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N - チャネル600 V 2.0か。オームrfの高い発電MosfetのトランジスターNDD04N60ZT4G

メーカー:
製造者
記述:
N-Channel 600 V 4.1A (Tc)の83W (Tc)表面の台紙DPAK
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiation
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
VDSS:
600ボルト
ID:
4.8- 4.1 A
IDM:
20 A
PD:
30- 83 W
Vgs:
±30 V
ハイライト:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

導入

N - チャネル600 V 2.0か。オームrfの高い発電MosfetのトランジスターNDD04N60ZT4G


特徴

•抵抗で低い

•低いゲート充満

•ESD Diode−Protectedのゲート

•100%のなだれはテストした

•これらの装置はPb−Freeの自由なハロゲンFree/BFR迎合的なRoHSである

注:

1. ASME Y14.5M 1994年ごとの寸法記入そしてTOLERANCING。2.制御次元:インチ。

3. 次元b3、L3およびZ.の内で任意熱パッドの輪郭。

4. 次元DおよびEは型のフラッシュ、突起、またはぎざぎざが含まれていない。型のフラッシュ、突起、またはゲートのぎざぎざは側面ごとの0.006インチを超過しない。

5. 次元DおよびEはプラスチック ボディの一番外の極端で定められる。

6. DATUMS AおよびBは基本水準面H.で定められる。

物品目録

OP07CSZ 10000 広告 16+ SOP
Z84C0010VEG 450 ZILOG 08+ PLCC-44
LM7805AZ 10000 WST 15+ TO-252
MJE18008G 68000 16+ TO-220
MAX3241EUI+T 1850 格言 16+ TSSOP
MT48LC4M16A2B4-6AIT:J 7282 ミクロン 14+ FBGA
MBM29F800BA-70PFTN 14812 冨士通 14+ TSSOP
MR4030 6267 SHINDENGE 14+ TO220-7
MS1649 6512 MSC 16+ CAN-3
LTM8032EV 843 線形 14+ LGA
MAX9917EUB 11518 格言 16+ MSOP
BTA208-800B 10000 14+ TO-220
6MBP75RA060 453 富士 15+ モジュール
XL6005E1 2000年 XLSEMI 15+ TO252-5L
LM565H 356 NSC 14+ CAN-10
MG15N6ES42 616 東芝 15+ モジュール
BH3854AS 450 ROHM 12+ DIP-32
XC3S1500-5FGG456C 200 XILINX 11+ BGA
NJM4558L 30000 JRC 16+ SIP-8
LA1823 3994 鳥取三洋電機 16+ DIP-24
PCA82C250T 11860 16+ SOP
P1553ABL 8700 LITTELFUS 16+ TO-220
PIC32MX795F512L-80I/PF 1500 マイクロチップ 15+ TQFP-100
MC7805CDTRK 10000 16+ SOT
LM4755T 975 NSC 14+ TO-263
M93C06-MN6T 10000 ST 16+ SOP
NAND128W3A2BN6E 5680 ST 16+ TSOP
PMEG3005EH 25000 15+ SOD-123
LA4270 2641 鳥取三洋電機 15+ ZIP-10
BTB24-600BWR 3389 ST 14+ TO-220
PKG4428PI 80 エリクソン 02+ SMD
LTC4252-2IMS 6402 線形 15+ MSOP-10
LA4445 6010 鳥取三洋電機 15+ SIP-12
PN100 5000 FSC 16+ TO-92
MAT01GH 2200 広告 15+
MIW3023 404 MINMAX 16+ すくい
ATXMEGA64A3-AU 500 ATMEL 10+ QFP64
ATXMEGA64A1-AU 1000 ATMEL 12+ TQFP100
LM2841XMKX-ADJ 3000 チタニウム 14+ TSOT-23-6
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