2N6405Gシリコン制御整流素子はサイリスタの妨害を逆転させる50から800ボルト
指定
T (RMS):
16A
IT (AV):
10A
ITSM:
160A
PGM:
20W
ページ(AV):
0.5W
IGM:
2.0A
導入
2N6405G
シリコン制御整流素子はサイリスタの妨害を逆転させる50から800ボルト
特徴
•中心のゲートが付いているガラス不動態化された接続点
より大きい変数均等性および安定性のための幾何学
•、険しい小さい、Thermowattの構造
低い熱抵抗のため、高熱の消滅
•800ボルトへの妨害電圧
•これらはPb−Free装置である
最高RATINGS* (通知がなければTJ = 25°C)
評価 | 記号 | 価値 | 単位 |
オン州現在のRMS | IT (RMS) | 16 | |
平均オン州の流れ | IT (AV) | 10 | |
ピーク非反復サージ電流 | ITSM | 160 | |
回路の溶解の考察(t = 8.3氏) | 私2t | 145 | A2s |
前方ピーク ゲート力 | PGM | 20 | W |
前方平均ゲート力 | ページ(AV) | 0.5 | W |
前方ピーク ゲートの流れ | IGM | 2.0 | |
作動の接合部温度の範囲 | TJ | +125への−40 | °C |
保管温度の範囲 | Tstg | +150への−40 | °C |
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イメージ | 部分# | 記述 | |
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