20V力MosfetのトランジスターN-ChannelのPowerTrench MOSFET FDV305N
メーカー:
製造者
記述:
N-Channel 20 V 900mA （Ta）の350mW （Ta）表面の台紙SOT-23-3
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiation
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
下水管源の電圧:
20ボルト
ゲート源の電圧:
± 12 V
最高の電力損失:
0.35 W
入力電流:
±5 mA
作動および貯蔵の接合部温度の範囲:
– 55から+150 °C
ハイライト:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
導入
FDV305N 20VのN-ChannelのPowerTrenchのMOSFET
概説
この20V N-Channel MOSFETはフェアチャイルドの高圧PowerTrenchプロセスを使用する。それは力管理適用のために最大限に活用された。
適用
•負荷スイッチ
•電池の保護
•力管理
特徴
•0.9 A、20ボルト
RDSの（） = 220 mΩ @ VGS = 4.5ボルト
RDSの（） = 300 mΩ @ VGS = 2.5ボルト
•低いゲート充満
•速い切り替え速度
•極端に低いRDSのための高性能の堀の技術（）
絶対最高評価
| 記号 | 変数 | 評価 | 単位 |
| VDSS | 下水管源の電圧 | 20 | V |
| VGSS | ゲート源の電圧 | ± 12 | V |
| ID |
現在を–連続的流出させなさい –脈打つ |
0.9 2 |
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| PD | 最高の電力損失 | 0.35 | W |
| TJ、TSTG | 作動および貯蔵の接合部温度の範囲 | – 55から+150 | °C |
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