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電子ICの破片

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BYG20J-E3/TRの整流器ダイオードの電子工学の部品はICの電子工学を欠く

BYG20J-E3/TRの整流器ダイオードの電子工学の部品はICの電子工学を欠く

ダイオード600 V 1.5Aの表面の台紙DO-214AC (SMA)
製造者
1N4749Aガラス不動態化された接続点のケイ素のツェナー ダイオードのダイオード橋整流器IC    UHF可変的なキャパシタンス ダイオード

1N4749Aガラス不動態化された接続点のケイ素のツェナー ダイオードのダイオード橋整流器IC UHF可変的なキャパシタンス ダイオード

穴DO-204AL (DO-41)を通したツェナー ダイオード24 V 1 W ±5%
製造者
MBRS2040LT3Gの表面の台紙のショットキー力の整流器力の整流器ダイオードのショットキー整流器ダイオード

MBRS2040LT3Gの表面の台紙のショットキー力の整流器力の整流器ダイオードのショットキー整流器ダイオード

ダイオード40 V 2Aの表面の台紙SMB
製造者
IPD60R380C6 RecitifierのダイオードのElectrnocsの構成のトランジスター破片ICの電子工学

IPD60R380C6 RecitifierのダイオードのElectrnocsの構成のトランジスター破片ICの電子工学

N-Channel 600 V 10.6A (Tc)の83W (Tc)表面の台紙PG-TO252-3
製造者
S5M - E3 - 57T整流器ダイオードの集積回路の破片ICの電子工学のトランジスター

S5M - E3 - 57T整流器ダイオードの集積回路の破片ICの電子工学のトランジスター

ダイオード1000 V 5Aの表面の台紙DO-214AB (SMC)
製造者
MMBZ5230BLT1G MMBZ5234BLT1Gの整流器ダイオードのZenerの電圧安定器

MMBZ5230BLT1G MMBZ5234BLT1Gの整流器ダイオードのZenerの電圧安定器

ツェナー ダイオード4.7 V 225 MW ±5%の表面の台紙SOT-23-3 (TO-236)
製造者
S3G-E3/57Tの整流器ダイオードの表面の台紙の超高速のプラスチック整流器

S3G-E3/57Tの整流器ダイオードの表面の台紙の超高速のプラスチック整流器

製造者
SS26T3Gの整流器ダイオードの集積回路の破片プログラム記憶

SS26T3Gの整流器ダイオードの集積回路の破片プログラム記憶

ダイオード60 V 2Aの表面の台紙SMB
製造者
B39162B4310P810低い挿入の減少の二重ダイオードのモデル ショットキー バリア・ダイオード

B39162B4310P810低い挿入の減少の二重ダイオードのモデル ショットキー バリア・ダイオード

1.589GHz頻度GPS RFはフィルター(表面の音波) 1.5dB 34.37MHz帯域幅5-SMDの鉛を見なかった
製造者
US1M-E3/61Tの整流器ダイオードSMAの速い回復整流器ダイオード

US1M-E3/61Tの整流器ダイオードSMAの速い回復整流器ダイオード

ダイオード1000 V 1Aの表面の台紙DO-214AC (SMA)
製造者
MCP9700AT-E/TTの整流器ダイオード電子ICの破片色TV ICの記憶抜け目がない破片の低い電力

MCP9700AT-E/TTの整流器ダイオード電子ICの破片色TV ICの記憶抜け目がない破片の低い電力

温度検出器のアナログ、ローカル-40°C | 125°C 10mV/°C SOT-23-3
製造者
1N5821RLG整流器ダイオード730nmのダイオード レーザーの軸鉛の整流器

