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ULN2803AFWGの8の高圧は、ダーリントンの高い現在のトランジスター力Mosfetのトランジスターを配列する	両極（BJT）トランジスター配列8 NPNダーリントン50V 500mA 1.31Wの表面の台紙18-SOP	製造者
フォトトランジスターの出力が付いているCNY74-4Hの低い電力mosfet力Mosfetのトランジスター多重チャンネルオプトカプラー	光アイソレータトランジスタ出力 5300Vrms 4 チャンネル 16-DIP	製造者
ZXMN10A09KTC 力Mosfetのトランジスター転換力mosfetの低い電力mosfetの高圧100V N-CHANNELの強化	N-Channel 100 V 5A （Ta）の2.15W （Ta）表面の台紙TO-252-3	製造者
MRF9030GNR1力mosfetモジュールはMosfetのトランジスターRF力の電界効果トランジスタに動力を与える	RF Mosfet TO-270-2のカモメ	製造者
S9012 TO-92はトランジスター低い電力mosfet高圧力mosfetをプラスチック内部に閉じ込める	両極（BJT）トランジスターPNP 25 V 500 mA 150MHz 300 MWの表面の台紙SOT-23	製造者
STN3NF06LのN-CHANNEL 60V - 0.07ohm - 4A SOT-223 STripFET⑩ II力MOSFET力Mosfetのトランジスター	N-Channel 60 V 4A （Tc）の3.3W （Tc）表面の台紙SOT-223	製造者
STD4NK60ZT4力mosfetモジュール力Mosfetのトランジスタートランジスター\|MOSFET\|N-CHANNEL\|TO-252AA	N-Channel 600 V 4A （Tc）の70W （Tc）表面の台紙DPAK	製造者
SI4436DY-T1-E3 N-Channel 60-V （D-S） MOSFET転換力mosfetの低い電力mosfet	N-Channel 60 V 8A （Tc） 2.5W （Ta）、5W （Tc）表面の台紙8-SOIC	製造者
ISL9V3040D3Sのトランジスター集積回路の破片ICの電子工学の中国金ICの製造者	IGBT 430 V 21 A 150 Wの表面の台紙TO-252AA	製造者
SN75240PWRのUSBポート一時的なSUPPERSSORS ICの部品ICのチップ製造業者		製造者
TIP127ケイ素PNPダーリントン力トランジスター高圧力mosfet二重力mosfet	両極（BJT）トランジスターPNP -ダーリントン穴TO-220を通した100ボルト5 A 2 W	製造者
SI7336ADP-T1-E3 N-Channel 30-V （D-S） MOSFETの低い電力mosfet高圧力mosfet	N-Channel 30 V 30A (Ta) 5.4W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8	製造者
PVT312Lマイクロエレクトロニック力IC力MOSFETの光起電リレー力Mosfetのトランジスター	ソリッドステートSPST-NO （A） 6-DIP （0.300"、7.62mm） 1つの形態	製造者
BC817-25 npnの一般目的のトランジスター力MosfetのトランジスターSOT-23両極トランジスタートランジスター（NPN）	両極（BJT）トランジスターNPN 45 V 500 mA 100MHz 300 MWの表面の台紙SOT-323	製造者
BD682GのnpnのdarliCM GROUPon力トランジスター力MosfetのトランジスタープラスチックMedium−Powerのケイ素PNP DarliCM GROUPons	両極（BJT）トランジスターPNP -ダーリントン穴TO-126を通した100ボルト4 A 40 W	製造者
NTR1P02LT1GはMOSFET -20 V、-1.3 A、P-Channel SOT-23のパッケージ高圧力mosfetに動力を与える		製造者
BC548BのnpnのdarliCM GROUPon力トランジスター力MosfetのトランジスターNPN一般目的のトランジスター	穴TO-92を通って両極（BJT）トランジスターNPN 30 V 100 mA 500 MW	製造者
PHC21025力mosfetを転換する補足の強化モードMOSのトランジスター	Mosfet Array	製造者
PBSS4320T 20 V NPN低いVCEsatのトランジスター転換力mosfet	両極（BJT）トランジスターNPN 20 V 2 100MHz 540 MWの表面の台紙TO-236AB	製造者
PBSS5320T、215の20ボルト、3 PNP低いVCEsat （BISS）のトランジスター可聴周波力mosfet	両極（BJT）トランジスターPNP 20 V 2 100MHz 540 MWの表面の台紙TO-236AB	製造者
2SS52Mの磁石抵抗センサーの電子破片板統合された半導体	デジタルスイッチのOmnipolarスイッチ開いたコレクター磁気抵抗TO-92-3	製造者
N - チャネル600 V 2.0か。オームrfの高い発電MosfetのトランジスターNDD04N60ZT4G	N-Channel 600 V 4.1A （Tc）の83W （Tc）表面の台紙DPAK	製造者
BFQ67W SOT-23の電子工学の集積回路の補足のケイ素NPN平面RFのトランジスター	RFのトランジスターNPN 10V 50mA 8GHz 300mW表面の台紙SC-70	製造者
A1302KUA力Mosfetのトランジスター連続的な時間Ratiometric線形ホール効果素子センサー	ホール効果素子センサーの単一の軸線3-SIP	製造者
MMBTA43LT1G高圧力mosfetのトランジスター、rf力mosfetのトランジスター	両極（BJT）トランジスターNPN 200 V 50 mA 50MHz 225 MWの表面の台紙SOT-23-3 （TO-236）	製造者
