低い熱抵抗100つのVのN-ChannelのNexFET力のMOSFETs CSD19533Q5A
メーカー:
製造者
記述:
N-Channel 100 V 100A （Ta） 3.2W （Ta）、96W （Tc）表面の台紙8-VSONP （5x6）
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiation
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
下水管に源の電圧:
100ボルト
ゲート充満合計（V） 10:
27 NC
流出するべきゲート充満ゲート:
4.9 NC
抵抗の下水管に源:
8.7 mΩ
境界の電圧:
2.8 V
ハイライト:
power mosfet ic
,silicon power transistors
導入
特徴
•超低いQgおよびQgd
•低い熱抵抗
•評価されるなだれ
•Pbなしの末端のめっき
•迎合的なRoHS
•自由なハロゲン
•息子5 mmの× 6 mmのプラスチック パッケージ
適用
•第一次側面の電気通信
•二次側面の同期整流器
•運動制御
記述
この100つのVの7.8 mΩ、息子5 mm X 6つのmm NexFET™
力MOSFETは損失を最小にするように設計されている
力転換の適用。
Q5Aのテープおよび巻き枠情報
注:
1. 10スプロケット穴ピッチの累積許容±0.2
2. 100つのmm、noncumulative 250以上のmmの1つのmmを超過しないためにわずかに弓なりにしなさい
3. 材料:黒い静的散逸性のポリスチレン
4. すべての次元はmmにある（他に特に規定がなければ）
5. A0およびB0は平面でポケットの底の上の0.3 mmを測定した
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標準的:
MOQ:
20pcs