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TLP734力Mosfetのトランジスター新しい及び元のGaAs Ired及び写真のトランジスター

メーカー:
製造者
記述:
オプティカルアイソレータのトランジスターは4000Vrms 1チャネル6-DIPを出力した
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
保管温度:
?-55~125 °C
実用温度:
?-40~100 °C
鉛のはんだ付けする温度(10 s):
260 °C
総パッケージの電力損失:
250mW
軽減する総パッケージの電力損失(Taの≥ 25°C):
-か。2.5 MW/°C
分離の電圧:
4000 Vrms
ハイライト:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

導入

東芝のPhotocoupler GaAs Ired&Photo−Transistor

TLP733、TLP734

事務機器

世帯の使用装置

半導体継電器

転換の電源

東芝TLP733およびTLP734は光学的に6つの鉛のプラスチックすくいのガリウム砒素の赤外線出るダイオードにつながれるphoto−transistorから成っている。

TLP734はhigh−EMIの環境のためのno−baseの内部関係である。

  • Collector−emitterの電圧:55ボルト(min.)か。
  • 現在の移動比率:50% (min.)
    • ランクGB:100% (min.)か。
  • ULは確認した:UL1577、ファイルNO E67349か。
  • BSIは承認した:BS EN60065:1994年
    • 証明書第7364
    • BS EN60950:1992年
    • 証明書第7365か。
  • SEMKOは承認した:SS4330784
    • 証明書第9325163、9522142か。
  • 分離の電圧:4000 Vrms (min.)か。
  • 選択(D4)タイプ
    • VDEは承認した:DIN VDE0884/06.92、
      • 証明書第74286、91808
    • 最高の作動の絶縁材の電圧:630、890 VPK
    • 電圧に最も高く許された:6000、8000 VPK

VDE0884が承認したときに(ノート)タイプはである必要、示す「選択(D4)」を

7.62 mmピッチ 10.16 mmピッチ

標準的なタイプ TLP×××Fのタイプか。

表面漏れ間隔 :7.0 mm (min.) 8.0 mm (min.)

整理 :7.0 mm (min.) 8.0 mm (min.)

内部表面漏れ道 :4.0 mm (min.) 4.0 mm (min.)

絶縁材の厚さ :0.5 mm (min.) 0.5 mm (min.)

最高の評価(Ta = 25°C)

特徴 記号 評価 単位
LED 前方流れ 60 mA
前方現在の軽減(Taの≥ 39°C) ∆IF/°C か。-0.7 mA/°C
現在の先のピーク(100つのµsの脈拍、100 pps) IFP 1
逆電圧 VR 5 V
接合部温度 Tj 125 °C
探知器 コレクターか。エミッターの電圧 VCEO 55 V
コレクターか。基礎電圧(TLP733) VCBO 80 V
エミッターか。コレクター電圧 VECO 7 V
エミッターか。基礎電圧(TLP733) VEBO 7 V
コレクター流れ IC 50 mA
電力損失 PC 150 MW
軽減する電力損失(Taの≥ 25°C) ∆PC/°C -1.5 MW/°C
接合部温度 Tj 125 °C
保管温度の範囲 Tstg -か。55~125 °C
実用温度範囲 Topr か。-40~100 °C
鉛のはんだ付けする温度(10 s) Tsol 260 °C
総パッケージの電力損失 PT 250 MW
軽減する総パッケージの電力損失(Taの≥ 25°C) ∆PT/°C -2.5 MW/°C
分離の電圧(AC、1 min.、R.H.≤ 60%) BVS 4000 Vrms

重量:0.42 g

Pin構成(平面図)

TLP733

1:陽極2:陰極3:NC 4:エミッター5:コレクター6:基盤

TLP734

1:陽極2:陰極3:NC 4:エミッター5:コレクター6:NC

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