1N5821RLG整流器ダイオード730nmのダイオード レーザーの軸鉛の整流器

軸穴を通したダイオード30 V 3A
製造者
UF4004高い発電の整流器ダイオードの高性能の(超高速の)整流器

UF4004高い発電の整流器ダイオードの高性能の(超高速の)整流器

穴DO-41を通したダイオード400 V 1A
製造者
STTH12R06Dの整流器ダイオードの集積回路の破片プログラム記憶

STTH12R06Dの整流器ダイオードの集積回路の破片プログラム記憶

穴TO-220ACを通したダイオード600 V 12A
製造者
1N5363BRLG 5つのワットのSurmetic TM 40 Zenerの電圧安定器信号のショットキー ダイオード

1N5363BRLG 5つのワットのSurmetic TM 40 Zenerの電圧安定器信号のショットキー ダイオード

軸ツェナー ダイオード30 V 5 W ±5%の直通の穴
製造者
2N6052 PNPダーリントン力のケイ素のトランジスター ショットキー障壁の整流器ダイオードsr360

2N6052 PNPダーリントン力のケイ素のトランジスター ショットキー障壁の整流器ダイオードsr360

両極(BJT)トランジスター
製造者
12CWQ10FN整流器ダイオード信号のショットキー ダイオードのショットキー整流器

12CWQ10FN整流器ダイオード信号のショットキー ダイオードのショットキー整流器

ダイオードの配列1組の共通の陰極100 Vの表面の台紙TO-252-3、DPak (2つの鉛+タブ)、SC-63
製造者
BAS31一般目的の整流器ダイオードの管理されたなだれの(二重)ダイオード信号のショットキー ダイオード

BAS31一般目的の整流器ダイオードの管理されたなだれの(二重)ダイオード信号のショットキー ダイオード

ダイオードの配列1組の直列接続120 V 200mAの表面の台紙TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
製造者
MMBT2907A-7-Fの整流器ダイオード プログラムICは色TV ICの記憶抜け目がない破片60Vを欠く

MMBT2907A-7-Fの整流器ダイオード プログラムICは色TV ICの記憶抜け目がない破片60Vを欠く

両極(BJT)トランジスターPNP 60 V 600 mA 200MHz 300 MWの表面の台紙SOT-23-3
製造者
SS495A1整流器ダイオードの一般目的のトランジスターIC破片の電子工学

SS495A1整流器ダイオードの一般目的のトランジスターIC破片の電子工学

ホール効果素子センサーの単一の軸線の放射状の鉛
製造者
PTZTE2518Bのツェナー ダイオードICの電子工学のCompponentsプログラムIC破片の記憶IC

PTZTE2518Bのツェナー ダイオードICの電子工学のCompponentsプログラムIC破片の記憶IC

ツェナー ダイオード18 V 1 W ±6%の表面の台紙PMDS
製造者
BZT52C12-7-Fの表面の台紙のツェナー ダイオード信号のショットキー ダイオードの二重ダイオード モデル

BZT52C12-7-Fの表面の台紙のツェナー ダイオード信号のショットキー ダイオードの二重ダイオード モデル

ツェナー ダイオード12 V 500 MW ±5%の表面の台紙SOD-123
製造者
BZG05C6V2TRの整流器ダイオードのツェナー ダイオードのケイ素の平面のツェナー ダイオード

BZG05C6V2TRの整流器ダイオードのツェナー ダイオードのケイ素の平面のツェナー ダイオード

ツェナー ダイオード6.2 V 1.25のW ±6%の表面の台紙DO-214AC (SMA)
製造者
RB056L-40TE25 Zenerの整流器ダイオードICの電子工学の部品3Aの流れ

RB056L-40TE25 Zenerの整流器ダイオードICの電子工学の部品3Aの流れ

ダイオード 40 V 3A 面実装 PMDS
製造者
RGF1M-E3/67Aのツェナー ダイオードICの電子工学の部品プログラム40電圧

RGF1M-E3/67Aのツェナー ダイオードICの電子工学の部品プログラム40電圧

ダイオード1000 V 1Aの表面の台紙DO-214BA (GF1)
製造者
BYV32EB-200二重険しい超高速の整流器ダイオード200 Vの反復的なピーク逆電圧

