サイリスタの製品カタログの多エミッターのトランジスターBT137-600E
指定
Repetitive peak off-state:
600 V
RMS on-state current:
8 A
Non-repetitive peak on-state current:
65A
full sine wave:
Tj = 25 ˚C prior to surge
ハイライト:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
導入
概説
ガラスは、一般的なpurposebidirectionalの使用のために意図されているプラスチック封筒の敏感なゲートのトライアック不動態化した 切換えおよび高い感受性がすべての4に要求される位相制御の適用、
象限儀。
即時参考データ
記号 | 変数 | MAX. | MAX. | MAX. | 単位 |
VDRM IT (RMS) TSM |
BT137-
反復的なピーク オフ状態の電圧 RMSのオン州の流れ 非反復ピーク オン州の流れ |
500E 500 8 65 |
600E 600 8 65 |
800E 800 8 65
|
V |
限界値
絶対最高システム(IEC 134)に従う限界値。
トライアックBT137シリーズE敏感なゲート
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イメージ | 部分# | 記述 | |
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標準的:
MOQ:
20pcs