ケイ素PNPエピタキシアル平面の可聴周波力mosfet 2SB1560、
メーカー:
製造者
記述:
Bipolar (BJT) Transistor PNP - DarliCM GROUPon 150 V 10 A 50MHz 100 W Through Hole TO-3P
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiation
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
Package:
TO-3PN
Applications:
Audio ,regulator and general purpose
ハイライト:
npn smd transistor
,multi emitter transistor
導入
ケイ素PNPエピタキシアル平面の可聴周波力mosfet 2SB1560、
ダーリントン2SB1560
ケイ素PNPのエピタキシアル平面トランジスター（2SD2390をタイプする補足物）
| PIN | 記述 |
| 1 | 基盤 |
| 2 | コレクター;に接続される 基盤の取付け |
| 3 | エミッター |
| 記号 | 変数 | 条件 | 価値 | 単位 |
| VCBO | Collector-base電圧 | 開いたエミッター | -160 | V |
| VCEO | Collector-emitter電圧 | 開いた基盤 | -150 | V |
| VEBO | Emitter-base電圧 | 開いたコレクター | -5 | V |
| IC | コレクター流れ | -10 | ||
| IB | 基礎流れ | 1 | ||
| PC | コレクターの電力損失 | TC =25℃ | 100 | W |
| Tj | 接合部温度 | 150 | ℃ | |
| Tstg | 保管温度 | -55~150 | ℃ |
| 記号 | 変数 | 条件 | 分 | タイプ。 | MAX | 単位 |
| V （BR） CEO | Collector-emitterの絶縁破壊電圧 | IC =-30mA;IB =0 | -150 | V | ||
| VCEsat | Collector-emitterの飽和電圧 | IC =-7A;IB =-7mA | -2.5 | V | ||
| VBEsat | Base-emitterの飽和電圧 | IC =-7A;IB =-7mA | -3.0 | V | ||
| ICBO | コレクタ遮断電流 | VCB =-160V;IE =0 | -100 | μA | ||
| IEBO | エミッターの締切りの流れ | VEB =-5V;IC =0 | -100 | μA | ||
| hFE | DCの現在の利益 | IC =-7A;VCE =-4V | 5000 | |||
| 穂軸 | 出力キャパシタンス | IE =0;VCB =10V;f=1MHz | 230 | pF | ||
| fT | 転移の頻度 | IC =-2A;VCE =-12V | 50 | MHz | ||
| 転換の時 | ||||||
| トン | Turn-on時間 |
IC =-7A;RL =10Ω |
0.8 | μs | ||
| TS | 貯蔵時間 | 3.0 | μs | |||
| tf | 落下時間 | 1.2 | μs | |||
| O | P | Y |
| 5000-12000 | 6500-20000 | 15000-30000 |
パッケージの輪郭
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MOQ:
20