosfetのトランジスターIRLR8729TRPBF |
N-Channel 30 V 58A （Tc）の55W （Tc）表面の台紙D朴
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製造者
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TLP734力Mosfetのトランジスター新しい及び元のGaAs Ired及び写真のトランジスター |
オプティカルアイソレータのトランジスターは4000Vrms 1チャネル6-DIPを出力した
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製造者
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BSS138LT1G力Mosfetのトランジスター力MOSFET 200 mA、50ボルトN−Channel SOT−23 |
N-Channel 50 V 200mA （Ta）の225mW （Ta）表面の台紙SOT-23-3 （TO-236）
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製造者
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BFR520力MosfetのトランジスターNPN 9つのGHzのワイドバンドのトランジスター |
RFのトランジスターNPN 15V 70mA 9GHz 150mW表面の台紙SC-75
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製造者
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MR756力Mosfetのトランジスター高い現在の鉛によって取付けられる整流器 |
ダイオード600 V 6A
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製造者
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新しい及び元のSTA434A力MosfetのトランジスターPNP + NPNダーリントンH -橋 |
両極（BJT）トランジスター配列2 NPN、2 PNPダーリントン（穴10-SIPを通したH橋） 60V 4A 4W
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製造者
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SI2301CDS-T1-E3高い発電mosfetのトランジスターP -チャネル20-V （D-S） MOSFET |
P-Channel 20 V 3.1A （Tc） 860mW （Ta）、1.6W （Tc）表面の台紙SOT-23-3 （TO-236）
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製造者
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PMBT2222AYS115力Mosfetのトランジスター、フィリップスNPN転換力mosfet |
バイポーラ (BJT) トランジスタ アレイ
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製造者
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60APU06力Mosfetのトランジスター超高速の柔らかい回復ダイオード、60フレッドPtTM |
穴TO-247ACを通したダイオード600 V 60A
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製造者
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BC847B ICの電子工学の集積回路、一般目的mosfet 45V |
両極（BJT）トランジスターNPN 45 V 100 mA 100MHz 200 MWの表面の台紙SOT-23
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製造者
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BFG135 npnの一般目的のトランジスター力MosfetのトランジスターNPN 7GHzワイドバンドのトランジスター |
RFのトランジスターNPN 15V 150mA 7GHz 1W表面の台紙SC-73
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製造者
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BC847Cの一般目的のnpnのトランジスター力MosfetのトランジスターSOT-23両極トランジスター トランジスター |
両極（BJT）トランジスターNPN 45 V 100 mA 300MHz 200 MWの表面の台紙SOT-23
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製造者
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