フィルター
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電子ICの破片
| イメージ | 部分# | 記述 | メーカー | 標準的 | RFQ | |
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2SC5242 3 PinのトランジスターNPNエピタキシアル ケイ素のトランジスター原物 |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 250 V 17 A 30MHz 130 W Through Hole TO-3P
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製造者
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原物3 PinのトランジスターBD249C-S NPN高い発電のトランジスター25A 125W |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 25 A 3 W Through Hole SOT-93
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製造者
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3つのPin力Mosfetモジュールの高度の加工技術IRL540NPBF |
N-Channel 100 V 36A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
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製造者
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BT136-600Eのサイリスタの製品カタログのトライアックの敏感なゲートの高い感受性 |
TRIAC Logic - Sensitive Gate 600 V 4 A Through Hole TO-220AB
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製造者
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堀力Mosfet IC IRF1404PBFは超低いオン抵抗を進めた |
N-Channel 40 V 202A (Tc) 333W (Tc) Through Hole TO-220AB
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製造者
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転換力MosfetのトランジスターIXFH60N50P3速く本質的な整流器 |
N-Channel 500 V 60A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
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製造者
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プラスチック ダーリントン補足力mosfetのケイ素力トランジスター2N6038 |
Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 60 V 4 A 40 W Through Hole TO-126
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製造者
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ケイ素PNPのエピタキシアル平面トランジスター、2SB1560可聴周波力mosfet |
バイポーラ（BJT） トランジスタ PNP - ダーリントン 150 V 10 A 50MHz 100 W スルーホール TO-3P
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製造者
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ケイ素PNPエピタキシアル平面の可聴周波力mosfet 2SB1560、 |
Bipolar (BJT) Transistor PNP - DarliCM GROUPon 150 V 10 A 50MHz 100 W Through Hole TO-3P
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製造者
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トライアックのケイ素3 Pinのトランジスター、二方向の三極管のサイリスタBTA16-800BW3G |
TRIAC Standard 800 V 16 A Through Hole TO-220AB
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製造者
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Switchmode力の整流器の超高速の整流器低い前方電圧8.0アンペアの50−600のボルトMur820g |
Diode 200 V 8A Through Hole TO-220-2
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製造者
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新しい及び元のケイ素NPNダーリントン力トランジスター2SD2390 |
Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 150 V 10 A 55MHz 100 W Through Hole TO-3P
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製造者
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SMPSの連続力IRLB3034PBFのHEXFET力Mosfet DCモーター ドライブ同期改正 |
N-Channel 40 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
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製造者
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NPNのエピタキシアル ケイ素のトランジスター力Mosfetのトランジスター2SC5200 |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole TO-264
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製造者
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ケイ素PNP力トランジスター（電力増幅器の塗布） 2SA1943 |
バイポーラ（BJT） トランジスタ PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W スルーホール TO-3P(L)
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製造者
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PNPのケイ素のアンプのトランジスター625mW BC557A |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 100 mA 150MHz 500 mW Through Hole TO-92
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製造者
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NPNの一般目的のトランジスターBC848B |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 100 mA 100MHz 200 mW Surface Mount SOT-23
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製造者
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新しい及び元のケイ素PNP力トランジスター、TO-220Cのパッケージ2SB861 |
Bipolar (BJT) Transistor
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製造者
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力MOSFET IRF740PBFのケイ素力トランジスター単一構成 |
N-Channel 400 V 10A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
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製造者
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HEXFET力MOSFETのケイ素力トランジスターIRF3205PBF |
N-Channel 55 V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
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製造者
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HEXFET力MOSFET IRFB4410ZPBF力Mosfetモジュール |
Nチャンネル 100 V 97A (Tc) 230W (Tc) スルーホール TO-220AB
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製造者
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2.0 AMPガラス不動態化された橋整流器KBPのパッケージKBP206G |
Bridge Rectifier Single Phase Standard 600 V Through Hole KBP
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製造者
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新しいオリジナルの高精度摂氏温度センサー LM35DT |
Temperature Sensor Analog, Local 0°C ~ 100°C 10mV/°C TO-220-3
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製造者
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基礎現在の5つのBD911 3 Pinのトランジスター ケイ素NPN力トランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 15 A 3MHz 90 W Through Hole TO-220
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製造者
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MUR1660CTGの集積回路の破片の超高速の整流器8.0アンペア、100−600ボルト |
Diode Array 1 Pair Common Cathode 600 V 8A Through Hole TO-220-3
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製造者
