1206のSMDの抵抗器/SMD LED 1206 RC1206FR-0712K1L 200V - 500V
Smd Code Diode
,soldering smd resistor
1206のSMDの抵抗器/SMD LED 1206 RC1206FR-0712K1L 200V - 500V
規模
この指定は厚いフィルム プロセスによってなされる無鉛終了のRC1206シリーズ破片の抵抗器を記述する。
適用
zすべての一般目的の適用
特徴
zハロゲン自由なエポキシz
迎合的なRoHS -無鉛終了のプロダクトはRoHSの条件を満たす
- 電極に含まれているPbガラス抵抗器の要素およびガラスはRoHS zによって免除される
有害排出物を環境的に減らすこと
zの高い部品および装置の信頼性
PCBスペースのzのセービング
zどれもプロダクト/生産で使用される禁止材料
発注情報-全体的な部品番号及び12NC
部品番号は両方ともシリーズ、サイズ、許容、パッキング タイプ、温度係数、テープ リールおよび抵抗の価値によって識別される。
YAGEOのブランドのオーダー コードの全体的な部品番号（好まれる）
RC1206 X R - XX XXXX L （1） （2） （3） （4） （5） （6）
（1）許容
F = ±1% J = ±5% （命令するジャンパーJ）の使用コードのために
（2）包んでR =ペーパー テープ リール タイプしなさい
（3）抵抗の温度係数– = specの基盤
（4）テープ リール07 = 7 dia.インチの巻き枠10 = 10 dia.インチの巻き枠13 = 13 dia.インチの巻き枠
（5）そこの抵抗の価値は2~4ディジット示した抵抗器の価値をである。手紙R/K/Mは小数点、R/K/M、e.g.1K2、ない1K20の後で最後のゼロを述べる必要性ではない。詳しく述べられた抵抗の規則は「全体的な部品番号の抵抗規則」ののテーブルで示す。
命令の例
RC1206破片の抵抗器のオーダー コードは、7インチのテープ リールで供給される±1%の許容との56 Xを次のとおりである評価する:RC1206FR-0756RL.
ノート1。私達のRSMDプロダクトはすべて迎合的な自由なRoHSおよびハロゲンに会う。内部第2巻き枠のラベルの「LFP」は述べる「無鉛プロセス」を
2. カスタマイズされたラベルで、「LFP」か特定の記号は印刷することができる
電気特徴
電気特徴の特徴
RC1206 1/8 Wの実用温度範囲– +155 °Cへの55 °C
最高定常電圧 200ボルト
最高の積み過ぎの電圧 400ボルト
誘電性の抵抗電圧500 V
5% （E24） 22 MΩへの1つのΩ
抵抗の範囲 1% （E24/E96） 10 MΩへの1つのΩ
ゼロ オームのジャンパー < 0="">
1つのΩの≤ Rの≤ 10のΩ ±200 ppm/°C
温度係数 10 MΩ < R="">
10 Ω < R="">
評価される流れ 2つのAのジャンパーの規準
最高の流れ5 A
推薦された足跡のための足跡およびはんだ付けするプロフィールおよびはんだ付けするプロフィールは、特別なデータ用紙「破片抵抗器土台」の見る。
★のコンデンサー/抵抗器/インダクタンスSMDサイズ及びパッケージの★
| 国際的なコード | サイズ コード | 巻き枠の量 （PC） |
長さ （mm） |
幅 （mm） |
厚さ （mm） |
| 01005 | 0402 | 20000 | 0.25 | 0.125 | 0.13 |
| 0201 | 0603 | 10000 | 0.6 | 0.3 | 0.3 |
| 0402 | 1005 | 10000 | 1.00±0.05 | 0.05±0.05 | 0.50±0.05 |
| 0603 | 1608 | 4000-5000 | 1.60±0.10 | 0.80±0.10 | 0.80±0.10 |
| 0805 | 2012年 | 4000-5000 | 2.00±0.20 | 1.25±0.20 | 0.70±0.20 |
| 1206 | 3216 | 2000年 | 3.20±0.30 | 1.60±0.20 | 0.70±0.20 |
| 1210 | 3225 | 2000年 | 3.20±0.30 | 2.50±0.30 | 1.25±0.30 |
| 1808 | 4520 | 1000 | 4.50±0.40 | 2.00±0.20 | 2.00±0.30 |
| 1812 | 4532 | 1000 | 4.50±0.40 | 3.20±0.30 | 2.50±0.30 |
| 1825 | 4564 | 1000 | 4.50±0.40 | 6.40±0.40 | 0.61±0.36 |
| 2225 | 5764 | 1000 | 5.70±0.50 | 6.40±0.50 | 2.50±0.30 |
| 2512 | 6332 | 500 | 6.30±0.50 | 3.20±0.50 | 2.50±0.30 |
| 3035 | 7690 | 400 | 7.60±0.50 | 9.00±0.05 | 3.00±0.30 |
| 場合A | 3216 | 2000年 | 3.20±0.20 | 1.60±0.20 | 1.60±0.20 |
| 場合B | 3528 | 2000年 | 3.50±0.20 | 2.80±0.20 | 1.90±0.20 |
| 場合C | 6032 | 500 | 6.00±0.20 | 3.20±0.20 | 2.60±0.20 |
| 場合D | 7343 | 500 | 30±0.20 | 4.30±0.20 | 2.80±0.20 |
| 場合E | 7343H | 400 | 7.30±0.20 | 4.10±0.20 | 4.00±0.20 |
W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ
PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物
DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫
IR2110PBFの新しく、元の在庫
S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片
W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路
MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520
MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL
SKY65336-11 新しい原産物
| イメージ | 部分# | 記述 | |
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W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物 |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBFの新しく、元の在庫 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路 |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 新しい原産物 |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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