フィルター
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フラッシュ・メモリICの破片
| イメージ | 部分# | 記述 | メーカー | 標準的 | RFQ | |
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MC68HC908QY4CDWのマイクロ制御回路マザーボードIC破片の記憶IC破片 |
HC08 HC08のマイクロ制御回路IC 8ビット8MHz 4KB （4K X 8）抜け目がない16-SOIC
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製造者
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MBR0520LT1整流器ダイオードのショットキー力の整流器ダイオードPFMの増大するマイクロパワー切換え調整装置 |
ダイオード20 V 500mAの表面の台紙SOD-123
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製造者
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NDS356AP力トランジスターP-Channelの論理のレベルの強化モード電界効果トランジスタ |
P-Channel 30 V 1.1A （Ta）の500mW （Ta）表面の台紙SOT-23-3
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製造者
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S9013 TO-92はトランジスター（電子HAROM）低い電力mosfet高圧力mosfetをプラスチック内部に閉じ込める |
両極（BJT）トランジスターNPN 25 V 500両極（BJT）トランジスターNPN 25 V 500 mA 150MmA 150MHz 300 MWの表面の台紙SOT-23
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製造者
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M24C04 - WMN6TP I2cバスEeprom 16のkbit、8つのkbit、4つのkbit、2つのkbitおよび1つのkbitの連続 |
EEPROMの記憶IC 4Kbit I ² C 400 kHz 900 ns 8-SOIC
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製造者
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30EPH03PBF力Mosfetのトランジスター電子工学ICはIC中国の製造者のIntegared回路を欠く |
Diode 300 V 30A Through Hole TO-247AC Modified
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製造者
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SST27SF010-70-3C-PH 256 Kbit/512はKbit/1 Mbit/2 Mbit多数プログラム可能なフラッシュを時間を計る |
Memory IC
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製造者
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74LCX02MTCX 低電圧クワッド 2 入力 NOR ゲート、5V 耐性入力を備え、集積回路を停止 |
IC GATE NOR 4CH 2-INP 14TSSOP
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製造者
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IRFBC40 パワー MOSFET トランジスタ N チャネル パワー MOSFET スイッチ モード |
N-Channel 600 V 6.2A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
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製造者
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IRFP9240PBF パワー MOSFET トランジスタ P チャネル MOSFET パワー MOSFET ic |
P-Channel 200 V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247AC
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製造者
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S1MB-13-F パワー Mosfet トランジスタ 1.0A 表面実装ガラス不動態化整流器 |
Diode 1000 V 1A Surface Mount SMB
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製造者
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DDTC144EE-7-F NPN プリバイアス小信号 SOT-523 表面実装トランジスタ |
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount SOT-523
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製造者
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サイリスタの製品カタログの多エミッターのトランジスターBT137-600E |
TRIAC Logic - Sensitive Gate 600 V 8 A Through Hole TO-220AB
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製造者
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128K SPIバス連続EEPROM 8K-256K SPI連続EEPROM高温家族のデータ用紙25LC128-I/SN |
EEPROM Memory IC 128Kbit SPI 10 MHz 8-SOIC
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製造者
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表面の台紙SiエピタキシアルPlanarTransistors BCP53 |
バイポーラ（BJT） トランジスタ PNP 80 V 1.2 A 1.5 W 面実装 SOT-223-4
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製造者
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BTA12-600BWのトランジスター12Aトライアックの中国の製造者の新しい及び元の電子部品 |
TRIAC Alternistor - Snubberless 600 V 12 A Through Hole TO-220
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製造者
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LM2577T-ADJ 3 Pinのトランジスター簡単なSWITCHER-R増大する電圧安定器 |
Boost, Flyback, Forward Converter Switching Regulator IC Positive Adjustable 1.23V 1 Output 3A (Switch) TO-220-5
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製造者
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IRF9540力mosfet IC力Mosfetのトランジスター19A、100V、0.200オーム、P-Channel力のMOSFETs |
P-Channel 100 V 19A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB
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製造者
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TYN1225RGの標準25 SCRs線形力mosfetの堀力mosfet |
SCR 1.2 kV 25 A Standard Recovery Through Hole TO-220
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製造者
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2SC4883A 3 Pinのトランジスター ケイ素NPNのエピタキシアル平面トランジスター、npnのsmdのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 180 V 2 A 120MHz 20 W Through Hole TO-220F
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製造者
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2SC4793 （Fは、M） 3 Pinのトランジスター破片の電子工学IC Integarted Circutsを欠く |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 1 A 100MHz 2 W Through Hole TO-220NIS
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製造者
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IRF9540NPBF 3 Pinのトランジスター、抜け目がないICの集積回路の破片力MOSFET |
P-Channel 100 V 23A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
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製造者
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BTA26-600BRGの集積回路の部品3 Pinのトランジスター3末端の電圧安定器 |
TRIAC Standard 600 V 25 A Through Hole TOP3
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製造者
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SMBG33A-E3/52 UNI- AMDの二方向の表面の台紙のデジタルIC回路 |
53.3V Clamp 11.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount SMBG (DO-215AA)
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製造者
