TLP734力Mosfetのトランジスター新しい及び元のGaAs Ired及び写真のトランジスター
power mosfet ic
,silicon power transistors
東芝のPhotocoupler GaAs Ired&Photo−Transistor
TLP733、TLP734
事務機器
世帯の使用装置
半導体継電器
転換の電源
東芝TLP733およびTLP734は光学的に6つの鉛のプラスチックすくいのガリウム砒素の赤外線出るダイオードにつながれるphoto−transistorから成っている。
TLP734はhigh−EMIの環境のためのno−baseの内部関係である。
- Collector−emitterの電圧:55ボルト(min.)か。
- 現在の移動比率:50% (min.)
- ランクGB:100% (min.)か。
- ULは確認した:UL1577、ファイルNO E67349か。
- BSIは承認した:BS EN60065:1994年
- 証明書第7364
- BS EN60950:1992年
- 証明書第7365か。
- SEMKOは承認した:SS4330784
- 証明書第9325163、9522142か。
- 分離の電圧:4000 Vrms (min.)か。
- 選択(D4)タイプ
- VDEは承認した:DIN VDE0884/06.92、
- 証明書第74286、91808
- 最高の作動の絶縁材の電圧:630、890 VPK
- 電圧に最も高く許された:6000、8000 VPK
- VDEは承認した:DIN VDE0884/06.92、
VDE0884が承認したときに(ノート)タイプはである必要、示す「選択(D4)」を
7.62 mmピッチ 10.16 mmピッチ
標準的なタイプ TLP×××Fのタイプか。
表面漏れ間隔 :7.0 mm (min.) 8.0 mm (min.)
整理 :7.0 mm (min.) 8.0 mm (min.)
内部表面漏れ道 :4.0 mm (min.) 4.0 mm (min.)
絶縁材の厚さ :0.5 mm (min.) 0.5 mm (min.)
最高の評価(Ta = 25°C)
特徴 | 記号 | 評価 | 単位 | |
LED | 前方流れ | 60 | mA | |
前方現在の軽減(Taの≥ 39°C) | ∆IF/°C | か。-0.7 | mA/°C | |
現在の先のピーク(100つのµsの脈拍、100 pps) | IFP | 1 | ||
逆電圧 | VR | 5 | V | |
接合部温度 | Tj | 125 | °C | |
探知器 | コレクターか。エミッターの電圧 | VCEO | 55 | V |
コレクターか。基礎電圧(TLP733) | VCBO | 80 | V | |
エミッターか。コレクター電圧 | VECO | 7 | V | |
エミッターか。基礎電圧(TLP733) | VEBO | 7 | V | |
コレクター流れ | IC | 50 | mA | |
電力損失 | PC | 150 | MW | |
軽減する電力損失(Taの≥ 25°C) | ∆PC/°C | -1.5 | MW/°C | |
接合部温度 | Tj | 125 | °C | |
保管温度の範囲 | Tstg | -か。55~125 | °C | |
実用温度範囲 | Topr | か。-40~100 | °C | |
鉛のはんだ付けする温度(10 s) | Tsol | 260 | °C | |
総パッケージの電力損失 | PT | 250 | MW | |
軽減する総パッケージの電力損失(Taの≥ 25°C) | ∆PT/°C | -2.5 | MW/°C | |
分離の電圧(AC、1 min.、R.H.≤ 60%) | BVS | 4000 | Vrms |
重量:0.42 g
Pin構成(平面図)
TLP733
1:陽極2:陰極3:NC 4:エミッター5:コレクター6:基盤
TLP734
1:陽極2:陰極3:NC 4:エミッター5:コレクター6:NC
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード
イメージ | 部分# | 記述 | |
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0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
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200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
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22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
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MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
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2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
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IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
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DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
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PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
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SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
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SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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