フィルター
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電子ICの破片
| イメージ | 部分# | 記述 | メーカー | 標準的 | RFQ | |
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ER1002FCTの分離の超高速の回復整流器二重力mosfet可聴周波力mosfet |
Diode Array 1 Pair Common Cathode 200 V 10A Through Hole TO-220-3 Full Pack
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製造者
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NDT456P力MosfetのトランジスターP-Channelの電界効果トランジスタ |
P-Channel 30 V 7.5A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
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製造者
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PBSS4112PANPの115力MosfetのトランジスターNPN/NPN低いVCEsat （BISS）トランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 120V 1A 120MHz 510mW Surface Mount 6-HUSON (2x2)
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製造者
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RJH60F7ADPK-00#T0力Mosfetのトランジスター ケイ素NチャネルIGBTのトランジスター |
IGBT Trench 600 V 90 A 328.9 W Through Hole TO-3P
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製造者
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力mosfetの低い電力mosfetを転換する2N2646ケイ素UNIJUNCTIONのトランジスター |
Programmable Unijunction Transistor (UJT) 35V 300 mW TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
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製造者
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ZXMP10A17E6TA 100VのP-CHANNELの強化モードMOSFET線形力mosfetの堀力mosfet |
P-Channel 100 V 1.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-26
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製造者
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STP75NF75力Mosfetのトランジスターnpnの一般目的のトランジスター |
N-Channel 75 V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220
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製造者
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SPW47N60C3FKSA1力Mosfetのトランジスター涼しいMOS™力トランジスター |
N-Channel 650 V 47A (Tc) 415W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
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製造者
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SPW47N60CFDFKSA1力Mosfetのトランジスター高圧力mosfet |
N-Channel 600 V 46A (Tc) 417W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
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製造者
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TO-220パッケージが付いている2SC2073力Mosfetのトランジスター ケイ素NPN力トランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 150 V 1.5 A 4MHz 1.5 W Through Hole TO-220AB
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製造者
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2SD667ケイ素NPNのエピタキシアル トランジスター、電子工学の構成のトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor
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製造者
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2SD669A高い発電Mosfetのトランジスター ケイ素NPN力トランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 1.5 A 140MHz 1 W Through Hole TO-126
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製造者
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NTR2101PT1G力Mosfetのトランジスター プログラムIC破片の記憶IC |
P-Channel 8 V 3.7A (Ta) 960mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
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製造者
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BD237力Mosfetのトランジスター、低電圧NPN力トランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 2 A 25 W Through Hole SOT-32-3
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製造者
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BCV49力Mosfetのトランジスター、NPNのケイ素のダーリントンのトランジスター高いコレクター流れ |
Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 60 V 500 mA 220MHz 1.3 W Surface Mount SOT-89
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製造者
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FDS9435A力Mosfetのトランジスター単一P -チャネルの電界効果トランジスタ |
P-Channel 30 V 5.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
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製造者
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2SC2482 TO-92のプラスチック パッケージのトランジスター（NPN）、Npnの一般目的のトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 100 mA 50MHz 900 mW Through Hole TO-92MOD
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製造者
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FDS6990A力Mosfetのトランジスター二重Nチャネルの論理のPowerTrench MOSFET |
Mosfet Array 30V 7.5A 900mW Surface Mount 8-SOIC
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製造者
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KBPC5010 50.0A力Mosfetのトランジスター単一フェーズのケイ素橋整流器デジタルICの回路 |
Bridge Rectifier Single Phase Standard 1 kV Chassis Mount KBPC
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製造者
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IRLB4030PBF HEXFETの全権Mosfetのトランジスター130連続的な下水管の流れ |
N-Channel 100 V 180A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-220AB
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製造者
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SN74LVC1G86DBVRの単一の2つの入れられた独占記事かゲートのマイクロチップおよび集積回路 |
XOR (Exclusive OR) IC 1 Channel SOT-23-5
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製造者
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IRF1407PBF HEXFET可聴周波力mosfetは、力mosfet 92 Aを堀で囲む |
N-Channel 75 V 130A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
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製造者
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MMBTA42LT1G力MosfetのトランジスターNPNケイ素の高圧トランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 500 mA 50MHz 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
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製造者
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PMBT3906力MosfetのトランジスターPNPスイッチング・トランジスタ |
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 40V 200mA 250MHz 350mW Surface Mount 6-TSSOP
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製造者
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DM0565R パワー MOSFET トランジスタ グリーン モード フェアチャイルド パワー スイッチ (FPS) |
IC OFFLINE SW FLBACK TO220F-6L
