MCR100-6シリコン制御整流素子の低い電力mosfetの高圧力mosfetのサイリスタ
指定
反復的なピーク オフ状態の電圧ノート(1):
400ボルト
RMSのオン州の流れ(180o伝導の角度):
0.8 A
平均オン州の流れ(80o伝導の角度):
0.5 A
私溶解のための² tの価値:
0.41 A2s
Junction temperature:
40~125 ℃
ハイライト:
power mosfet ic
,multi emitter transistor
導入
シリコン制御整流素子
特徴
■敏感なゲートの制動機の流れ:IGT=200uAの最高
■低いオン州の電圧:VTM=1.2 (タイプ。) @ ITM
■現在の低い逆および先に妨害:IDRM/IPRM= 100uA@TC =125℃
■低い把握流れ:IH=5mAの最高
概説
敏感な誘発SCRが適用のために適しているマイクロ制御回路、論理の集積回路、小さい運動制御、回路を感じ、検出する大きいSCRのためのゲートの運転者のような限られるゲートの流れ。一般目的の切換えおよび位相制御の適用
熱特徴
記号 | 変数 | 価値 | 単位 |
RQJC |
熱抵抗、 接続点に場合 |
60 | ℃/W |
RQJA |
熱抵抗、 接続点に包囲された |
150 | ℃/W |
物品目録
LPC1311FHN33 | 3642 | 11+ | HVQFN-33 | |
LM2903DR2G | 40000 | 14+ | SOP-8 | |
LM358D2G | 25000 | 14+ | SOP-8 | |
LM2941LD | 1000 | NSC | 13+ | QFN |
MAX887HESA | 9505 | 格言 | 16+ | SOP |
LT6100IMS8 | 14394 | LT | 16+ | MSOP |
LM614CWM | 2876 | NSC | 14+ | SOP-14 |
MAX708SESA | 10000 | 格言 | 16+ | SOP |
MCP1703AT-5002E/MB | 5086 | マイクロチップ | 16+ | SOT-89 |
LRPS-2-1 | 7310 | 小型 | 16+ | SOP |
CY62157EV30LL-45ZSXIT | 1783 | CYPRESS | 15+ | TSOP32 |
ZJYS51R5-2PT | 5000 | TDK | 15+ | SMD |
PIC18F14K50-I/SS | 4673 | マイクロチップ | 16+ | SSOP |
LT4363IMS-2 | 5445 | 線形 | 15+ | MSOP |
ATMEGA8A-PU | 4090 | ATMEL | 15+ | DIP-28 |
LM4120IM5-3.3 | 4851 | NSC | 15+ | SOT-23-5 |
PEMD12 | 25000 | 16+ | SOT | |
MGA-68563-TR1G | 6238 | AVAGO | 16+ | SOT-363 |
NTZD3155CT2G | 40000 | 16+ | SOT-563 | |
MIC841LYC5 | 10000 | MICREL | 16+ | SC70-5 |
MAX3110ECWI | 9650 | 格言 | 16+ | SOP |
MAX3140CEI | 9700 | 格言 | 14+ | SSOP |
LM614IWMX | 4277 | NSC | 14+ | SOP-16 |
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イメージ | 部分# | 記述 | |
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MOQ:
5pcs