BYV32EB-200二重険しい超高速の整流器ダイオード200 Vの反復的なピーク逆電圧

ダイオードの配列1組の共通の陰極200 V 20Diodeの配列1組CoAの表面の台紙TO-263-3のDの²朴(2つの鉛+タブ)、TO-263AB
製造者
MMBZ6V2ALT1Gの整流器ダイオード力のZenerの一時的な電圧サプレッサー

MMBZ6V2ALT1Gの整流器ダイオード力のZenerの一時的な電圧サプレッサー

8.7Vクランプ2.76A Ipp TVのダイオードの表面の台紙SOT-23-3 (TO-236)
製造者
MMSZ5242BT1Gのダイオードの整流器回路のツェナー ダイオードのZenerの電圧安定器

MMSZ5242BT1Gのダイオードの整流器回路のツェナー ダイオードのZenerの電圧安定器

ツェナー ダイオード12 V 500 MW ±5%の表面の台紙SOD-123
製造者
MMBD4148-7-Fの表面の台紙のスイッチング・ダイオードlg TV IC信号のショットキー ダイオード

MMBD4148-7-Fの表面の台紙のスイッチング・ダイオードlg TV IC信号のショットキー ダイオード

ダイオード75 V 300mAの表面の台紙SOT-23-3
製造者
B340B-13-Fのダイオードの整流器回路の表面の台紙のショットキー障壁の整流器

B340B-13-Fのダイオードの整流器回路の表面の台紙のショットキー障壁の整流器

ダイオード40 V 3Aの表面の台紙SMB
製造者
SR360-HF 3.0 AMPショットキーの障壁の整流器ダイオードsr360信号のショットキー ダイオード

SR360-HF 3.0 AMPショットキーの障壁の整流器ダイオードsr360信号のショットキー ダイオード

穴DO-27を通したダイオード60 V 3A
製造者
SBYV27-100-E3/54ダイオードの整流器回路の超高速のケイ素 メサの整流器は整流器絶食する

SBYV27-100-E3/54ダイオードの整流器回路の超高速のケイ素 メサの整流器は整流器絶食する

穴DO-204AC (DO-15)を通したダイオード100 V 2A
製造者
SS24T3Gの表面の台紙のショットキー力の整流器の線形集積回路

SS24T3Gの表面の台紙のショットキー力の整流器の線形集積回路

ダイオード40 V 2Aの表面の台紙SMB
製造者
MBRS1100T3Gの整流器ダイオードのショットキー力の整流器の表面の台紙

MBRS1100T3Gの整流器ダイオードのショットキー力の整流器の表面の台紙

ダイオード100 V 1Aの表面の台紙SMB
製造者
MUR220RLGの整流器ダイオードSWITCHMODE TM力の整流器の超高速の整流器

MUR220RLGの整流器ダイオードSWITCHMODE TM力の整流器の超高速の整流器

軸穴を通したダイオード200 V 2A
製造者
MURA160T3Gの整流器ダイオードの表面の台紙超高速力の整流器

MURA160T3Gの整流器ダイオードの表面の台紙超高速力の整流器

ダイオード600 V 1Aの表面の台紙SMA
製造者
1N5349Bダイオードの整流器回路のガラス不動態化された接続点のケイ素のツェナー ダイオード

1N5349Bダイオードの整流器回路のガラス不動態化された接続点のケイ素のツェナー ダイオード

穴T-18を通したツェナー ダイオード12 V 5 W ±5%
製造者
1.5KE250A TVの整流器ダイオードの一時的な電圧サプレッサー

1.5KE250A TVの整流器ダイオードの一時的な電圧サプレッサー

穴DO-201を通した344Vクランプ4.4A Ipp TVのダイオード
製造者
BZG03C120TRのケイ素のZダイオード橋整流器回路信号のショットキー ダイオード

