新しい及び元のHEXFET力MosfetのトランジスターIRLR8729TRPBF
メーカー:
製造者
記述:
N-Channel 30 V 58A （Tc）の55W （Tc）表面の台紙D朴
部門:
電子ICの破片
価格:
negotiation
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
VDSS:
30V
最高RDS （）:
8.9mΩ
Qg:
10nC
G;D;S:
ゲート;下水管;源
下水管に源の電圧:
30ボルト
ゲートに源の電圧:
± 20 V
ハイライト:
power mosfet ic
,silicon power transistors
導入
適用か。
• 高周波同期木びき台
コンピュータ プロセッサ力のためのコンバーターか。
• 高周波隔離されたDC-DC
同期改正のコンバーター
電気通信および産業使用のため
利点か。
• 4.5V VGSのまさに低いRDS （）か。
• 超低いゲートのインピーダンスか。
• 十分に特徴付けられたなだれ電圧
そして現在か。
• 無鉛か。
• 迎合的なRoHS
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RFQを送りなさい
標準的:
MOQ:
10pcs