FM25V02-G電子ICは256Kb連続3V F-RAMの記憶を欠く
electronic integrated circuit
,linear integrated circuits
FM25V02
256Kb連続3V F-RAMの記憶
特徴
256KビットFerroelectric不揮発性RAM
- 32,768のx 8ビットとして組織される
- 高い持久力100兆は（1014）読んだり/書く
- 10年データ保持
- NoDelay™は書く
- 高度の高信頼性のFerroelectricプロセス
非常に速い連続周辺機器インターフェイス- SPI
- 頻度40までのMHzの
- 連続フラッシュのための直接ハードウェア取り替え
- SPIモード0及び3 （CPOL、CPHA=0,0及び1,1）
保護機構を書きなさい
- ハードウェア保護
- ソフトウェア保護
装置IDおよび通し番号
- 装置IDは製造業者ID及び部分IDを読む
- 独特な通し番号（FM25VN02）
低電圧、低い電力
- 低電圧操作2.0V – 3.6V
- 90のμAのスタンバイの流れ（タイプ。）
- 5つのμAの休眠モードの流れ（タイプ。）
業界標準構成
- 産業温度-40℃への+85℃
- 8ピン「緑」/RoHS SOICのパッケージ
- 8ピン「緑」/RoHS TDFNのパッケージ
記述
FM25V02は高度のferroelectricプロセスを用いる256キロビットの不揮発性メモリである。ferroelectric RAMメモリかF-RAMはRAMのように不揮発性で、読み、書く行う。それは10年間連続抜け目がなく、他の不揮発性メモリによって起こされる複雑さ、間接費およびシステム レベルの信頼性問題を除去している間信頼できるデータ保持を提供する。
連続フラッシュとは違って、FM25V02はバス速度で操作を書くために行う。遅れを負われる書いてはいけない。データは記憶配列に装置に移った直後に書かれている。次のバス周期はデータ投票のための必要性なしで始まるかもしれない。プロダクトは連続フラッシュよりより多くの持久力持久力、一桁を書くことを非常に高く提供する。また、F-RAMは連続フラッシュより低い電力の消費を表わす。
これらの機能は不揮発性メモリの適用要求のためのFM25V02理想を頻繁にさせるまたは急速書いたりまたは低い電力操作。例はの数が周期を長いの連続フラッシュの時をデータ損失を引き起こすことができる書く産業制御の要求に重大、かもしれない書くデータ収集から及ぶ。
FM25V02はハードウェアdrop-inの取り替えとして連続フラッシュのユーザーに相当な利点を提供する。装置は高速を書くF-RAMの技術の機能を高める高速SPIバスを使用する。FM25VN02は板かシステムを識別するのに読み取り専用、使用することができる独特な通し番号と提供される。装置は両方ともホストが製造業者、プロダクト密度およびプロダクト修正を定めることを可能にする読み取り専用装置IDを織込んでいる。装置は-40°Cへの+85°C.の産業温度較差に保証される。
絶対最高評価
| 記号 | 記述 | 評価 |
| VDD | VSSに関する電源電圧 | -1.0Vへの+4.5V |
| VIN | VSSに関するピンの電圧 | -1.0Vへの+4.5VおよびVIN< V=""> DD+1.0V |
| TSTG | 保管温度 | -55°Cへの+ 125°C |
| TLEAD | 鉛の温度の（はんだ付けする、10秒） | 260°C |
| VESD |
静電放電の電圧 -人体モデル（AEC-Q100-002 Rev. E） -満たされた装置モデル（AEC-Q100-011 Rev. B） -機械モデル（AEC-Q100-003 Rev. E） |
1kV 1.25kV 200V |
| パッケージの湿気感受性のレベル | MSL-1 |
絶対最高評価の下にリストされているそれらの上の圧力は装置への永久的な損害を与えるかもしれない。これは圧力の評価だけであり、これらの装置またはこの指定の操作上セクションにリストされているそれらの上の他のどの条件のも機能操作は意味されない。長期の絶対最高評価の条件への露出は装置信頼性に影響を与えるかもしれない。
Pin構成
標準的な提供（熱い販売法）
| 部品番号。 | 量 | ブランド | D/C | パッケージ |
| FDN358P | 58000 | フェアチャイルド | 16+ | SOT-23 |
| FDN5630-NL | 83000 | フェアチャイルド | 16+ | SOT-23 |
| FDPF14N30 | 5507 | フェアチャイルド | 09+ | TO-220F |
| FDS3672 | 5282 | フェアチャイルド | 14+ | SOP-8 |
| FDS4435BZ | 16331 | フェアチャイルド | 15+ | SOP-8 |
| FDS4935BZ | 9357 | フェアチャイルド | 14+ | SOP-8 |
| FDS6576 | 20788 | フェアチャイルド | 13+ | SOP-8 |
| FDS6681Z | 6161 | フェアチャイルド | 13+ | SOP-8 |
| FDS6699S | 20859 | フェアチャイルド | 13+ | SOP-8 |
| FDS8978 | 18516 | フェアチャイルド | 09+ | SOP-8 |
| FDS9431A | 9728 | フェアチャイルド | 13+ | SOP-8 |
| FDS9945-NL | 9799 | フェアチャイルド | 12+ | SOP-8 |
| FDV301N | 12000 | FSC | 16+ | SOT23-5 |
| FDV304P | 86000 | フェアチャイルド | 15+ | SOT-23 |
| FEP16DT | 8008 | VISHAY | 11+ | TO-220 |
| FEP16GT | 12410 | FSC | 16+ | TO-220 |
| FERD30M45CT | 6132 | ST | 15+ | TO-220AB |
| FES16JT | 12481 | VISHAY | 13+ | TO-220 |
| FGA25N120ANTD | 5228 | FSC | 15+ | TO-3P |
| FGH40N60SMDF | 5808 | フェアチャイルド | 16+ | TO-247 |
| FGH40N60UFD | 8213 | フェアチャイルド | 15+ | TO-247 |
| FGH60N60SFD | 4835 | フェアチャイルド | 13+ | SOP-8 |
| FGH60N60UFD | 4764 | FSC | 16+ | TO-247 |
| FGL40N120AND | 7142 | フェアチャイルド | 16+ | TO-264 |
| FJE3303H2TU | 14485 | フェアチャイルド | 07+ | TO-126 |
| FLZ2V2A | 20000 | FSC | 15+ | LL34 |
| FLZ3V6A | 7000 | FSC | 12+ | LL34 |
| FM18W08-SGTR | 4627 | CYPRESS | 11+ | SOP-28 |
| FM24CL64B-GTR | 1578 | CYPRESS | 16+ | SOP-8 |
| FM24W256-GTR | 7533 | CYPRESS | 14+ | SOP-8 |
W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ
PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物
DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫
IR2110PBFの新しく、元の在庫
S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片
W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路
MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520
MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL
SKY65336-11 新しい原産物
| イメージ | 部分# | 記述 | |
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W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物 |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBFの新しく、元の在庫 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路 |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 新しい原産物 |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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