補足力MosfetのトランジスターBT136-600Eサイリスタのトライアックの敏感なゲート
メーカー:
製造者
記述:
トライアックの論理-穴TO-220ABを通した敏感なゲート600 V 4 A
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiation
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal、
指定
記述:
不動態化されるガラス敏感なゲートのトライアック
反復的なピーク オフ状態の電圧:
600ボルト
平均オン州の流れ:
4 A
非反復ピーク オン州の流れ:
25A
保管温度:
-45~150 ℃
パッケージ:
TO-220AB
ハイライト:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
導入
補足力MosfetのトランジスターBT136-600Eサイリスタのトライアックの敏感なゲート
の特徴
·TO-220ABのパッケージを使って
·ガラスは、高い感受性がすべての4つの象限儀に要求される一般目的の二方向の切換えおよび位相制御の適用の使用のために意図されているプラスチック封筒の敏感なゲートのトライアック不動態化した。
即時参考データ
| 記号 | 変数 | 価値 | 単位 |
| VDRM | 反復的なピーク オフ状態の電圧 | 600 | V |
| VRRM | 反復的なピーク オフ状態の電圧 | 600 | V |
| IT （AV） | 平均オン州の流れ | 4 | |
| ITSM | 非反復ピーク オン州の流れ | 25 | |
| Tstg | 保管温度 | -45~150 |
PIN構成 記号
トライアックBT136シリーズE敏感なゲート
機械データ
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標準的:
MOQ:
4000pcs