BZG03C120TRのケイ素のZダイオード橋整流器回路信号のショットキー ダイオード

ツェナーダイオード 120 V 1.25 W 面実装 DO-214AC (SMA)
製造者
BZV85-C7V5,133整流器ダイオードDO-41のケイ素平面力のツェナー ダイオード

BZV85-C7V5,133整流器ダイオードDO-41のケイ素平面力のツェナー ダイオード

穴DO-41を通したツェナー ダイオード7.5 V 1.3 W ±5%
製造者
SM712.TCT延長共通モードRS-485のための非対称的なTVのダイオード

SM712.TCT延長共通モードRS-485のための非対称的なTVのダイオード

26Vの12Vクランプ17A (8/20µs) Ipp TVのダイオードの表面の台紙SOT-23-3
製造者
SS32-E3-57Tの整流器ダイオードの新しい及び元の表面の台紙のショットキー障壁

SS32-E3-57Tの整流器ダイオードの新しい及び元の表面の台紙のショットキー障壁

ダイオード20 V 3Aの表面の台紙DO-214AB (SMC)
製造者
新しい及び元のBZG03C30TRのケイ素のツェナー ダイオードの電子部品

新しい及び元のBZG03C30TRのケイ素のツェナー ダイオードの電子部品

ツェナーダイオード 30 V 1.25 W 面実装 DO-214AC (SMA)
製造者
一般目的力Mosfetのトランジスター(NPNのケイ素) Pb−FreeはMMBT3904LT1Gを包む

一般目的力Mosfetのトランジスター(NPNのケイ素) Pb−FreeはMMBT3904LT1Gを包む

両極(BJT)トランジスターNPN 40 V 200 mA 300MHz 300 MWの表面の台紙SOT-23-3 (TO-236)
製造者
超低いオン抵抗HEXFET力MOSFETのP-Channel MOSFET SOT-23の足跡の速い切換え   IRLML6402TRPBF

超低いオン抵抗HEXFET力MOSFETのP-Channel MOSFET SOT-23の足跡の速い切換え IRLML6402TRPBF

P-Channel 20 V 3.7A (Ta)の1.3W (Ta)表面の台紙Micro3™/SOT-23
製造者
2SC4793 (F補足トランジスター力の運転者段階のアンプの塗布M) A1837に

2SC4793 (F補足トランジスター力の運転者段階のアンプの塗布M) A1837に

両極(BJT)トランジスターNPN 230 V 1穴TO-220NISを通した100MHz 2 W
製造者
トライアックの敏感なゲートBT139-800Eの127の力Mosfetのトランジスター ケイ素力トランジスター

トライアックの敏感なゲートBT139-800Eの127の力Mosfetのトランジスター ケイ素力トランジスター

トライアックの論理-穴TO-220ABを通した敏感なゲート800 V 16 A
製造者
新しい及び元の力Mosfetのトランジスター(−100V、−2A) 2SB1316

新しい及び元の力Mosfetのトランジスター(−100V、−2A) 2SB1316

両極(BJT)トランジスターPNP -ダーリントン100ボルト2 50MHz 10 Wの表面の台紙CPT3
製造者
2N7002LT1G力mosfet IC力Mosfetのトランジスター小さい信号MOSFET 60 V、115 mA、N−Channel SOT−23

2N7002LT1G力mosfet IC力Mosfetのトランジスター小さい信号MOSFET 60 V、115 mA、N−Channel SOT−23

N-Channel 60 V 115mA (Tc)の225mW (Ta)表面の台紙SOT-23-3 (TO-236)
製造者
STD60NF55LT4 N-channel 55V - 0.012のヘ- 60A - DPAK/IPAK力MOSFET

STD60NF55LT4 N-channel 55V - 0.012のヘ- 60A - DPAK/IPAK力MOSFET

N-Channel 55 V 60A (Tc)の100W (Tc)表面の台紙DPAK
製造者
54 55 56 57 58