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R1LP0108ESP-7SI電子ICはマイクロウェーブ集積回路を欠く

メーカー:
製造者
部門:
フラッシュ・メモリICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
Vssに関連する電源電圧:
-0.3から+7ボルト
Vssに関連するピンの末端の電圧:
Vcc+0.3 Vへの-0.3
電力損失:
0.7 W
保管温度:
-65 150°Cに
入れられた高圧:
VCC+0.3 Vへの2.2
入れられた低電圧:
-0.3から0.8ボルト
ハイライト:

electronic integrated circuit

,

linear integrated circuits

導入

R1LP0108Eシリーズ

1Mbは進めたLPSRAM (128k単語X 8bit)を

記述

R1LP0108EシリーズはRenesasの高性能0.15um CMOSおよびTFTの技術によって8ビットによって131,072単語として、製造されて組織される低電圧1-Mbitの静的なラムの系列である。R1LP0108Eシリーズは高密度、高性能および低い電力の消費を実現した。R1LP0108Eシリーズは簡単なインターフェイス、電池の操作およびバッテリー・バックアップが重要な設計目的の記憶適用のために適している。それは32ピンSOP、32ピンTSOPおよび32ピンsTSOPで包まれた。

特徴

•単一4.5~5.5V電源

•小さい予備の流れ:1µA (5.0V、典型的な)

•時計は新たにならない

•すべての入出力は互換性があるTTLである。

•CS1#およびCS2による容易なメモリ拡張

•共通データ入力/出力

•3州の出力:またはタイの機能

•OE#は入力/出力バスのデータ競合を防ぐ

絶対最高

変数 記号 価値 単位
Vssに関連する電源電圧 Vcc -0.3から+7 V
Vssに関連するピンの末端の電圧 VT Vcc+0.3*2への-0.3*1 V
電力損失
操作の温度 Topr *3 R Ver。 0から+70 °C
私Ver。 -40から+85
保管温度の範囲 Tstg -65から150 °C
バイアスの下の保管温度の範囲 Tbias *3 R Ver。 0から+70 °C
私Ver。 -40から+85

ノート1. –脈拍の≤ 30nsのための3.0V (半分の最高で全幅)

2.最高の電圧は+7Vである。

3.周囲温度の範囲はR/I版によって決まる。ページの1.テーブルを見なさい。

ブロック ダイヤグラム

標準的な提供(熱い販売法)

部品番号。 ブランド D/C パッケージ

PS2703-1-F3-A 8300 RENESAS 15+ SOP-4
PS2801-1-F3-A 12848 RENESAS 10+ SOP-4
PS2805-1 8278 RENESAS 16+ SOP-4
PS2805-1-F3-A 12590 RENESAS 13+ SOP-4
TLE6230GP 27936 16+ SOP-36
TLE6280GP 14832 16+ SOP-36
TLE6368G2 13990 16+ SOP-36
STA508 2549 ST 13+ SOP-36
V62C5181024LL-70WT 2744 モーゼル 13+ SOP-32
RC531 1094 16+ SOP-32
TDA9850T 2639 フィリップス 16+ SOP-32
R1LP0408CSP-5SI 2186 RENESAS 16+ SOP-32
R1LP0408CSP-7LC 28776 RENESAS 13+ SOP-32
R1LV0408DSP-5SI 2312 RENESAS 13+ SOP-32
STK14C88-NF35 18244 SIMTEK 13+ SOP-32
TLE6262G 9228 14+ SOP-28
USBN9603-28MX 3077 NS 06+ SOP-28
TDA8024T/C1 17496 13+ SOP-28
SAA3010T 22100 フィリップス 10+ SOP-28
PT6964-S 11622 PTC 16+ SOP-28
STA013 1788 ST 04+ SOP-28
TDA7313D 15240 ST 16+ SOP-28
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