STM32F103VET6力Mosfetのトランジスター高密度性能ライン
multi emitter transistor
,silicon power transistors
STM32F103xC STM32F103xD STM32F103xE
512KBフラッシュへの256の高密度性能ライン腕ベースの32ビットMCU、USB、缶、11のタイマー、3つのADCsの13の通信用インタフェース
特徴
■中心:腕32ビットCortex™ M3 CPU
–最高の頻度72のMHzの、0の待ち状態の1.25 DMIPS/MHz （Dhrystone 2.1）の性能
メモリー アクセス
–単一周期乗法およびハードウェア部
■記憶
–フラッシュ・メモリの256から512 Kバイト
– SRAMの64 Kバイトまで
–選り抜き4破片が付いている適用範囲が広く静的な記憶コントローラー。サポート密集したフラッシュ、SRAM、PSRAM、
そして否定論履積の記憶
– LCDのパラレル インターフェイス、モード8080/6800の
■時計、調整および補給管理
– 2.0から3.6ボルトの適用供給およびI/Os
– POR、PDRおよびプログラム可能な電圧探知器（PVD）
– MHzの水晶発振子4に16…
–内部8つのMHzによって工場整えられるRC
–口径測定の内部40のkHz RC
–口径測定のRTCのための32のkHzの発振器
■低い電力
–睡眠、停止および待機モード
– RTCおよびバックアップ記録のためのVBATの供給
■3つの× 12ビット、1 µs A/Dのコンバーター（21までのチャネル）
–転換の範囲:0から3.6ボルト
–三重サンプルおよび把握機能
–温度検出器
■2つの× 12ビットD/Aコンバーター
■DMA:12チャネルのDMAコントローラー
–支えられたペリフェラル:タイマー、ADCs、DAC、SDIO、I2Ss、SPIs、I2CsおよびUSARTs
■モードをデバッグしなさい
–連続ワイヤーは（SWD）デバッグしたり及びJTAGインターフェイス
–皮質M3は跡Macrocell™を埋め込んだ
■112までの速い入力/出力の港
– 16の外部割込み機構のベクトルの51/80/112 I/Os、すべてのmappableおよびV耐久性があるほとんどすべての5
■11までのタイマー
– 4つまでの16ビットのタイマー、4つまでのIC/OC/PWMまたはパルスカウンター装置および求積法とのそれぞれ
（増加）エンコーダーの入力
– 2つの×の16ビットの死時間の生成および非常停止が付いているPWMのタイマーを運動制御
– 2つの×のウォッチドッグ タイマー（独立者および窓）
– SysTickのタイマー:24ビットdowncounter
– DACを運転する2つの×の16ビットの基本的なタイマー
■13までの通信用インタフェース
– 2つまでの× I2Cインターフェイス（SMBus/PMBus）
– 5までUSARTs （ISO 7816インターフェイス、林のIrDAの機能、変復調装置制御）
– 3つまでSPIs （18のMbit/s）、I2Sインターフェイスとの2多重型になった
–缶インターフェイス（2.0B能動態）
– USB 2.0の全速力インターフェイス
– SDIOインターフェイス
■CRCの計算の単位、96ビット独特なID
■ECOPACK®のパッケージ
記述
STM32F103xC、STM32F103xDおよびSTM32F103xEの性能ライン家族は72のMHzの頻度、高速埋め込まれた記憶（フラッシュ・メモリ512までKバイトおよびSRAM 64 Kバイトまで）、および2台のAPBバスに接続される高められたI/Osおよびペリフェラルの広範な範囲で作動する高性能ARM® Cortex™ M3 32ビットRISCの中心を組み込む。すべての装置は3 12ビットADCs、2つのPWMのタイマーと4つの一般目的の16ビットのタイマー、また標準的な、高度の通信用インタフェースを提供する:2までI2Cs、3 SPIs、2 I2Ss、1 SDIO、5 USARTs、USBはでき。
STM32F103xxの高密度性能ライン家族は2.0から3.6ボルトの電源からの– 40から+105の°Cの温度較差で、作動する。パワー セービング モードの総合セットはローパワー適用の設計を可能にする。
これらの特徴はSTM32F103xxに高密度性能ライン マイクロ制御回路家族をモーター ドライブ、適用制御、医学および手持ち型装置、PCおよび賭博ペリフェラル、GPSのプラットホーム、産業適用、PLCs、インバーター、プリンター、走査器、警報システムのビデオ通話装置およびHVACのような広い応用範囲のために適したようにする。
電圧特徴
| 記号 | 評価 | 分 | 最高 | 単位 |
| VDD-VSS | 外的な主要補給の電圧（を含むVDDAおよびVDD） （1） | – 0.3 | 4.0 | V |
| VIN （2） | 5ボルトの耐久性があるピンの入れられた電圧 | VSSの− 0.3 | VDD + 4.0 | V |
| 他のピンの入れられた電圧 | VSSの− 0.3 | 4.0 | V | |
| |ΔVDDx | 異なるVDD力ピンの間の変化 | 50 | mV | |
| |VSSXの− VSS| | すべての異なる地上ピンの間の変化 | 50 | mV | |
| VESD （HBM） | 静電放電の電圧（人体モデル） |
1. すべての主力（VDD、VDDA）およびひかれた（VSS、VSSA）ピンは許可された範囲の外部電源に、常に接続されなければならない。– 0.3の4.0ボルトVIN （2）
2. VINの最高は常に尊重されなければならない。
標準的な提供（熱い販売法）
| 部品番号。 | Q'ty | MFG | D/C | パッケージ |
| MD-2800-D08 | 6650 | M-SYSTEMS | 00+ | DIP-32 |
| LM78L05ACMX | 6643 | NSC | 14+ | SOP-8 |
| MC9S08PA4VWJ | 6632 | FREESCALE | 14+ | SOP |
| ADM707ARZ | 6624 | 広告 | 15+ | SOP8 |
| MAX3045BCSE+ | 6615 | 格言 | 13+ | SOP |
| LT3514EUFD | 6607 | 線形 | 15+ | QFN |
| PIC16C620A-20/SO | 6601 | マイクロチップ | 14+ | SOP |
| LA1823 | 6600 | 鳥取三洋電機 | 13+ | DIP-24 |
| ATMEGA8-16AU | 6590 | ATMEL | 16+ | QFP32 |
| ATMEGA8-16AU | 6590 | ATMEL | 16+ | QFP32 |
| PIC16F689-I/SS | 6570 | マイクロチップ | 14+ | SSOP |
| ATMEGA8A-MU | 6560 | ATMEL | 15+ | QFN32 |
| MAX16052AUT+T | 6555 | 格言 | 15+ | SOT |
| ADM211EARSZ-REEL | 6554 | 広告 | 14+ | SSOP28 |
| L4974A | 6550 | ST | 15+ | DIP-20 |
| A4988SETTR-T | 6550 | アレグロ | 15+ | QFN-28 |
| 52271-1069 | 6532 | MOLEX | 15+ | コネクター |
| L4972A | 6525 | ST | 13+ | DIP20 |
| 52271-0679 | 6520 | MOLEX | 15+ | コネクター |
| PIC10F200T-I/OT | 6500 | マイクロチップ | 14+ | SOT |
| MBM29F400BC-90PFVGTSFLE1 | 6500 | SPANSION | 12+ | SOP44 |
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード
| イメージ | 部分# | 記述 | |
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0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
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200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
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22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
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MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
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2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
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IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
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DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
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PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
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SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
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SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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