NDS356AP力トランジスターP-Channelの論理のレベルの強化モード電界効果トランジスタ
メーカー:
製造者
記述:
P-Channel 30 V 1.1A （Ta）の500mW （Ta）表面の台紙SOT-23-3
部門:
フラッシュ・メモリICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
下水管源の電圧:
-30 V
連続的なゲート源の電圧-:
±20 V
連続的な最高の下水管の流れ- （:
±1.1 A
最高の電力損失:
0.5W
作動し、保管温度の範囲:
-55から150 °C
ハイライト:
power mosfet ic
,multi emitter transistor
導入
NDS356APのP-Channelの論理のレベルの強化モード電界効果トランジスタ
概説
SuperSOTTM-3 P-Channelの論理のレベルの強化モード力の電界効果トランジスタは、高い細胞密度専有、フェアチャイルドDMOSの技術を使用して作り出される。この非常に高密度プロセスは特にオン州の抵抗を最小にするために合う。これらの装置はノート パソコン力管理、携帯用電子工学および速い高側の切換えおよび低いインライン電源切れが非常に小さい輪郭の表面の台紙のパッケージで必要である他の電池式回路のような低電圧の適用に特に適する。
特徴
►-1.1 A、-30ボルト、RDS （） = 0.3 W @ VGS=-4.5 V
RDS （） = 0.2 W @ VGS=-10 V。
►業界標準の輪郭SOT-23の表面の台紙のパッケージ
優秀な上昇温暖気流のための専有SuperSOTTM-3設計を使用して
そして電気機能。
►極端に低いRDSのための高密度細胞の設計（）。
►例外的なオン抵抗および最高DCの現在の機能。
通知がなければ絶対最高評価TA = 25°C
| 記号 | 変数 | NDS356AP | 単位 |
| VDSS | 下水管源の電圧 | -30 | V |
| VGSS | 連続的なゲート源の電圧- | ±20 | V |
| ID | 連続的な最高の下水管の流れ- | ±1.1 | |
| PD | 最高の電力損失 | 0.5 | W |
| TJ、TSTG | 作動し、保管温度の範囲 | -55から150 | °C |
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