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TIP122力Mosfetのトランジスター補足のケイ素力のダーリントンのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 100 V 5 A 2 W Through Hole TO-220
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製造者
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BD140 3 Pinのトランジスター エピタキシアル平面PNPトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 1.5 A 1.25 W Through Hole SOT-32-3
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製造者
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BT137-800E 3 Pin Npn Smdのトランジスター トライアックの敏感なゲート |
TRIAC Logic - Sensitive Gate 800 V 8 A Through Hole TO-220AB
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製造者
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BTA16-800B 3 Pinのトランジスター標準のトライアック16Aのトライアック |
TRIAC Standard 800 V 16 A Through Hole TO-220AB
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製造者
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BT169D 3 Pinのトランジスター サイリスタの論理のレベル0.8A敏感なSCRs |
穴TO-92-3を通したSCR 400 V 800 mAの敏感なゲート
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製造者
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FGH60N60SFDTU力Mosfetモジュール600Vの60A視野絞りIGBT |
IGBT Field Stop 600 V 120 A 378 W Through Hole TO-247-3
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製造者
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FGA25N120ANTDTU力Mosfetのトランジスター新しい及び元の1200V NPTの堀IGBT |
IGBT NPT and Trench 1200 V 50 A 312 W Through Hole TO-3P
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製造者
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IRFI4020H-117P力MosfetのトランジスターDIGITALの音声MOSFET 200 V |
MOSFET アレイ 200V 9.1A 21W スルーホール TO-220-5 フルパック
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製造者
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BYG23M-E3/TRの超高速のなだれSMDの整流器の中国の製造者の新しい及び元の電子部品 |
ダイオード1000 V 1.5Aの表面の台紙DO-214AC （SMA）
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製造者
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BTA24-800BWのトランジスター25Aトライアックの中国の製造者の新しい及び元の電子部品 |
TRIAC Alternistor - Snubberless 800 V 25 A Through Hole TO-220
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製造者
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2SA1930+2SC5171 TO-220のトランジスター電力増幅器元のICの電子工学 |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 180 V 2 A 200MHz 2 W Through Hole TO-220NIS
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製造者
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2SA1943+2SC5200 TO-3PLのトランジスター ケイ素PNP力トランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole TO-3P(L)
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製造者
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2SK2010まさに高速転換の適用元のIC電子工学 |
4A, 250V, 0.7ohm, N-Channel MOSF
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製造者
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STM32F103VET6力Mosfetのトランジスター高密度性能ライン |
ARM® Cortex®-M3 STM32F1 Microcontroller IC 32-Bit Single-Core 72MHz 512KB (512K x 8) FLASH
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製造者
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2SD1047ケイ素NPN力トランジスター中国の製造者の新しい及び元の電子部品 |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 140 V 12 A 20MHz 100 W Through Hole TO-3P
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製造者
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SPW35N60CFD力Mosfetのトランジスター、CoolMOSTM力トランジスター |
N-Channel 600 V 34.1A (Tc) 313W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
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製造者
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NチャネルZenerは極度のMESHTM力MOSFET、STF13NK50Zを保護した |
N-Channel 500 V 11A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220FP
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製造者
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N - チャネルZenerはSuperMESH力⑩MosfetのトランジスターSTP10NK80ZFPを保護した |
N-Channel 800 V 9A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FP
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製造者
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TIP105トランジスター ソケット3ピン、ケイ素PNPダーリントン力トランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP - DarliCM GROUPon 60 V 8 A 2 W Through Hole TO-220
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製造者
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BUK9507-30Bの電子工学の構成のトランジスター力MosfetのトランジスターTrenchMOSの論理のレベルFET |
N-Channel 30 V 75A (Tc) 157W (Tc) Through Hole TO-220AB
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製造者
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STP10NK70ZFP電気IC力MosfetのトランジスターN-CHANNELによってZener保護されるSuperMESHPower⑩ MOSFET |
N-Channel 700 V 8.6A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220FP
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製造者
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TIP2955力mosfetの低い電力mosfetを転換する補足力トランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 15 A 90 W Through Hole TO-247-3
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製造者
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SPA04N60C3XKSA1 npnのdarliCM GROUPon力トランジスター力Mosfetのトランジスター涼しいMOS™力トランジスター |
N-Channel 650 V 4.5A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
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製造者
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STP20NM50FPのnpnのdarliCM GROUPon力トランジスター力MosfetのトランジスターN-CHANNEL MDmeshか。力MOSFET |
N-Channel 550 V 20A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220FP
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製造者
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STP20NM60FPのnpnの一般目的のトランジスター力MosfetのトランジスターN-CHANNEL MDmeshか。力MOSFET |
N-Channel 600 V 20A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220FP
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製造者
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