MMBT4403LT1Gの切換えの高い発電mosfetのトランジスター、PNPのケイ素力トランジスター	両極（BJT）トランジスターPNP 40 V 600 mA 200MHz 300 MWの表面の台紙SOT-23-3 （TO-236）	製造者
MMBT4401LT1G転換力Mosfetのトランジスター高い発電225 MW PD	両極（BJT）トランジスターNPN 40 V 600 mA 250MHz 300 MWの表面の台紙SOT-23-3 （TO-236）	製造者
MJD42CGの高圧二重力mosfet補足力トランジスター	両極（BJT）トランジスターPNP 100 V 6 3MHz 1.75のWの表面の台紙DPAK	製造者
MJD41CT4G一般目的のアンプのための高圧二重補足力mosfet	Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 6 A 3MHz 1.75 W Surface Mount DPAK	製造者
AO4449 P-Channelの強化モード電界効果トランジスタ転換力mosfetの低い電力mosfet	P-Channel 30 V 7A （Ta）の3.1W （Ta）表面の台紙8-SOIC	製造者
IRLR2905TRPBF TO-252力Mosfetのトランジスター集積回路の破片ICの電子工学	N-Channel 55 V 42A （Tc）の110W （Tc）表面の台紙D朴	製造者
MJD112T4Gの高い発電mosfetのトランジスター、補足のダーリントン力トランジスター	両極（BJT）トランジスターNPN -ダーリントン100ボルト2 25MHz 20 Wの表面の台紙DPAK	製造者
MMBF170力Mosfetのトランジスター、N -チャネルの強化モード電界効果トランジスタ	N-Channel 60 V 500mA （Ta）の300mW （Ta）表面の台紙SOT-23-3	製造者
MCR100-6シリコン制御整流素子の低い電力mosfetの高圧力mosfetのサイリスタ	サイリスタSCR 0.8A 400V TO92	製造者
MAC97A6トライアックはMosfetのトランジスター0.8アンペアRMSに200 - 600ボルト動力を与える	トライアックの論理-敏感なゲート400 V穴TO-92 （TO-226）を通した600 mA	製造者
BC807-40 SOT-23の両極トランジスタートランジスター（PNP） PNP一般目的のアンプの統合された半導体	両極（BJT）トランジスターPNP 45 V 500 mA 100MHz 300 MWの表面の台紙SOT-23	製造者
Q6012LH5力mosfet ICのトライアックの敏感なゲート力MosfetのトランジスターAlternistorのトライアック	トライアックAlternistor - Snubberlessは穴TO-220を通した600ボルト12 Aタブを隔離した	製造者
BFG541 NPN 9つのGHzのワイドバンドのトランジスター高い発電mosfetのトランジスターrf力mosfetのトランジスター	RFのトランジスターNPN 15V 120mA 9GHz 650mW表面の台紙SC-73	製造者
SI4435DYの堀力mosfet力Mosfetのトランジスター30V P-ChannelのPowerTrench MOSFET	P-Channel 30 V 8.8A （Ta）の2.5W （Ta）表面の台紙8-SOIC	製造者
BD912 TO-220 -力のトランジスターおよびDarliCM GROUPons力mosfetモジュール力mosfet IC	両極（BJT）トランジスターPNP 100 V 15穴TO-220を通した3MHz 90 W	製造者
BD136ケイ素PNP力トランジスター低い電力mosfet高圧力mosfet	穴SOT-32-3を通した両極（BJT）トランジスターPNP 45 V 1.5 A 1.25のW	製造者
DDTC123ECA-7-F NPN PRE-BIASED小さい信号SOT-23の表面の台紙のトランジスター力mosfetモジュール力mosfet IC	プリバイアスバイポーラトランジスタ (BJT) NPN - プリバイアス 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW 面実装 SOT-23-3	製造者
BC807-25力MosfetのトランジスターPNP一般目的のトランジスター	両極（BJT）トランジスターPNP 45 V 500 mA 100MHz 300 MWの表面の台紙SOT-23	製造者
IRLML2402TRPBF HEXFETÂ®力MOSFETの高い発電mosfetのトランジスター	N-Channel 20 V 1.2A （Ta）の540mW （Ta）表面の台紙Micro3™/SOT-23	製造者
IRFR9214力MOSFETの線形力mosfet一般目的mosfet	P-Channel 250 V 2.7A （Tc）の50W （Tc）表面の台紙D朴	製造者
STGB7NC60HDT4力Mosfetのトランジスターまさに速い力の網IGBT	IGBT 600 V 25 A 80 W 面実装 D2PAK	製造者
30ボルト力の堀MOSFETの高い発電のトランジスターFDS4935BZは二倍になる	Mosfet Array 30V 6.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC	製造者
60V N -チャネル力の堀MOSFET転換力mosfet FDS9945	Mosfetの配列60V 3.5A 1Wの表面の台紙8-SOIC	製造者
MJE15032G MJE15033G力Mosfetのトランジスター補足力mosfet	両極（BJT）トランジスターNPN 250 V8穴TO-220を通した30MHz 50 W	製造者
SFH6206-2Tオプトカプラー力Mosfetのトランジスターフォトトランジスターの出力、ACは入力回路板ICを	オプティカルアイソレータのトランジスターは5300Vrms 1チャネル4-SMDを出力した	製造者

