MR756力Mosfetのトランジスター高い現在の鉛によって取付けられる整流器
メーカー:
製造者
記述:
ダイオード600 V 6A
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
VRRM:
600ボルト
VRSM:
720ボルト
VR （RMS）:
420ボルト
IFSM:
400 （1つの周期のために） A
TJ、Tstg:
65から+175 °C
ハイライト:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
導入
高い現在の鉛によって取付けられる整流器
特徴
•シャーシと対等な現在の容量は整流器を取付けた
•まさに高いサージ容量
•絶縁された箱
•Pb−FreeのパッケージはAvailable*の機械特徴である:
•場合:エポキシ、形成される
•重量:2.5グラム（およそ）
•終わり:すべての外面は防蝕浮上し、末端の鉛は容易にSolderableである
•はんだ付けする目的のための鉛の温度:最高260°C。10秒のため
•極性:陰極の極性バンド
MR7 =デバイス・コード
XX = 50、51、52、54、56か60
= Pb−Freeのパッケージ
（ノート:極小マイクロ写真はどちらの位置でもあるかもしれない）
発注情報
Seeこのデータ用紙のページの6パッケージ次元セクションの命令し、出荷情報を詳しく述べた。
広さVmの方形波の入力のために、効率因子はなる:
（Aの全波回路にこれらの効率が二度ある）
入力信号の頻度として、ダイオードの逆の回復時間増加される（図10）は先に現在と極性で反対であるそれにより図9.で示されているように効率因子のσの価値を、減らすRLを渡る増加するAC電圧部品に終って重要に、なる。
それはその図9ショーの波形の効率だけ強調されるべきである;それはダイオードの損失の測定を提供しない。データは本当rms AC電圧計とのVOのAC部品およびDCの電圧計が付いているDCの部品の測定によって得られた。同等化1でデータが図9.のためのポイントを得るのに使用された。
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