STGB7NC60HDT4力Mosfetのトランジスターまさに速い力の網IGBT
power mosfet ic
,multi emitter transistor
標準的な提供(熱い販売法)
部品番号。 | 量 | ブランド | D/C | パッケージ |
DS1245Y-100 | 1002 | ダラス | 15+ | TO-92 |
DS1990A-F5 | 1002 | 格言 | 16+ | 缶 |
ICL7135CPIZ | 1002 | INTERSIL | 16+ | すくい |
IRFP150NPBF | 5000 | IR | 14+ | TO-247 |
IRFP260NPBF | 5000 | IR | 14+ | TO-247 |
K847P | 1002 | VISHAY | 14+ | DIP16 |
LM301AN | 1002 | NS | 16+ | DIP8 |
LM35DT | 1002 | NS | 16+ | TO-220 |
MC34074AP | 1002 | 13+ | DIP14 | |
TC962CPA | 1002 | マイクロチップ | 15+ | DIP8 |
VB125ASP | 1002 | STM | 16+ | SOP-10 |
LT1084CT-12 | 1005 | LT | 16+ | TO220 |
XC2C64A-7VQG44C | 1005 | XILINX | 14+ | QFP44 |
30344 | 560 | BOSCH | 14+ | QFP |
AT93C66A-10SQ-2.7 | 1008 | ATMEL | 14+ | SOP8 |
NCP1200AP40 | 1008 | 16+ | DIP8 | |
PCA82C250T/N4,118 | 3000 | 16+ | SOP8 | |
ADM5120PX-AB-T-2 | 1009 | 13+ | QFP208 | |
TDA8950J | 1011 | 15+ | ZIP23 | |
HT8950 | 1012 | HOLTEK | 16+ | すくい |
TDA7384 | 1012 | ST | 16+ | ジッパー |
CS5550-ISZ | 1022 | 毛状突起 | 14+ | SSOP24 |
LF412CN | 1022 | NS | 14+ | DIP8 |
IR21141SSPBF | 1031 | IR | 14+ | SSOP24 |
XCF04SVOG20C | 1034 | XILINX | 16+ | SOP |
MC34084P | 1050 | 16+ | DIP-14 | |
DAC1220E | 1077 | チタニウム | 13+ | SSOP16 |
AT91SAM7X256-AU | 1088 | ATMEL | 15+ | QFP |
74LVX4245MTCX | 1100 | FSC | 16+ | TSSOP |
ADM2582EBRWZ | 1100 | 広告 | 16+ | SOP-20 |
STGP7NC60HD
STGF7NC60HD - STGB7NC60HD
N-CHANNEL 14A - 600V - TO-220/TO-220FP/Dの²朴
非常に速いPowerMESH™ IGBT
■より低いON-VOLTAGEの低下(Vcesat)
■損失を離れて尾流れを含みなさい
■損失はダイオードの回復エネルギーが含まれている
■CRES/CIESの比率を下げなさい
■高周波操作70までのKHz
■まさに柔らかい超高速の回復反平行ダイオード
■より堅い変数配分を用いる新しい世代プロダクト
記述
特許を取られたストリップのレイアウトに基づいて最も最近の高圧技術を使用してSTMicroelectronicsはIGBTsの高度の系列、顕著な性能のPowerMESH™ IGBTsを、設計した。接尾辞「H」は低電圧の低下をmantaining非常に高い転換の性能(減らされたtfall)を実現するために高周波適用のために最大限に活用される家族を識別する。
適用
■高周波インバーター
■両方のSMPSそしてPFC堅いスイッチおよび共鳴地勢学
■モーター運転者
絶対最高評価
記号 | 変数 | 価値 | 単位 | |
STGP7NC60HD STGB7NC60HD |
STGF7NC60HD | |||
VCES | Collector-Emitter電圧(VGS = 0) | 600 | V | |
VECR | エミッター コレクターの電圧 | 20 | V | |
VGE | ゲート エミッターの電圧 | ±20 | V | |
IC | コレクター流れ(連続的な)のTC = 25°C (#) | 25 | 10 | |
IC | コレクター流れ(連続的な)のTC = 100°C (#) | 14 | 6 | |
ICM (か。1) | コレクター流れ(脈打つ) | 50 | ||
ダイオードRMSの前方流れのTC = 25°C | 20 | |||
PTOT | 総消滅のTC = 25°C | 80 | 25 | W |
要因の軽減 | 0.64 | 0.20 | With°C | |
VISO |
絶縁材の抵抗電圧A.C。 (t = 1秒;Tc = 25°C) |
- | 2500 | V |
Tstg | 保管温度 | – 55から150 | °C | |
Tj | 作動の接合部温度 |
(1か。)最高によって限られる脈拍幅。接合部温度。
図1:パッケージ
図2:内部図式的な図表
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード
イメージ | 部分# | 記述 | |
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0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
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200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
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22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
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MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
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2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
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IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
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DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
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PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
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SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
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SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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