57 58 59 60 61

フラッシュ・メモリICの破片

プログラム可能なICの破片

コンピュータICは欠ける

LEDの運転者IC

力管理IC

集積回路チップ

MCU マイコンユニット

表示運転者IC

IGBTパワーモジュール

アンプICは欠ける

電子ICの破片

電子部品

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C5750X5R0J107M280KA SMD フェライトビーズ SMD CAP オリジナルIC エレクトロニクス 中国ICサプライヤー

30R250UU POLYFUSE® リセット可能なPTCs統合半導体回路板 シリコン回路板

LMK212BJ226MG-T SMDフェライトビーズ EMIFILチップフェライトビーズ (1806サイズ)

SPW20N60C3FKSA1 フィールド効果トランジスタ

IRFB11N50APBF フィールド効果トランジスタ

IRFB3806PBF フィールド効果トランジスタ

GBU408 フィールド効果トランジスタ NEW AND ORIGINAL ストック

VO1400AEFTR フィールド効果トランジスタ 新品とオリジナルストック

IRFB23N20DPBF フィールド効果トランジスタ

VS-60CPQ150PBF フィールド効果トランジスタ

ULN2803AFWGの8の高圧は、ダーリントンの高い現在のトランジスター力Mosfetのトランジスターを配列する

フォトトランジスターの出力が付いているCNY74-4Hの低い電力mosfet力Mosfetのトランジスター多重チャンネルオプトカプラー

ZXMN10A09KTC 力Mosfetのトランジスター転換力mosfetの低い電力mosfetの高圧100V N-CHANNELの強化

MRF9030GNR1力mosfetモジュールはMosfetのトランジスターRF力の電界効果トランジスタに動力を与える

S9012 TO-92はトランジスター低い電力mosfet高圧力mosfetをプラスチック内部に閉じ込める

STN3NF06LのN-CHANNEL 60V - 0.07ohm - 4A SOT-223 STripFET⑩ II力MOSFET力Mosfetのトランジスター

STD4NK60ZT4力mosfetモジュール力Mosfetのトランジスター トランジスター|MOSFET|N-CHANNEL|TO-252AA

SI4436DY-T1-E3 N-Channel 60-V （D-S） MOSFET転換力mosfetの低い電力mosfet

ISL9V3040D3Sのトランジスター集積回路の破片ICの電子工学の中国金ICの製造者

SN75240PWRのUSBポート一時的なSUPPERSSORS ICの部品ICのチップ製造業者

TIP127ケイ素PNPダーリントン力トランジスター高圧力mosfet二重力mosfet

SI7336ADP-T1-E3 N-Channel 30-V （D-S） MOSFETの低い電力mosfet高圧力mosfet

PVT312Lマイクロエレクトロニック力IC力MOSFETの光起電リレー力Mosfetのトランジスター

BC817-25 npnの一般目的のトランジスター力MosfetのトランジスターSOT-23両極トランジスター トランジスター（NPN）

BD682GのnpnのdarliCM GROUPon力トランジスター力Mosfetのトランジスター プラスチックMedium−Powerのケイ素PNP DarliCM GROUPons

