MRF9030GNR1力mosfetモジュールはMosfetのトランジスターRF力の電界効果トランジスタに動力を与える
メーカー:
製造者
記述:
RF Mosfet TO-270-2のカモメ
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
下水管源の電圧:
68 Vdc
ゲート源の電圧:
– 0.5、+15 Vdc
保管温度の範囲:
– 65から+200 °C
作動の接合部温度:
200℃
入れられたキャパシタンス:
49.5 pF
出力キャパシタンス:
26.5 pF
ハイライト:
power mosfet ic
,silicon power transistors
導入
RFミクロ以下MOSFETライン
RF力の電界効果トランジスタ
N-Channel強化モード側面MOSFETs
945のMHz、30のWの26のVの側面のN-CHANNEL広帯域RF力のMOSFETs
頻度の広帯域商業および産業適用のために設計されている1.0までGHz。これらの装置の高利得および広帯域性能はそれらを大き信号、26ボルトの基地局装置の共通源のアンプの塗布にとって理想的にさせる。
•945のMHz、26ボルトの典型的なツートーン性能
出力電力—PEP 30ワットの
力の利益—19 dB
効率—41.5%
IMD —– 32.5 dBc
•統合されたESDの保護
•最高の利益および挿入段階の平坦のために設計されている
•10:1 VSWRを、@ 26 Vdc扱うことができる、945のMHz、出力電力CW 30ワットの
•優秀な熱安定性
•シリーズ同等の大き信号のインピーダンス変数と特徴付けられる
•テープおよび巻き枠。R1接尾辞= 1 32のmmあたり500単位、13インチの巻き枠。
最高の評価
| 評価 | 記号 | 価値 | 単位 |
| 下水管源の電圧 | VDSS | 68 | Vdc |
| ゲート源の電圧 | VGS | – 0.5、+15 | Vdc |
|
総装置消滅@ TC = 25°C MRF9030R1 25°Cの上で軽減しなさい |
PD |
92 0.53 |
ワット With°C |
|
総装置消滅@ TC = 25°C MRF9030SR1 25°Cの上で軽減しなさい |
PD |
117 0.67 |
ワット With°C |
| 保管温度の範囲 | Tstg | – 65から+200 | °C |
| 作動の接合部温度 | TJ | 200 | °C |
パッケージ次元
標準的な提供（熱い販売法）
| 部品番号。 | Q'ty | MFG | D/C | パッケージ |
| BFU710F | 15000 | 15+ | SOT-343 | |
| PIC16F526-I/SL | 5193 | マイクロチップ | 16+ | SOP |
| LM810M3X-4.63 | 10000 | NSC | 15+ | SOT-23-3 |
| M95020-WMN6TP | 10000 | ST | 16+ | SOP |
| M93S46-WMN6 | 4686 | ST | 10+ | SOP |
| MCT61 | 10000 | FSC | 16+ | DIP-8 |
| MAX809LEUR+T | 10000 | 格言 | 16+ | SOT |
| 52271-2079 | 3653 | MOLEX | 15+ | コネクター |
| ZVP3306FTA | 9000 | ZETEX | 15+ | SOT23 |
| MBR10100G | 15361 | 16+ | TO-220 | |
| NTR2101PT1G | 38000 | 16+ | SOT-23 | |
| MBRD640CTT4G | 17191 | 16+ | TO-252 | |
| NTR4501NT1G | 38000 | 15+ | SOT-23 | |
| LM8272MMX | 1743 | NSC | 15+ | MSOP-8 |
| NDT014 | 10000 | フェアチャイルド | 14+ | SOT-223 |
| LM5007MM | 1545 | NSC | 14+ | MSOP-8 |
| NRF24L01+ | 3840 | 北欧人 | 10+ | QFN |
| MI1210K600R-10 | 30000 | スチュワード | 16+ | SMD |
| A3144E | 25000 | アレグロ | 13+ | TO-92 |
| MP3V5004DP | 5784 | FREESCALE | 13+ | SOP |
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| イメージ | 部分# | 記述 | |
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標準的:
MOQ:
10pcs