CY62157EV30LL-45BVXI電子ICは8-Mbit （512K X 16）静的なRAMを欠く
electronic integrated circuit
,linear integrated circuits
CY62157EV30 MoBL®
8-Mbit （512K X 16）静的なRAM
特徴
•512K X 16または1M x 8 SRAMとして構成可能TSOP Iのパッケージ
•高速:45 ns
•広い電圧範囲:2.20V-3.60V
•CY62157DV30と互換性があるPin
•超低い予備発電
—典型的なスタンバイの流れ:2 µA
—最高のスタンバイの流れ:8 µA （産業）
•超低いアクティブな電源
—典型的で活動的な流れ:1.8 mA @ f = 1つのMHz
•CE1、CE2およびOEの特徴との容易なメモリ拡張
•選択解除された場合自動力
•最適速度および力のためのCMOS
•Pbなしおよび非Pbなしの48ボールVFBGAで利用できる、
Pbなしの私が包む44ピンTSOP IIおよび48ピンTSOP
機能の記述[1]
CY62157EV30は16ビットにつき512K単語として組織される高性能CMOSの静的なRAMである。この装置は超低く活動的な流れを提供するために高度の回路設計を特色にする。これは携帯電話のような携帯用適用のより多くの電池Life™ （MoBL®）を提供するために理想的である。装置にまた住所が留まっていないときかなりパワー消費量を減らす特徴の下の自動力がある。選択解除された場合待機モードに装置を置きなさい（セリウムは1つの最高かセリウム2の低速またはBHEおよびBLE両方高い）。入力または出力ピン（次の場合にはIO0からIO15）は高いインピーダンス状態に置かれる:
•選択解除されて（セリウム1つの最高かセリウム2の低速）
•出力は不具である（OEの最高）
•バイトの両方最高は可能になり、バイト低いEnable不具である（BHE、BLEの最高）
•操作をである活発書きなさい（セリウム低い1低速、セリウム2の最高および私達）
装置に書くためには、破片を（セリウム1つの低速およびセリウム2の最高）可能にし、取るために可能にする（低の私達の）入力を書きなさい。バイトの低速が（BLE）低くあれば、それからIOピン（IO0からIO7）からのデータ書かれていれば可能になれば住所ピン（A0からA18）で指定される位置に。バイトの最高が（BHE）低くあれば、それからIOピン（IO8からIO15）からのデータ書かれていれば可能になれば住所ピン（A0からA18）で指定される位置に。
装置から読むことを、破片を取るために（セリウムが1つの低速およびセリウム2の最高）可能にすれば強制している間出力は（OE）低速を書く高く可能になる（私達）可能にする。バイトの低速が（BLE）低くあれば、それから住所ピンによって指定される記憶場所からのデータ現われれば可能になればIO0からIO7で。バイトの最高が（BHE）低くあれば可能になれば記憶からのデータがIO8からIO15で現われれば。
論理のブロック ダイヤグラム
ノート1。最良実施の推薦のために、Cypressのアプリケーション ノートAN1064のSRAMシステム指針を参照しなさい
最高の評価
最高の評価を超過することは装置の電池の寿命を短くするかもしれない。ユーザーの指針はテストされない。
保管温度......................................................................... – 65°Cへの+ 150°C
力応用........................................... – 55°Cの周囲温度への+ 125°C
潜在性................................ – 0.3Vに3.9V （VCCmax + 0.3Vを）ひく供給電圧
高Z状態[6、7] ......... – 0.3Vに3.9V （VCCmax + 0.3V）の出力に適用されるDC電圧
電圧[6、7] .................................................... – 0.3Vに3.9V DC入力（VCC最高+ 0.3V）
出力（低速）への出力電流....................................................................... 20 mA
静電気放電の電圧....................................... > 2001V （MIL-STD-883の方法3015）
現在の............................................................................................... > 200 mAの上で掛け金を降ろしなさい
標準的な提供（熱い販売法）
| 部品番号。 | 量 | ブランド | D/C | パッケージ |
| H11G1SR2M | 3977 | フェアチャイルド | 10+ | SOP-6 |
| H11L1SR2M | 14256 | フェアチャイルド | 16+ | SOP |
| H1260NL | 10280 | 脈拍 | 15+ | SMD |
| HA17324 | 3948 | RENESAS | 14+ | DIP-14 |
| HA17324ARPEL-E-Q | 7361 | RENESAS | 15+ | SOP-14 |
| HCF4051BEY | 3919 | ST | 16+ | すくい |
| HCF4052M013TR | 7598 | ST | 13+ | SOP-16 |
| HCF4060BE | 18658 | ST | 14+ | すくい |
| HCNR200 | 6587 | AVAGO | 15+ | DIPSOP |
| HCNR200-000E | 7432 | AVAGO | 15+ | すくい |
| HCNW2611-000E | 5720 | AVAGO | 16+ | DIP-8 |
| HCNW4502 | 6210 | AVAGO | 13+ | SOP |
| HCPL-0466 | 3551 | AVAGO | 15+ | SOP-8 |
| HCPL-0630 | 15108 | AVAGO | 16+ | SOP-8 |
| HCPL-0639 | 5791 | フェアチャイルド | 13+ | SOP-8 |
| HCPL-181-000E | 9000 | AVAGO | 16+ | SOP-4 |
| HCPL-2602 | 8795 | AVAGO | 16+ | SOP-8 |
| HCPL2630SD | 2204 | FSC | 16+ | SOP |
| HCPL-2731 | 15179 | AVAGO | 13+ | DIPSOP |
| HCPL-3120 | 9870 | AVAGO | 15+ | DIPSOP |
| HCPL-316J | 13751 | AVAGO | 12+ | SOP-18 |
| HCPL-4504 | 21001 | AVAGO | 16+ | DIPSOP |
| HCPL-4506 | 12623 | AVAGO | 14+ | DIP-8 |
| HCPL-7840-500E | 5971 | AVAGO | 15+ | SOP |
| HCPL-786J | 13822 | AVAGO | 16+ | SOP-16 |
| HD06-T | 54000 | ダイオード | 15+ | SMD |
| HD64F3687FPV | 3168 | RENESAS | 14+ | TQFP-64 |
| HD74LS00P | 8647 | RENESAS | 16+ | DIP-14 |
| HD74LS04P | 8718 | RENESAS | 13+ | DIP-14 |
| HD74LS125P | 8931 | RENESAS | 15+ | すくい |
W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ
PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物
DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫
IR2110PBFの新しく、元の在庫
S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片
W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路
MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520
MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL
SKY65336-11 新しい原産物
| イメージ | 部分# | 記述 | |
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W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物 |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBFの新しく、元の在庫 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路 |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 新しい原産物 |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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