30ボルト力の堀MOSFETの高い発電のトランジスターFDS4935BZは二倍になる
指定
下水管源の電圧:
– 30ボルト
ゲート源の電圧:
+25ボルト
現在を–連続的流出させなさい:
– 6.9 A
作動および貯蔵の接合部温度の範囲:
– 55から+150 qC
接続点に包囲された熱抵抗:
78 qC/W
ハイライト:
power mosfet ic
,silicon power transistors
導入
物品目録
BSM25GP120 | 458 | EUPEC | 15+ | モジュール |
LM2750LD-ADJ | 3000 | NSC | 14+ | QFN |
NCN1188MUTAG | 8480 | 16+ | UQFN | |
NCN1154MUTAG | 8400 | 16+ | UQFN | |
LM2745MTCX | 3000 | NSC | 14+ | TSSOP-14 |
L78L05ABD | 10000 | ST | 15+ | SOP8 |
AT24C08BN-SH | 5000 | ATMEL | 15+ | SOP-8 |
PS21563-P | 500 | MITSUBISH | 12+ | モジュール |
BNX003-01 | 2058年 | 村田 | 14+ | すくい |
LTC4441IMSE | 6207 | 線形 | 14+ | MSOP |
PA0173NLT | 7386 | 脈拍 | 16+ | SOP |
P0926NL | 8560 | 脈拍 | 16+ | SOP |
PM10CSJ060 | 145 | MITSUBISH | 10+ | MOUDLE |
PH150S280-24 | 914 | LAMBDA | 16+ | IGBT |
LM75CIMX-5 | 4325 | NSC | 14+ | SOP-8 |
PDT15016 | 392 | NIEC | 14+ | モジュール |
CXA3834M | 2531 | ソニー | 15+ | SOP |
NS8002 | 40000 | NSIWAY | 16+ | SOP |
MP8707EN-LF-Z | 5854 | MPS | 16+ | SOP |
MAP3202 | 3234 | MAGNACHIP | 16+ | SOP |
PS20660-MRZ | 200 | MITSUBISH | 05+ | モジュール |
PK55GB80 | 80 | SANREX | 12+ | モジュール |
BSM200GD60DLC | 368 | EUPEC | 14+ | モジュール |
LV8401V-TLM-E | 5128 | 16+ | SSOP | |
2DI150D-050C | 991 | 富士 | 14+ | モジュール |
QM50HA-H | 300 | MITSUBISH | 13+ | モジュール |
XC3S250E-4TQG144C | 1968年 | XILINX | 15+ | QFP144 |
CY7C68014A-100AXC | 1156 | CYPRESS | 15+ | QFP |
LP2985A-10DBVR | 4710 | チタニウム | 15+ | SOT-23-5 |
PB4350 | 10940 | 16+ | SOT-23 | |
M27C512-70XF1 | 4087 | ST | 16+ | すくい |
QM200DY-H | 250 | MITSUBISH | 12+ | モジュール |
ATTINY85-20PU | 500 | ATMEL | 14+ | DIP-8 |
A50L-0001-0284 | 100 | 富士 | 10+ | モジュール |
PC357N1TJ00F | 10000 | シャープ | 16+ | SOP |
2MBI150US-120-50 | 388 | 富士 | 14+ | モジュール |
2MBI75P-140 | 523 | 富士 | 12+ | モジュール |
LNK364PN | 4211 | 力 | 15+ | DIP-7 |
RA30H2127M | 200 | MITSUBISH | 12+ | モジュール |
CM110YE4-12F | 228 | MITSUBI | 15+ | モジュール |
MRF321 | 642 | MOT | 14+ | に55s |
A3972SB | 1000 | アレグロ | 13+ | DIP-24 |
MR4010 | 6253 | SHINDENGE | 16+ | TO220-7 |
PMD1000 | 5000 | アレグロ | 10+ | QFP-48 |
LTC2294IUP | 726 | LT | 15+ | QFN |
M30620FCAFP | 3750 | RENESAS | 16+ | QFP |
BT148W-600R | 10000 | 14+ | TO220 | |
MAX4312EEE+T | 3600 | 格言 | 14+ | QSOP |
LTC1967CMS8 | 1628 | 線形 | 15+ | MSOP |
PM200CLA120 | 100 | MITSUBISH | 05+ | MOUDLE |
MAX5160MEUA | 14950 | 格言 | 16+ | MSOP |
P89C51RC+JB | 1140 | フィリップス | 15+ | QFP |
MC68CK16Z1CAG16 | 3682 | FREESCALE | 15+ | QFP |
PBY201209T-601Y-S | 20000 | YAGEO | 16+ | SMD |
PACDN046M | 10620 | CMD | 16+ | MSOP8 |
XQ18V04VQ44N | 890 | XILINX | 14+ | QFP44 |
MAX17126BETM | 6650 | 格言 | 15+ | QFN |
CY20AAJ-8F | 500 | MIT | 10+ | SOP-8 |
LME49720MA | 2428 | NSC | 14+ | SOP-8 |
BL05A | 888 | 12+ | SOP-8 | |
BT4830 | 2322 | ブーム | 15+ | ジッパー |
BLF278 | 112 | 12+ | SOT-262 | |
M51996AFP | 3334 | RENESAS | 16+ | SOP |
M25PE20-VMN6TP | 4331 | ST | 16+ | SOP |
MB81F643242B-10FN | 6418 | 富士 | 15+ | TSSOP |
MPC5200CVR400B | 588 | FREESCALE | 14+ | BGA |
XC2C64A-7VQG44I | 200 | XILINX | 14+ | VQFP44 |
XC6SLX100-3CSG484I | 100 | XILINX | 15+ | BGA |
PESD3V3L5UY | 30000 | 16+ | SOT |
FDS4935BZ
30ボルトのP-ChannelのPowerTrench二重MOSFET
特徴
x – 6.9 A、– 30 V. RDS () = 22のm:
@ VGS = – 10ボルトRDS () = 35のm:
@ VGS = – 4.5ボルト
xは電池の塗布のためのVGSSの範囲を(– 25V)拡張した
x ESDの保護ダイオード(ノート3)
極端に低いRDSのためのxの高性能の堀の技術()
xの高い発電および現在の処理の機能
概説
このP-Channel MOSFETは同期か慣習的な切換えPWMのコントローラーおよび充電器を使用してDC/DCのコンバーターの全体的効率を改善するようにとりわけ設計されていた。
これらのMOSFETsは対等なRDSの()指定を含む他のMOSFETsより速い切換えそして低いゲート充満を特色にする。結果はより高い全体的効率の運転しが易く、安全(メートル波で)の、およびDC/DCの電源の設計であるMOSFET。
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Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
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9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
イメージ | 部分# | 記述 | |
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0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
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標準的:
MOQ:
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