IRF9540NPBF 3 Pinのトランジスター、抜け目がないICの集積回路の破片力MOSFET
メーカー:
製造者
記述:
P-Channel 100 V 23A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
部門:
フラッシュ・メモリICの破片
価格:
Negotiation
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
Temperature Range:
-55°C to +170°C
Payment Term:
T/T, Paypal, Western Union
Voltage:
10V
Current:
43A
Package:
TO-220
Factory Package:
TUBE
ハイライト:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
導入
IRF2807トランジスター抜け目がないIC集積回路の破片ICの電子工学力MOSFET
出力特徴:
lは加工技術を進めた
l動的dv/dtの評価
l 175°Cの実用温度
l速い切換え
評価される十分にl P-Channel lなだれ
主指定:
国際的な整流器からの第5世代HEXFETsはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用する。
HEXFET力のMOSFETsが有名である高耐久化された装置設計および速い切り替え速度と結合されるこの利点はいろいろ適用の使用に非常に有効な、信頼できる装置を、デザイナーに与える。
TO-220パッケージはおよそ50ワットへの電力損失のレベルのすべての商業産業適用のために一般に好まれる。TO-220の低い熱抵抗そして低いパッケージの費用は企業中の広い受諾に貢献する
絶対最高評価
ID @ TC = 25°C連続的な下水管の流れ、VGS @ 10V
82の ID @ TC = 100°C連続的な下水管の流れ、VGS @ 10V 58 A
脈打つIDMは現在の 280 PDを@TC = 25°C流出させる
電力損失230 Wの線形軽減は1.5 With°Cを考慮する
VGSのゲートに源の電圧± 20 V
IARのなだれの現在の 43 A
耳の反復的ななだれエネルギー 23 mJ dv/dt
ピーク ダイオードの回復dv/dt 5.9 V/ns TJ
作動の接続点そして-55への+ 175
10トルクを取付ける秒の300 （場合からの1.6mm） °CのためのTSTGの保管温度の範囲のはんだ付けする温度、6-32またはM3 srew 10のlbf•（1.1N•m）
物品目録の部分
| 帽子0603 56PF 16V 0603N560K160CT | WALSIN | 16/04/27 | SMD0603 |
| C.I SP3203ECY-L/TR | SIPEX | 0616 | TSSOP-20 |
| C.I AT89S52-24PU | ATMEL | 1602 | DIP-40 |
| DIODO M7 | MIC | 1625 | SMA |
| DIODO BZX84C15LT1G | 1630/Y4 | SOT-23 | |
| MMBD4148-7-F | ダイオード | 1617/KA2 | SOT-23 |
| TRANS MMBTA42LT1G | 1635/1D | SOT-23 | |
| DIODO.BYG20J-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| TRANS NDD04N60ZT4G | 1143/A43/4N60ZG | TO-252 | |
| C.I UBA3070T | 1333 | SOP-8 | |
| 帽子0402 1UF 6.3V X7R GRM155R70J105KA12D | 村田 | IA6026DP4 | SMD0402 |
| 帽子0402 47NF 25V X7R GRM155R71E473JA88D | 村田 | IA6026DP4 | SMD0402 |
| 帽子0402 100NF 16V X7R 55 GRM155R71C104JA88D | 村田 | IA6009DI8 | SMD0402 |
| 帽子ELETR 470UF 16V RF1C471MTBF35008012 | NANTUNG | ||
| 帽子0805 10UF 6,3V X5R JMK212BJ106KD-T | TAIYOYUDEN | 1609 | SMD0805 |
| OPTO 4N25M | FSC | 637Q | DIP-6 |
| トライアックBT151-500R | 603 | TO-220 |
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標準的:
MOQ:
20pcs