線形力Mosfetのトランジスター2N5458 JFETsはテレビICの破片を導いた
メーカー:
製造者
記述:
穴TO-92 （TO-226）を通ってJFETのN-Channel 25 V 310 MW
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiation
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
特徴:
高利得のためのN−Channel
Features2:
交換可能な下水管および源
Features3:
高いACはインピーダンスを入れた
Features4:
高い抵抗をDC入力
Features5:
低い移動および入れられたキャパシタンス
FEATURES6:
低いCross−Modulationおよび混変調ひずみ
ハイライト:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
導入
線形力Mosfetのトランジスター2N5458 JFETsはテレビICの破片を導いた
JFETsの−の一般目的のN−Channelの−の枯渇
N−Channelの接合型電界効果トランジスタ、枯渇モード（A）可聴周波および転換の適用のために設計されているタイプ。
特徴
•高利得のためのN−Channel
•交換可能な下水管および源
•高いACはインピーダンスを入れた
•高い抵抗をDC入力
•低い移動および入れられたキャパシタンス
•低いCross−Modulationおよび混変調ひずみ
•Uniblocのプラスチック内部に閉じ込められたパッケージ•Pb−FreeのパッケージはAvailable*である
最高の評価
| 評価 | 記号 | 価値 | 単位 |
| Drain−Sourceの電圧 | VDS | 25 | Vdc |
| Drain−Gateの電圧 | VDG | 25 | Vdc |
| Gate−Sourceの逆の電圧 | VGSR | −25 | Vdc |
| ゲートの流れ | IG | 10 | mAdc |
| 総装置消滅は25°Cの上で@ TA = 25°C軽減する | PD | 310 2.82 | MW mW/°C |
| 作動の接合部温度 | TJ | 135 | °C |
| 保管温度の範囲 | Tstg | +150への−65 | °C |
最高の評価を超過する圧力は装置を損なうかもしれない。最高の評価は圧力の評価だけである。推薦された作動条件の上の機能操作は意味されない。推薦された作動条件の上の圧力への拡張された露出は装置信頼性に影響を与えるかもしれない
発注情報
装置パッケージの船積み
2N5457 TO−92 1000の単位/箱
2N5458 TO−92 1000の単位/箱
2N5458G TO−92 （Pb−Free） 1000単位/箱
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