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製造者
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TAJB226K016RNJ 汎用 SMT チップ タンタル シリーズ デジタル集積回路 |
22 µF Molded Tantalum Capacitors 16 V 1411 (3528 Metric), 1210 2.3Ohm
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製造者
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TIP107 ダーリントン パワー トランジスタ (PNP) 相補型シリコン パワー トランジスタ |
Bipolar (BJT) Transistor PNP - DarliCM GROUPon 100 V 8 A 2 W Through Hole TO-220
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製造者
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TIC116M-S シリコン制御整流器 ショットキーバリア整流器 ダイオード sr360 |
SCR 600 V 8 A Standard Recovery Through Hole TO-220
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製造者
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MMBT5551LT1G パワーMOSFET トランジスタ 高電圧トランジスタ NPN シリコン |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
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製造者
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P3NK90ZFP パワーMOSFET トランジスタ NチャンネルスイッチングパワーMOSFET |
N-Channel 900 V 3A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
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製造者
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SS8550 Y2 パワー MOSFET トランジスタ SOT-23 プラスチック カプセル化トランジスタ |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 25 V 1.5 A 100MHz 300 mW Surface Mount SOT-23
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製造者
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2SB1316TL パワートランジスタ低電力MOSFETスイッチングパワーMOSFET |
Bipolar (BJT) Transistor PNP - DarliCM GROUPon 100 V 2 A 50MHz 10 W Surface Mount CPT3
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製造者
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TK10P60W パワー MOSFET トランジスタ MOSFET シリコン N チャネル MOS |
N-Channel 600 V 9.7A (Ta) 80W (Tc) Surface Mount DPAK
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製造者
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パワー Mosfet モジュール CD4028BM96 Bcd-to-Cecimal デコーダ液晶テレビ回路基板 |
Decoder 1 x 4:10 16-SOIC
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製造者
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パワーMOSFET Ic 2SA1837パワーMOSFETトランジスタシリコンPNPパワートランジスタ |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 230 V 1 A 70MHz 2 W Through Hole TO-220NIS
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製造者
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FDN304PZのP-Channel 1.8Vは力の堀MOSFET転換力Mosfetを指定した |
P-Channel 20 V 2.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
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製造者
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ILD620GB フォトカプラ、フォトトランジスタ出力、AC 入力 (デュアル、クワッド チャネル) 8 ピン ic チップ |
Optoisolator Transistor Output 5300Vrms 2 Channel 8-DIP
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製造者
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動的 dV/dt 定格 IRFP240PBF パワー MOSFET トランジスタ 高速スイッチング パワー MOSFET |
N-Channel 200 V 20A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247AC
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製造者
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MJL21193 MJL21194 パワー MOSFET モジュール シリコン パワー トランジスタ |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 250 V 16 A 4MHz 200 W Through Hole TO-264
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製造者
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MPSA42 パワー MOSFET トランジスタ 低電流 NPN 高電圧トランジスタ |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 500 mA 50MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
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製造者
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NDT452AP パワー Mosfet トランジスタ P チャネルエンハンスメントモード電界効果トランジスタ |
P-Channel 30 V 5A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
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製造者
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STF21NM50N パワー MOSFET トランジスタ N チャンネル第 2 世代 MDmesh MOSFET |
N-Channel 500 V 18A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220FP
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製造者
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STGW20NC60VD力mosfetモジュールのN-CHANNEL非常に速いPowerMESH IGBT |
IGBT 600 V 60 A 200 W Through Hole TO-247-3
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製造者
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SUM110P06-07L-E3 パワー MOSFET トランジスタ P チャネル 60 V (D-S) 175℃ MOSFET |
P-Channel 60 V 110A (Tc) 3.75W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
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製造者
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TIP32C パワーMOSFET トランジスタ 相補型シリコンパワートランジスタ |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 3 A 2 W Through Hole TO-220
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製造者
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BD439 パワー Mosfet モジュール プラスチック中出力シリコン NPN トランジスタ |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 4 A 3MHz 36 W Through Hole TO-126
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製造者
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BTA08-600BW3G力Mosfetのトランジスター8AトライアックSNUBBERLESSのトライアック |
TRIAC Standard 600 V 8 A Through Hole TO-220AB
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製造者
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PMBT2907A パワー MOSFET トランジスタ 低電圧 PNP スイッチング トランジスタ |
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 600mA 200MHz 550mW Surface Mount 6-TSSOP
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製造者
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Tlp627-4 プログラマブル コントローラ DC 出力モジュール 通信トランジスタ相当 |
Optoisolator DarliCM GROUPon Output 5000Vrms 4 Channel 16-DIP
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製造者
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CNY74-2H シリコンパワートランジスタ フォトトランジスタ出力付きマルチチャンネルオプトカプラ |
Optoisolator Transistor Output 5300Vrms 2 Channel 8-DIP
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製造者
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