AT29LV040A-15TUの集積回路の破片の4メガビット(512K Xの8) 3ボルト唯一の256バイトのセクターのフラッシュ・メモリ
digital integrated circuits
,linear integrated circuits
4メガビット(512K Xの8) 3ボルト唯一の256バイトのセクターのフラッシュ・メモリAT29LV040A
特徴
•単一の電圧、3.6V供給への範囲3V
•3ボルトは操作だけを読み、書く
•ソフトウェアはプログラミングを保護した
•速い読み取りアクセスタイムの150 ns
•低い電力の消滅
– 15 mAの活動的な流れ
– 50のµA CMOSのスタンバイの流れ
•セクター プログラム操作
–単一周期はプログラムし直す(消去およびプログラム)
– 2048のセクター(256バイト/セクター)
– 256バイトのための内部アドレスそしてデータ掛け金
•2つの16Kバイトは閉鎖のブート ブロックを
•最高速いセクターの業務計画周期タイムの20氏
•内部プログラム制御およびタイマー
•プログラム検出の終わりのためのデータ投票
•典型的な持久力> 10,000の周期
•CMOSおよびTTLの多用性がある入出力
•緑の(Pb/Halideなしの)包装の選択
記述
AT29LV040Aは3ボルト内部システム抜け目がなくプログラム可能で、消去可能な読み取り専用メモリだけ(PEROM)である。記憶のその4メガビットは8ビットにつき524,288ワードとして組織される。Atmelの高度の不揮発性CMOS EEPROMの技術と製造されて、装置は150 nsにアクセス時間、および低い54 MWの電力損失を提供する。装置が選択解除されるとき、CMOSのスタンバイの流れは50 µAよりより少しである。装置持久力はどのセクターでも10,000回以上に普通書くことができることそのような物である。プログラミングのアルゴリズムはAtmelの3ボルトの唯一のフラッシュ・メモリの他の装置と互換性がある。
簡単な内部システムreprogrammabilityを可能にするためには、AT29LV040Aはプログラミングのために高い入力電圧が要求しない。3ボルトだけ命令は装置の操作を定める。装置からのデータを読むことはEPROMから読むことに類似している。AT29LV040Aをプログラムし直すことはセクターの基礎で行われる;データの256バイトは装置に荷を積まれ、次に同時にプログラムされる。
の間に周期をプログラムし直すために、他の操作のための住所およびデータ・バスを放すデータの住所位置そして256バイトはマイクロプロセッサ速度で捕獲され、内部的に掛け金を降ろされる。次に業務計画周期の開始の後で、装置は内部制御のタイマーを使用して自動的にセクターおよびプログラムを掛け金を降ろされたデータ消す。業務計画周期の端はI/O7のデータ投票によって検出することができる。業務計画周期の端が検出されたら、読書またはプログラムのための新しいアクセスは始まることができる。
絶対最高のRatings*
バイアスの下の温度...............................-55° Cから+125° C
保管温度.................................... -65° Cから+150° C
すべての入れられた電圧(を含むNCピン)
地面................................... - 0.6Vへの+6.25Vに関して
すべての出力電圧
VCCへの地面............................. - 0.6Vに関して+ 0.6V
A9の電圧(を含むNCピン)
地面................................... - 0.6Vへの+13.5Vに関して
*NOTICE:「絶対最高評価の下に」リストされているそれらを越える圧力は装置への永久的な損害を与えるかもしれない。これは圧力の評価だけであり、これらの装置またはこの指定の操作上セクションで示されるそれらを越える他のどの条件のも機能操作は意味されない。長期の絶対最高評価の条件への露出は装置信頼性に影響を与えるかもしれない。
32鉛PLCCの平面図 32鉛TSOP (タイプ1)の平面図
ブロック ダイヤグラム
標準的な提供(熱い販売法)
部品番号。 | Q'ty | MFG | D/C | パッケージ |
L78L12A | 10000 | ST | 15+ | SOT89 |
BTA40-700B | 3158 | ST | 14+ | RD-91 |
NCT3521U | 14400 | NUVOTON | 16+ | SOT23-6 |
MBR3045CT | 16459 | VISHAY | 16+ | TO-220 |
AY80609007293AA | 100 | INTEL | 10+ | BGA |
BTA10-600B | 10000 | ST | 16+ | TO-220 |
MT46H32M16LFBF-6IT:C | 7100 | ミクロン | 14+ | BGA |
ATTINY85-20SU | 1000 | ATMEL | 14+ | SOP-8 |
MUR3020WTG | 7681 | 14+ | TO-247 | |
MT29F4G08ABADAWP:D | 6981 | ミクロン | 15+ | TSSOP |
MXD2020EL | 3360 | MEMSIC | 15+ | LCC8 |
MCP1824T-1202E/OT | 5128 | マイクロチップ | 16+ | SOT-23 |
P0751.223NLT | 8520 | 脈拍 | 16+ | SMD |
NBB-310-T1 | 6400 | RFMD | 16+ | SMT |
NJM3414AV-TE1 | 10000 | JRC | 16+ | TSSOP |
MC908AP32CFBE | 4420 | FREESCALE | 10+ | QFP-44 |
P80C32SBPN | 9720 | フィリップス | 13+ | すくい |
MAX3232CPWR | 11050 | チタニウム | 14+ | TSSOP |
MC14093BCPG | 6162 | 16+ | すくい | |
LMV774MTX | 4258 | NSC | 14+ | TSSOP-14 |
MAX3232IPWR | 11750 | チタニウム | 16+ | TSSOP |

W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ

PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物

DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫

IR2110PBFの新しく、元の在庫

S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片

W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路

MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520

MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL

SKY65336-11 新しい原産物
イメージ | 部分# | 記述 | |
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![]() |
W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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![]() |
PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物 |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBFの新しく、元の在庫 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路 |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 新しい原産物 |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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