表面の台紙SiエピタキシアルPlanarTransistors BCP53
メーカー:
製造者
記述:
バイポーラ（BJT） トランジスタ PNP 80 V 1.2 A 1.5 W 面実装 SOT-223-4
部門:
フラッシュ・メモリICの破片
価格:
negotiation
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
Power dissipation – Verlustleistung:
1.3 W
コレクター流れ– Kollektorstrom （DC）:
1 A
ピーク コレクター流れ– Koll。- Spitzenstrom:
1.5 A
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom:
200 mA
接合部温度– Sperrschichttemperatur:
150か。℃
Storage temperature – Lagerungstemperatur:
- 65…+ 150℃
ハイライト:
npn smd transistor
,multi emitter transistor
導入
電力損失– Verlustleistung 1.3 W
プラスチック ケース SOT-223
Kunststoffgehäuse
およそ重量– Gewicht ca. 0.04 g
プラスチックにULの分類94V-0がある
Gehäusematerial UL94V-0のklassifiziert
録音され、巻き取られる標準的な包装
標準的なLieferformのgegurtet auf Rolle
最高の評価（TA = 25か。℃） Grenzwerte （TA = 25か。℃）
| BCP 51 | BCP 52 | BCP 53 | ||
| コレクター エミッター電圧 開いたB | - VCE0 | 45ボルト | 60ボルト | 80ボルト |
| コレクター基盤電圧 開いたE | - VCB0 | 45ボルト | 60ボルト | 100ボルト |
| エミッター基盤電圧 開いたC | - VEB0 | 5ボルト | ||
| 電力損失– Verlustleistung | Ptot | 1.3 W 1） | ||
| コレクター流れ– Kollektorstrom （DC） | - IC | 1 A | ||
| ピーク コレクター流れ– Koll。- Spitzenstrom | - ICM | 1.5 A | ||
| ピーク基盤流れ–基礎Spitzenstrom | - IBM | 200 mA | ||
| 接合部温度– Sperrschichttemperatur | Tj | 150か。℃ | ||
| 保管温度– Lagerungstemperatur | TS | - 65… + 150か。℃ | ||
1）各ターミナルに3 mm2の銅のパッドを持つP.C.板に取付けられて
モンタージュauf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag （Lötpad） jedem Anschluß
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