MSA-1105-TR1電子ICはCascadableケイ素の両極MMICアンプを欠く
electronic integrated circuit
,linear integrated circuits
Cascadableケイ素の両極MMICアンプMSA-1105
特徴
•高いダイナミック レンジのCascadable 50のΩまたは75のΩの利益ブロック
•3 dBの帯域幅:50のMHzから1.3 GHz
•0.5 GHzの17.5のdBm典型的なP1 dB
•3.6 dBの0.5 GHzの典型的な雑音指数
•表面の台紙のプラスチック パッケージ
•利用できるテープおよび巻き枠の包装の選択[1つ]
注:1.参照しなさい包装セクション「半導体デバイスのために包むTapeand巻き枠」。を
記述
MSA-1105は安価、表面の台紙のプラスチック パッケージで収納される高性能のケイ素の両極単一マイクロウェーブ集積回路（MMIC）である。このMMICはどちらの50でも高いダイナミック レンジか高いIP3と低雑音図を結合することによって75␣ Ωシステムのために設計されている。典型的な適用は商業用およびインダストリアル・システムに狭く、広帯域線形アンプを含める。
MSAシリーズはHP 10のGHz fTの優秀な性能、均等性および信頼性を達成するのに窒化物の自己直線、イオン・インプランテーションおよび金のメタライゼーションを使用する25のGHz f MAXのケイ素の両極MMICプロセスを使用して製造される。温度および現在の安定性のための外的なバイアス抵抗器の使用はまたバイアス柔軟性を可能にする。
典型的な偏る構成
05プラスチック パッケージ
MSA-1105絶対最高評価
| 変数 | 絶対最高[1] |
|---|---|
| 装置流れ | 80 mA |
| 電力損失[2,3] | 550 MW |
| RFは入力パワーを | +13 dBm |
| 接合部温度 | 150°C |
| 保管温度 | – 150°Cへの65 |
熱抵抗[2,4]:θjc = 125°C/W
注:
1. 永久的な損傷はこれらの限界のうちのどれかが超過すれば起こるかもしれない。
2. TCASE = 25°C。
3. 8 mW/°CでのためのTC > 124°C.軽減しなさい。
4. より多くの情報については測定セクション「熱抵抗」を見なさい。
05のプラスチック パッケージ次元
標準的な提供（熱い販売法）
| 部品番号。 | 量 | ブランド | D/C | パッケージ |
| MIC4680YM | 11361 | MICREL | 12+ | SOP-8 |
| MIC5205YM5 | 22705 | MICREL | 13+ | SOT23-5 |
| MIC5239-3.3YM | 11432 | MICREL | 16+ | SOP-8 |
| MIC5255-3.3BM5 | 11503 | MICREL | 05+ | SOT23-5 |
| MIC8115TUY | 11574 | MICREL | 06+ | SOT-143 |
| MIC811SUY | 31000 | MICREL | 15+ | SOT-143 |
| MICRF211AYQS | 6387 | マイクロチップ | 15+ | TSSOP-16 |
| MINISMDC050F-2 | 12000 | TYCO | 15+ | SMD |
| MJ15025G/MJ15024G | 2300 | 16+ | TO-3 | |
| MJ4502 | 3598 | 15+ | TO-3 | |
| MJ802G | 3846 | 15+ | TO-3 | |
| MJD122T4G | 61000 | 16+ | TO-252 | |
| MJD44H11T4G | 5681 | 16+ | TO-252 | |
| MJD45H11T4G | 18545 | 16+ | TO-252 | |
| MJE13003 | 69000 | CJ | 16+ | TO-126 |
| MJE13005A | 52000 | ST | 16+ | TO-220 |
| MJE15032G+MJE15033G | 5000 | 15+ | TO-220 | |
| MJE15034G+MJE15035G | 5000 | 16+ | TO-220 | |
| MJE2955T | 19000 | FSC | 16+ | TO-220 |
| MJE3055T | 20000 | FSC | 13+ | TO-220 |
| MJF122G | 17254 | 13+ | TO-220F | |
| MJW21193G+MJW21194G | 2000年 | 16+ | TO-247 | |
| MK20DX256VLH7 | 1714 | FREESCALE | 16+ | LQFP-64 |
| MK64FN1M0VLQ12 | 2929 | FREESCALE | 16+ | LQFP-144 |
| MLF1608DR68KTA00 | 6000 | TDK | 16+ | SMD |
| MLF2012DR82KT000 | 30000 | TDK | 16+ | SMD |
| MLG1608SR56JT000 | 16000 | TDK | 16+ | SMD |
| MLX90614ESF-BAA-000-TU | 3574 | MELEXIS | 16+ | TO-39-4 |
| MM58167BN | 5465 | NSC | 14+ | DIP-24 |
| MM74C911N | 4979 | NSC | 14+ | DIP-28 |
W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ
PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物
DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫
IR2110PBFの新しく、元の在庫
S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片
W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路
MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520
MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL
SKY65336-11 新しい原産物
| イメージ | 部分# | 記述 | |
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W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物 |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBFの新しく、元の在庫 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路 |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 新しい原産物 |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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