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SPA08N80C3 CoolMOSTM力トランジスターは極度なdv/dtを評価した最も高いピークの現在の機能を特色にする |
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DS1230Y-150+ 256k不揮発性SRAM SSはRAMモジュールICを取り替える |
NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 256Kbit Parallel 150 ns 28-EDIP
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製造者
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新しい及び元の50のmA Mosfet力モジュール40AのトライアックBTA40-600B |
TRIAC Standard 600 V 40 A Chassis Mount RD91
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製造者
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DS1990A-F5+ SMDのフェライト・ビーズの新しい及び元の通し番号のiButton |
Memory Card ROM 8B
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製造者
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EEE-FK1C221XP SMDのフェライト・ビーズのアルミニウム電気分解コンデンサー/FK |
220 µF 16 V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can - SMD 2000 Hrs @ 105°C
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製造者
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SRN4018-150M SMDのフェライト・ビーズ薄型力誘導器 |
15 µH Semi-Shielded Drum Core, Wirewound Inductor 1 A 264mOhm Max Nonstandard
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製造者
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CRCW2010330RJNEF SMD2010のコンデンサーICのタンタルの破片の多層陶磁器の帽子 |
330 Ohms ±5% 0.75W, 3/4W Chip Resistor 2010 (5025 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
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製造者
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1206のSMDの抵抗器/SMD LED 1206 RC1206FR-0712K1L 200V - 500V |
12.1 kOhms ±1% 0.25W, 1/4W Chip Resistor 1206 (3216 Metric) Moisture Resistant Thick Film
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製造者
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RC0805FR-072K49Lの一般目的の破片の抵抗器のsmdの抵抗器コード高圧smdの抵抗器 |
2.49 kOhms ±1% 0.125W, 1/8W Chip Resistor 0805 (2012 Metric) Moisture Resistant Thick Film
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製造者
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AT29LV040A-15TUの集積回路の破片の4メガビット（512K Xの8） 3ボルト唯一の256バイトのセクターのフラッシュ・メモリ |
フラッシュ・メモリIC 4Mbit平行150 ns 32-TSOP
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製造者
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IS63LV1024L-10TLIの集積回路の破片ICの電子工学の中国金ICの製造者 |
SRAM -非同期記憶IC 1Mbit平行10 ns 32-TSOP II
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製造者
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AT93C46DN-SH-B Three-wire連続EEPROM 1K （128 x 8か64 x 16）の電子デバイスおよび集積回路 |
EEPROMの記憶IC 1Kbit 3-Wire連続2 MHz 8-SOIC
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製造者
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24LC256-I/SN電子ICの破片、I2C⑩連続EEPROM家族のデータ用紙のholtの集積回路 |
EEPROMの記憶IC 256Kbit I ² C 400 kHz 900 ns 8-SOIC
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製造者
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R1LP0408CSP-7LC Electrnic ICは4M SRAM （8ビット512 kword】集積回路ICの部品を欠く |
メモリーIC
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製造者
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FM25V02-G電子ICは256Kb連続3V F-RAMの記憶を欠く |
FRAM （Ferroelectric RAM）の記憶IC 256Kbit SPI 40 MHz 8-SOIC
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製造者
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R1LP0108ESP-7SI電子ICはマイクロウェーブ集積回路を欠く |
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製造者
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CY62157EV30LL-45BVXI電子ICは8-Mbit （512K X 16）静的なRAMを欠く |
SRAM -非同期記憶IC 8Mbit平行45 ns 48-VFBGA （6x8）
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製造者
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M25P80-VMN6TP電子ICは75 MHz SPIのバス・インターフェースとのフラッシュ・メモリを欠く |
フラッシュ-記憶IC 8Mbit SPI 75 MHz 8-SO
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製造者
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M25PE16-VMW6TGの線形集積回路のページ-消去可能な連続フラッシュ・メモリ |
フラッシュ-記憶IC 16Mbit SPI 75 MHz 8-SO W
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製造者
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MGA-82563-TR1Gの電子線形集積回路の電力増幅器GaAs MMICのアンプ |
RFのアンプICの主義、PHS、PCS、SATCOMは、100MHz | 6GHz SOT-363、SC70
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製造者
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MICROSMD010F-2電子ICはPolySwitchの再設置可能な装置を欠く |
凹面重合体PTCの再設置可能なヒューズ30V 100 mA Ihの表面の台紙1210 （メートル3225）
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製造者
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MSA-1105-TR1電子ICはCascadableケイ素の両極MMICアンプを欠く |
RF アンプ IC ISM、PCS、WLL、802.16/WiMax 50MHz ～ 1.3GHz 05 プラスチック パッケージ
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製造者
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TLP155 （Eの電子集積回路は赤外線LED及び写真ICとしてPhotocouplers GaAを欠く |
600mAゲートの運転者の光学カップリング3750Vrms 1チャネル6-SOの5鉛
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製造者
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統合されたトランジスターIC 4N35単一チャネル6 Pinは共通の論理家族を浸す |
基礎出力5000Vrms 1チャネル6-DIPが付いているオプティカルアイソレータのトランジスター
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製造者
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デジタル減衰器の集積回路の破片30dB、4ビットDC - 2.0 GHz AT-220 |
RFの減衰器20dB 0 Hz | 18のGHzインライン モジュール50オームの1W SMAの
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製造者
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2Kバイトの新しい及び元の8ビット マイクロ制御回路抜け目がないAT89C2051-24PU |
8051 89Cマイクロ制御回路IC 8ビット24MHz 2KB （2K X 8）抜け目がない20-PDIP
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製造者
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