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フォトトランジスターの出力が付いているCNY74-4Hの低い電力mosfet力Mosfetのトランジスター多重チャンネルオプトカプラー

メーカー:
製造者
記述:
光アイソレータ トランジスタ出力 5300Vrms 4 チャンネル 16-DIP
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
予備の電圧:
6ボルト
前方流れ:
60 mA
前方サージ電流:
1.5 A
電力損失:
100 MW
接合部温度:
125 °C
保管温度の範囲:
– 55から+125 °C
ハイライト:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

導入


CNY74-2/CNY74-4
フォトトランジスターの出力が付いている多重チャンネルオプトカプラー

記述
CNY74-2およびCNY74-4は光学的に8鉛のガリウム砒素の赤外線出るダイオードに、respつながれるフォトトランジスターから成っている。16個の鉛のプラスチック二重インライン パッケージ。要素は最も高い安全要求事項に入出力間の固定間隔を提供する同一平面上の技術に1つのleadframeに取付けられる。

適用
ガルバニックに分けられた回路、非相互作用のスイッチ。

特徴か。

  • CNY74-2は2つのアイソレーター チャネルを含んでいるか。
  • CNY74-4は4つのアイソレーター チャネルを含んでいるか。
  • DCの分離テスト電圧VIO = 2.5 kVか。
  • テスト クラス25/100/21 DIN 40 045か。
  • 低いカップリング キャパシタンス典型的な0.3 pFか。
  • 現在の移動比率(CTR)典型的な100%か。
  • CTRの低温係数か。
  • 広い周囲温度の範囲


絶対最高評価
単一のつながれたシステムのため

入力(エミッター)

変数テスト条件記号価値単位
予備の電圧 VR6V
前方流れ 60mA
前方サージ電流TPの≤ 10か。sIFSM1.5
電力損失Tambの≤ 25°CPV100MW
接合部温度 Tj125°C


出力(探知器)

変数テスト条件記号価値単位
コレクターのエミッターの電圧 VCEO70V
エミッターのコレクター電圧 VECO7V
コレクター流れ IC50mA
ピーク コレクター流れtp/T = 0.5のTPの≤ 10氏ICM100mA
電力損失Tambの≤ 25°CPV150MW
接合部温度 Tj125°C


カプラー

変数テスト条件記号価値単位
DCの分離テスト電圧 VIO 1)2.5V
全体の電力損失Tambの≤ 25°CPtot250MW
周囲温度の範囲 Tamb– 40から+100°C
保管温度の範囲 Tstg– 55から+125°C
はんだ付けする温度場合、tの≤ 10 sからの2つのmmTsd260°C

1)標準的な気候23/50 DIN 50 014に関連していて

ピン接続

標準的な提供(熱い販売法)

部品番号。Q'tyMFGD/Cパッケージ
AP891703987APLUS16+DIP-24
ADG708BRUZ3985広告15+TSSOP-16
ADV7623BSTZ3982広告14+LQFP144
AT29C256-70PI3981ATMEL14+DIP-28
ZTX1053A3980ZETEX15+TO-92S
LT3020EMS8#PBF3980線形14+MSOP-8
ATF-50189-BLK3975AVAGO15+SOT89
MBI5026GD3968MBI15+SOP
AD8630ARUZ3965広告14+TSSOP-14
LT1086CT-3.33961線形15+TO-220
ATMEGA32A-PU3952ATMEL15+DIP-40
ADL5544ARKZ3950広告15+SOT89
ADA4932-1YCPZ3940広告14+LFCSP-16
LP3875ES-ADJ3931NSC14+TO-263-5
ADL5536ARKZ3925広告14+SOT89
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AD8048AR3916広告14+SOP-8




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