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30ボルト力の堀MOSFETの高い発電のトランジスターFDS4935BZは二倍になる

メーカー:
製造者
記述:
Mosfet Array 30V 6.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiation
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
下水管源の電圧:
– 30ボルト
ゲート源の電圧:
+25ボルト
現在を–連続的流出させなさい:
– 6.9 A
作動および貯蔵の接合部温度の範囲:
– 55から+150 qC
接続点に包囲された熱抵抗:
78 qC/W
ハイライト:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

導入

物品目録

BSM25GP120 458 EUPEC 15+ モジュール
LM2750LD-ADJ 3000 NSC 14+ QFN
NCN1188MUTAG 8480 16+ UQFN
NCN1154MUTAG 8400 16+ UQFN
LM2745MTCX 3000 NSC 14+ TSSOP-14
L78L05ABD 10000 ST 15+ SOP8
AT24C08BN-SH 5000 ATMEL 15+ SOP-8
PS21563-P 500 MITSUBISH 12+ モジュール
BNX003-01 2058年 村田 14+ すくい
LTC4441IMSE 6207 線形 14+ MSOP
PA0173NLT 7386 脈拍 16+ SOP
P0926NL 8560 脈拍 16+ SOP
PM10CSJ060 145 MITSUBISH 10+ MOUDLE
PH150S280-24 914 LAMBDA 16+ IGBT
LM75CIMX-5 4325 NSC 14+ SOP-8
PDT15016 392 NIEC 14+ モジュール
CXA3834M 2531 ソニー 15+ SOP
NS8002 40000 NSIWAY 16+ SOP
MP8707EN-LF-Z 5854 MPS 16+ SOP
MAP3202 3234 MAGNACHIP 16+ SOP
PS20660-MRZ 200 MITSUBISH 05+ モジュール
PK55GB80 80 SANREX 12+ モジュール
BSM200GD60DLC 368 EUPEC 14+ モジュール
LV8401V-TLM-E 5128 16+ SSOP
2DI150D-050C 991 富士 14+ モジュール
QM50HA-H 300 MITSUBISH 13+ モジュール
XC3S250E-4TQG144C 1968年 XILINX 15+ QFP144
CY7C68014A-100AXC 1156 CYPRESS 15+ QFP
LP2985A-10DBVR 4710 チタニウム 15+ SOT-23-5
PB4350 10940 16+ SOT-23
M27C512-70XF1 4087 ST 16+ すくい
QM200DY-H 250 MITSUBISH 12+ モジュール
ATTINY85-20PU 500 ATMEL 14+ DIP-8
A50L-0001-0284 100 富士 10+ モジュール
PC357N1TJ00F 10000 シャープ 16+ SOP
2MBI150US-120-50 388 富士 14+ モジュール
2MBI75P-140 523 富士 12+ モジュール
LNK364PN 4211 15+ DIP-7
RA30H2127M 200 MITSUBISH 12+ モジュール
CM110YE4-12F 228 MITSUBI 15+ モジュール
MRF321 642 MOT 14+ に55s
A3972SB 1000 アレグロ 13+ DIP-24
MR4010 6253 SHINDENGE 16+ TO220-7
PMD1000 5000 アレグロ 10+ QFP-48
LTC2294IUP 726 LT 15+ QFN
M30620FCAFP 3750 RENESAS 16+ QFP
BT148W-600R 10000 14+ TO220
MAX4312EEE+T 3600 格言 14+ QSOP
LTC1967CMS8 1628 線形 15+ MSOP
PM200CLA120 100 MITSUBISH 05+ MOUDLE
MAX5160MEUA 14950 格言 16+ MSOP
P89C51RC+JB 1140 フィリップス 15+ QFP
MC68CK16Z1CAG16 3682 FREESCALE 15+ QFP
PBY201209T-601Y-S 20000 YAGEO 16+ SMD
PACDN046M 10620 CMD 16+ MSOP8
XQ18V04VQ44N 890 XILINX 14+ QFP44
MAX17126BETM 6650 格言 15+ QFN
CY20AAJ-8F 500 MIT 10+ SOP-8
LME49720MA 2428 NSC 14+ SOP-8
BL05A 888 12+ SOP-8
BT4830 2322 ブーム 15+ ジッパー
BLF278 112 12+ SOT-262
M51996AFP 3334 RENESAS 16+ SOP
M25PE20-VMN6TP 4331 ST 16+ SOP
MB81F643242B-10FN 6418 富士 15+ TSSOP
MPC5200CVR400B 588 FREESCALE 14+ BGA
XC2C64A-7VQG44I 200 XILINX 14+ VQFP44
XC6SLX100-3CSG484I 100 XILINX 15+ BGA
PESD3V3L5UY 30000 16+ SOT


FDS4935BZ

30ボルトのP-ChannelのPowerTrench二重MOSFET

特徴

x – 6.9 A、– 30 V. RDS () = 22のm:

@ VGS = – 10ボルトRDS () = 35のm:

@ VGS = – 4.5ボルト

xは電池の塗布のためのVGSSの範囲を(– 25V)拡張した

x ESDの保護ダイオード(ノート3)

極端に低いRDSのためのxの高性能の堀の技術()

xの高い発電および現在の処理の機能

概説

このP-Channel MOSFETは同期か慣習的な切換えPWMのコントローラーおよび充電器を使用してDC/DCのコンバーターの全体的効率を改善するようにとりわけ設計されていた。

これらのMOSFETsは対等なRDSの()指定を含む他のMOSFETsより速い切換えそして低いゲート充満を特色にする。結果はより高い全体的効率の運転しが易く、安全(メートル波で)の、およびDC/DCの電源の設計であるMOSFET。

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標準的:
MOQ:
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