BZX84C2V7 350のMWの表面の台紙のケイ素の平面のツェナー ダイオードの普及した集積回路
指定
電力損失:
350mW
保管温度の範囲:
– 55… +150か。°C
包囲された接続点:
420K/W
前方電圧:
0.9V
ハイライト:
diode rectifier circuit
,bridge rectifier circuit
導入
BZX84C2V7 350のMWの表面の台紙のケイ素の平面のツェナー ダイオード
特徴
*か。平面構造は死ぬか。
*350 MWの電力損失
2.7V – 51Vからの*Zenerの電圧か。
自動化された組立工程に*Ideally適されて
絶対最高評価
変数 | テスト条件 | 記号 | 価値 | 単位 |
電力損失 | 陶磁器の基質 10mm x 8mm x 0.7mm |
Pd | 350 | MW |
現在のZener (図を見るため下の1-3) | ||||
接続点および貯蔵 温度較差 |
Tjの=Tstg | – 55… +150 | か。°C |
最高の熱抵抗
変数 | テスト条件 | 記号 | 価値 | 単位 |
包囲された接続点 | 陶磁器の基質10mm x 8mm x 0.7mm | RthJA | 420 | K/W |
標準的な提供(熱い販売法)
部品番号。 | 量 | ブランド | D/C | パッケージ |
AT91SAM7S64C-AU | 3522 | ATMEL | 15+ | QFP |
ATMEGA88PA-AU | 3554 | ATMEL | 14+ | QFP |
BFG135 | 3586 | 14+ | SOT-223 | |
BTA40-600B | 3618 | ST | 16+ | TO-3 |
IR2184PBF | 3650 | IR | 16+ | DIP-8 |
PIC18F452-I/P | 3682 | マイクロチップ | 13+ | QFP |
PC5P 3a1b 24V | 3714 | 松下電器産業 | 15+ | |
PIC18LF4520-I/PT | 3746 | マイクロチップ | 16+ | QFP |
ADF4360-4BCPZ | 3778 | 広告 | 16+ | LFCSP |
ADM2483BRWZ | 3810 | 広告 | 14+ | SOP |
BCM3349KFBG | 3842 | BROADCOM | 14+ | BGA |
LMD18200T | 3874 | NS | 14+ | ZIP11 |
USBN9603-28M | 3906 | NS | 16+ | SOP-28 |
PIC18F2550-I/SP | 3938 | マイクロチップ | 16+ | DIP-28 |
IRFP360 | 3970 | IR | 13+ | TO-247 |
HCF4053BM1 | 4002 | ST | 15+ | SOP |
ADP3338AKC-1.8-RL7 | 4034 | 広告 | 16+ | SOT-223 |
BA3308F-E2 | 4066 | ROHM | 16+ | SOP-14 |
SPW47N60C3 | 4098 | INF | 14+ | TO-247 |
6RI100G-160 | 4130 | 富士 | 14+ | モジュール |
AD620AN | 4162 | 広告 | 14+ | すくい |
AD8139ACPZ | 4194 | 広告 | 16+ | QFN |
ADC0804LCN | 4226 | NS | 16+ | すくい |
AT89S8253-24PU | 4258 | ATMEL | 13+ | すくい |
DF10S | 4290 | 9月 | 15+ | SMD-4 |
FZT651TA | 4322 | ZETEX | 16+ | SOT223 |
OPA4227PA | 4354 | BB | 16+ | すくい |
TMS320C50PQ80 | 4386 | チタニウム | 14+ | QFP |
Z85C3008PSC | 4418 | ZILOG | 14+ | DIP40 |
GT60M104 | 4450 | TOS | 14+ | TO-3PL |
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MOQ:
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