NTR1P02LT1GはMOSFET -20 V、-1.3 A、P-Channel SOT-23のパッケージ高圧力mosfetに動力を与える

BC548BのnpnのdarliCM GROUPon力トランジスター力MosfetのトランジスターNPN一般目的のトランジスター

PHC21025力mosfetを転換する補足の強化モードMOSのトランジスター

PBSS4320T 20 V NPN低いVCEsatのトランジスター転換力mosfet

PBSS5320T、215の20ボルト、3 PNP低いVCEsat （BISS）のトランジスター可聴周波力mosfet

2SS52Mの磁石抵抗センサーの電子破片板統合された半導体

N - チャネル600 V 2.0か。オームrfの高い発電MosfetのトランジスターNDD04N60ZT4G

BFQ67W SOT-23の電子工学の集積回路の補足のケイ素NPN平面RFのトランジスター

A1302KUA力Mosfetのトランジスター連続的な時間Ratiometric線形ホール効果素子センサー

MMBTA43LT1G高圧力mosfetのトランジスター、rf力mosfetのトランジスター

MMBT4403LT1Gの切換えの高い発電mosfetのトランジスター、PNPのケイ素力トランジスター

MMBT4401LT1G転換力Mosfetのトランジスター高い発電225 MW PD

MJD42CGの高圧二重力mosfet補足力トランジスター

MJD41CT4G一般目的のアンプのための高圧二重補足力mosfet

AO4449 P-Channelの強化モード電界効果トランジスタ転換力mosfetの低い電力mosfet

IRLR2905TRPBF TO-252力Mosfetのトランジスター集積回路の破片ICの電子工学

MJD112T4Gの高い発電mosfetのトランジスター、補足のダーリントン力トランジスター

MMBF170力Mosfetのトランジスター、N -チャネルの強化モード電界効果トランジスタ

MCR100-6シリコン制御整流素子の低い電力mosfetの高圧力mosfetのサイリスタ

MAC97A6トライアックはMosfetのトランジスター0.8アンペアRMSに200 - 600ボルト動力を与える

BC807-40 SOT-23の両極トランジスター トランジスター（PNP） PNP一般目的のアンプの統合された半導体

Q6012LH5力mosfet ICのトライアックの敏感なゲート力MosfetのトランジスターAlternistorのトライアック

BFG541 NPN 9つのGHzのワイドバンドのトランジスター高い発電mosfetのトランジスターrf力mosfetのトランジスター

SI4435DYの堀力mosfet力Mosfetのトランジスター30V P-ChannelのPowerTrench MOSFET

BD912 TO-220 -力のトランジスターおよびDarliCM GROUPons力mosfetモジュール力mosfet IC

BD136ケイ素PNP力トランジスター低い電力mosfet高圧力mosfet

DDTC123ECA-7-F NPN PRE-BIASED小さい信号SOT-23の表面の台紙のトランジスター力mosfetモジュール力mosfet IC

BC807-25力MosfetのトランジスターPNP一般目的のトランジスター

IRLML2402TRPBF HEXFETÂ®力MOSFETの高い発電mosfetのトランジスター

IRFR9214力MOSFETの線形力mosfet一般目的mosfet

C5750X5R0J107M280KA SMD フェライトビーズ SMD CAP オリジナルIC エレクトロニクス中国ICサプライヤー

30R250UU POLYFUSE® リセット可能なPTCs統合半導体回路板シリコン回路板

VO1400AEFTR フィールド効果トランジスタ新品とオリジナルストック

STD4NK60ZT4力mosfetモジュール力Mosfetのトランジスタートランジスター|MOSFET|N-CHANNEL|TO-252AA

BC817-25 npnの一般目的のトランジスター力MosfetのトランジスターSOT-23両極トランジスタートランジスター（NPN）

BD682GのnpnのdarliCM GROUPon力トランジスター力MosfetのトランジスタープラスチックMedium−Powerのケイ素PNP DarliCM GROUPons

BC807-40 SOT-23の両極トランジスタートランジスター（PNP） PNP一般目的のアンプの統合された半導体

SFH6206-2Tオプトカプラー力Mosfetのトランジスターフォトトランジスターの出力、ACは入力回路板ICを