DS1230Y-150+ 256k不揮発性SRAM SSはRAMモジュールICを取り替える
low voltage power mosfet
,hybrid inverter circuit
DS1230Y-150+ 256k不揮発性SRAM SSはRAMモジュールICを取り替える
特徴
外部力がない時の最低データ保持10年の
データは電源切れの間に自動的に保護される
か。32k Xの8揮発静的なRAM、EEPROMまたはフラッシュ・メモリを取り替えるか。
無制限周期を書きなさいか。
ローパワーCMOSか。
読書およびライト・アクセスの時間を70 ns速く
か。リチウム エネルギー源は電気で力がはじめて適用されるまで新鮮さを保つために切られるか。
十分に±10%のVCC動作範囲（DS1230Y）か。
任意±5%のVCC動作範囲（DS1230AB）か。
-40°Cへの+85°Cの任意産業温度較差は、INDを示したか。
JEDEC標準的な28ピンすくいのパッケージ
か。新しいPowerCapモジュール（PCM）のパッケージ
- 直接表面取付け可能なモジュール
- 取り替え可能なスナップ
- PowerCapで…リチウム バックアップ電池を提供する
- すべての不揮発性SRAMプロダクトのための標準化されたpinout
- PowerCapの取り外しの特徴は規則的なスクリュードライバーを使用して容易な取り外しを可能にする
PINの記述
A0 - A14 -住所入力
DQ0 - DQ7 -データIn/Data
セリウム-破片は可能になる
私達-可能になる書きなさい
OE -出力は可能になる
VCC -力（+5V）
GND -地面
NC -接続してはいけない
記述
DS1230 256k不揮発性SRAMsは262,144ビット、8ビットにつき32,768ワードとして組織される十分に静的な、不揮発性SRAMsである。
各NV SRAMに絶えずの許容状態のためのVCCを監察するはめ込み式リチウム エネルギー源および制御回路部品がある。
そのような条件が起こるとき、リチウム エネルギー源は自動的につけられ、保護を無条件でデータ破損を防ぐために可能になる書く。
すくいパッケージDS1230装置は普及したバイト幅28ピンすくいの標準に従って既存の32k Xの代わりに8つの静的なラム直接使用することができる。
すくい装置はまた性能を高めている間28256 EEPROMsのpinoutに一致させ、直接取り替えを許可する。控えめなモジュールのパッケージのDS1230装置は表面台紙の塗布のためにとりわけ設計されている。
数に限界がの書く実行することができる追加的支援の回路部品はマイクロプロセッサ インターフェイスに要求されない周期をないし。
読まれたモード
DS1230装置は読まれた周期を時はいつでも私達（可能になる書きなさい）である不活性実行する（高い）およびセリウム（破片は可能になり、） OEは（出力は可能になる）活発である（低い）。
15の住所入力（A0 - A14）によって指定されるデータの32,768バイトのアクセスされる独特な住所は定義する。有効なデータは最後の住所入力信号が安定していた後内の8人のデータ出力の運転者に利用できるセリウムおよびOEの（出力は可能になる）アクセス時間がまた満足することを提供するtACC （アクセス時間）。
OEがおよびセリウムのアクセス時間満たされなければ、データ・アクセスは遅起こる信号の（セリウムかOE）から測定されなければなり、制限変数は住所アクセスよりもむしろOEのセリウムまたはつま先のためのtCOである。
ライト・モードを
DS1230装置は住所入力が安定していた後私達およびセリウム信号が活発である時はいつでも周期を書くために実行する（低速）。セリウムまたは私達の落ちる遅起こる端はの開始を書く周期を定める。
周期を終えられるセリウムまたは私達のより早い上昇端で書きなさい。すべての住所入力は書く周期を中有効保たれなければならない。
私達は最低の回復時間（tWR）の高い州に別の周期が始めることができる前に戻らなければならない。OEの制御信号は（高い）バス競合を避けるために周期を書くの間に不活性保たれるべきである。
但し、出力運転者が（セリウムおよびOEの能動態）そして可能になれば私達は落ちる端からのtODWの出力を不具にする。
| 変数 | 記号 | 分 | タイプ | MAX | 単位 | ノート |
| DS1230ABの電源電圧 | VCC | 4.75 | 5.0 | 5.25 | V | / |
| DS1230Yの電源電圧 | VCC | 4.5 | 5.0 | 5.5 | V | |
| 論理1 | VIH | 2.2 | VCC | V | ||
| 論理0 | VIL | 0.0 | 0.8 | V |
W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ
PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物
DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫
IR2110PBFの新しく、元の在庫
S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片
W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路
MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520
MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL
SKY65336-11 新しい原産物
| イメージ | 部分# | 記述 | |
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W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物 |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBFの新しく、元の在庫 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路 |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 新しい原産物 |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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