STN3NF06LのN-CHANNEL 60V - 0.07ohm - 4A SOT-223 STripFET⑩ II力MOSFET力Mosfetのトランジスター
メーカー:
製造者
記述:
N-Channel 60 V 4A （Tc）の3.3W （Tc）表面の台紙SOT-223
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiation
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
下水管源の電圧（VGS = 0）:
60ボルト
下水管ゲートの電圧（RGS = 20 kΩ）:
60ボルト
ゲート源電圧:
± 16 V
現在を（連続的）でTC = 25°C流出させなさい:
4 A
現在を（連続的）でTC = 100°C流出させなさい:
2.9 A
ハイライト:
power mosfet ic
,silicon power transistors
導入
N-CHANNEL 60V - 0.07Ω - 4A SOT-223 STripFET™ II力MOSFET
■典型的なRDS （） = 0.07のΩ
■例外的なdv/dtの機能
■なだれの険しい技術
■100%のなだれはテストした
■低い境界ドライブ
記述
この力MOSFETはSTMicroelectronisの「単一の特徴のSize™」独特なストリップ ベースのプロセスの後の開発である。従って生じるトランジスターは低いonresistance、険しいなだれの特徴およびより少なく重大な直線のステップのための非常に高い記録密度を驚くべき製造の再現性示す。
適用
■DC-DC及びDC-AC COVERTERS
■DCの運動制御（ディスク ドライバ、等）
■同期改正
| タイプ | VDSS | RDS （） | ID |
| STN3NF06L | 60ボルト | < 0=""> | 4 A |
物品目録
| MC74HC04ADR2G | 40000 | 16+ | SOP | |
| MT9M021IA3XTC | 748 | 15+ | IBGA | |
| MX25L25635FZ2I-10G | 6000 | MXIC | 14+ | WSON8 |
| MC74HC4066DR2 | 30000 | MOT | 16+ | SOP |
| MCP23S17-E/SS | 5200 | マイクロチップ | 16+ | SSOP |
| MP9720DS | 5861 | MPS | 16+ | SOP |
| PT100S8 | 100 | NIEC | 13+ | モジュール |
| LTM10C209A | 448 | 東芝 | 15+ | LCD |
| MLP1N06CLG | 28000 | 16+ | TO-220 | |
| LT1461BCS8-2.5 | 9862 | LT | 15+ | SOP-8 |
| MOC3023SR2M | 10000 | フェアチャイルド | 16+ | SOP |
| MJ15025G/MJ15024G | 2125 | 14+ | TO-3 | |
| P4SMAJ12A | 25000 | PANJIT | 16+ | DO-214AC |
| NCP3334DADJR2G | 12800 | 16+ | SOP-8 | |
| XC4VFX60-11FFG1152C | 100 | XILINX | 15+ | BGA |
| LPC1342FHN33 | 4122 | 15+ | HVQFN-33 | |
| LT1934ES6-1 | 11534 | 線形 | 16+ | SOT-23-6 |
| MB91F267APMC-GE1 | 3714 | 冨士通 | 14+ | QFP |
| PESD12VS1UB | 25000 | 16+ | 芝地 | |
| PESD5V0S1UB | 25000 | 16+ | 芝地 | |
| LM2903VDR2G | 10000 | 12+ | SOP-8 | |
| LPC1311FHN33 | 3642 | 11+ | HVQFN-33 | |
| LM2903DR2G | 40000 | 14+ | SOP-8 | |
| LM358D2G | 25000 | 14+ | SOP-8 | |
| LM2941LD | 1000 | NSC | 13+ | QFN |
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