補足のケイ素力Ttransistors BD139
指定
Collector-Base電圧:
80V
Collector-emitter電圧:
80V
Emitter-base電圧:
5V
コレクター流れ:
1.5A
ハイライト:
power mosfet ic
,multi emitter transistor
導入
補足のケイ素力Ttransistors BD139/BD140
記述
それは電力増幅器および転換の適用の使用のためにintented。
変数 | l | 価値 | 単位 |
Collector-Base電圧 | VCBO | 80 | V |
Collector-Emitter電圧 | VCEO | 80 | V |
Emitter-Base電圧 | VEBO | 5 | V |
コレクター流れ | IC | 1.5 | |
基礎流れ | IB | 0.5 | |
総消滅の | Ptot | 12.5 | W |
最高。作動の接合部温度 | Tj | 150 | oc |
保管温度 | Tstg | -55~150oC | oc |
変数 | 記号 | テスト条件 | Min. | タイプ。 | 最高。 | 単位 |
コレクタ遮断電流 | ICEO | VCB =80V、IE =0 | -- | -- | 10 | uA |
エミッターの締切りの流れ | IEBO | VEB =5V、IC =0 | -- | -- | 10 | uA |
Collector-Emitterの支える電圧 | VCEO | IC =30MA、IB =0 | 80 | -- | -- | V |
DCの現在の利益 |
hFE (1) hFE (2) |
VCE =2V、IC =0.5A VCE =2V、IC =150MA |
25 40 |
-- -- |
-- 250 |
|
Collector-Emitterの飽和電圧 | VCE (坐った) | IC =0.5A、IB =50MA | -- | -- | 0.5 | V |
Base-Emitterの飽和電圧 | VBE (坐った) | VCE =2V、IC =0.5A | -- | -- | 1.0 | V |
現在の利益帯域幅プロダクト | fT | VCE =10V、IC =500MA | 3 | -- | -- | MHz |
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イメージ | 部分# | 記述 | |
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