PNP/NPNの高い現在の切換えのためのエピタキシアル平面のケイ素力トランジスター2SC5707
power mosfet ic
,multi emitter transistor
PNP/NPNの高い現在の切換えのためのエピタキシアル平面のケイ素力トランジスター2SC5707
適用
•DC/DCのコンバーター、リレー運転者、ランプの運転者、モーター運転者、フラッシュ
特徴
•FBETおよびMBITプロセスの採用。
•大きい現在のキャパシタンス。
•低いコレクターにエミッターの飽和電圧。
•高速切換え。
•高く正当な電力損失。
指定():2SA2040
変数 | 記号 | 条件 | 評価 | 単位 |
コレクターに基盤の電圧 | VCBO | -- | (--50) 100 | V |
コレクターにエミッターの電圧 | VCES | -- | (--50) 100 | V |
コレクターにエミッターの電圧 | VCEO | -- | (--) 50 | V |
エミッターに基盤の電圧 | VEBO | -- | (--) 6 | V |
コレクター流れ | IC | -- | (--) 8 | |
コレクター流れ(脈拍) | ICP | -- | (--) 11 | |
基礎流れ | IB | -- | (--) 2 | |
コレクターの消滅 | PC |
-- Tc=25°C |
1.0 15 |
W W |
接合部温度 | Tj | -- | 150 | °C |
保管温度 | Tstg | -- | --55から+150 | °C |
変数 | 記号 | 条件 | min. | タイプ。 | 最高。 | 単位 |
コレクタ遮断電流 | ICBO | VCB = (--) 40V、IE =0A | -- | -- | (--) 0.1 | µA |
エミッターの締切りの流れ | IEBO | VEB = (--) 4V、IC =0A | -- | -- | (--) 0.1 | µA |
DCの現在の利益 | hFE | VCE = (--) 2V、IC = (--) 500mA | 200 | -- | 560 | -- |
利益帯域幅プロダクト | fT | VCE = (--) 10V、IC = (--) 500mA | -- | (290) 330 | -- | MHz |
出力キャパシタンス | 穂軸 | VCB = (--) 10V、f=1MHz | -- | (50) 28 | -- | pF |
コレクターにエミッター 飽和電圧 |
VCE (坐った) 1 VCE (坐った) 2 |
IC = (--) 3.5A、IB = (--) 175mA IC = (--) 2A、IB = (--) 40mA |
-- -- |
(--230) 160 (--240) 110 |
(--390) 240 (--400) 170 |
mV mV |
飽和基盤にEmitterr 電圧 | VBE (坐った) | IC = (--) 2A、IB = (--) 40mA | -- | (--) 0.83 | (--) 1.2 | V |
コレクターに基盤の絶縁破壊電圧 | V (BR) CBO | IC = (--) 10µA、IE =0A | (--50) 100 | -- | -- | V |
コレクターにエミッターの絶縁破壊電圧 | V (BR) CES | IC = (--) 100µA、RBE =0Ω | (--50) 100 | -- | -- | V |
コレクターにエミッターの絶縁破壊電圧 | V (BR) CEO | IC = (--) 1mAのRBEの=∞ | (--) 50 | -- | -- | V |
エミッターに基盤の絶縁破壊電圧 | V (BR) EBO | IE = (--) 10µA、IC =0A | (--) 6 | -- | -- | V |
Turn-On時間 | トン | Seeテスト回路を指定した。 | -- | (40) 30 | -- | ns |
貯蔵時間 | tstg | Seeテスト回路を指定した。 | -- | (225) 420 | -- | ns |
落下時間 | tf | Seeテスト回路を指定した。 | -- | 25 | -- | ns |
パッケージ次元 パッケージ次元
単位:mm 単位:mm
7518-003 7003-003
転換の時間テスト回路
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード
イメージ | 部分# | 記述 | |
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0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
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200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
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22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
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MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
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2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
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IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
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DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
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PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
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SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
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SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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