AO3400A力MosfetのトランジスターN-Channelの強化モード電界効果トランジスタ
メーカー:
製造者
記述:
N-Channel 30 V 5.7A （Ta）の1.4W （Ta）表面の台紙SOT-23-3
部門:
電子ICの破片
価格:
negotiation
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Payapl
指定
下水管源の電圧:
30ボルト
ゲート源の電圧:
±12 V
脈打った下水管現在のB:
25A
連続的な下水管:
TA=25°C
接続点および保管温度の範囲:
-55 150°Cに
ハイライト:
power mosfet ic
,silicon power transistors
導入
AO3400A
N-Channelの強化モード電界効果トランジスタ
概説
AO3400Aは優秀なRDS （）および低いゲート充満を提供するのに高度の堀の技術を使用する。この装置は負荷スイッチとしてまたはPWMの適用で使用のために適している。標準的なプロダクトAO3400AはPbなしである（大会ROHS及びソニー259の指定）。
特徴
VDS （v） = 30V
ID = 5.7A （VGS = 10V）
RDS （） < 26="">
RDS （） < 32m="">
RDS （） < 48m="">
| 熱特徴 | |||||
| 変数 | 記号 | タイプ | 最高 | 単位 | |
| 最高の接続点に包囲されたA | tの≤ 10s | RθJA | 70 | 90 | °C/W |
| 最高の接続点に包囲されたA | 定常 | 100 | 125 | °C/W | |
| 最高の接続点に鉛C | 定常 | RθJL | 63 | 80 | °C/W |
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