HEXFET力Mosfetのトランジスター、力mosfetモジュールIRF7329TRPBF
メーカー:
製造者
記述:
Mosfetの配列12V 9.2A 2Wの表面の台紙8-SO
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiation
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
下水管の源の電圧:
-12 V
連続的な下水管の流れ、VGS @ -4.5V:
-7.4 A
脈打った下水管の流れ ?:
-37 A
電力損失 ?:
2.0 W
線形軽減の要因:
16 mW/°C
ハイライト:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
導入
HEXFET力Mosfetのトランジスター、力mosfetモジュールIRF7329
か。堀の技術か。
超低いオン抵抗
か。二重P-Channel MOSFET
か。
控えめ（<1>
テープ及び巻き枠で利用できるか。
無鉛
記述
国際的な整流器からの新しいP-Channel HEXFET®力のMOSFETsはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用する。HEXFET力のMOSFETsが有名である高耐久化された装置設計と結合されるこの利点はいろいろ適用の使用に非常に有効な、信頼できる装置を、デザイナーに与える。SO-8は高められた熱特徴およびそれをいろいろな力の適用で理想的にさせる多数ダイスの機能のためのカスタマイズされたleadframeを通して変更された。これらの改善を使うと、多数装置は劇的に減らされた板スペースを使うと適用で使用することができる。パッケージは蒸気段階、赤外線、または波のはんだ付けする技術のために設計されている
| 変数 | 最高。 | 単位 | |
| VDS | 下水管の源の電圧 | -12 | V |
| ID @ TA = 25°C | 連続的な下水管の流れ、VGS @ -4.5V | -9.2 | |
| ID @ TA= 70°C | 連続的な下水管の流れ、VGS @ -4.5V -7.4 | -7.4 | |
| IDM | 脈打った下水管の流れか。 | -37 | |
| PD @TA = 25°C | 電力損失か。 | 2.0 | W |
| PD @TA = 70°C | 電力損失か。 | 1.3 | |
| 線形軽減の要因 | 16 | mW/°C | |
| VGS | ゲートに源の電圧 | ± 8.0 | V |
| TJ、TSTG | 接続点および保管温度の範囲 | -55に+ 150 | °C |
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