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BD140 3 Pinのトランジスター エピタキシアル平面PNPトランジスター

メーカー:
製造者
記述:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 1.5 A 1.25 W Through Hole SOT-32-3
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiation
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
VCBO:
-100 V
VCEO:
VCEO -80 V
VEBO:
-5 V
IC:
-1.5 A
IB:
-0.5 A
ハイライト:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

導入

一般目的の適用。

特徴

·高い流れ。(最高。:-1.5A)

·DCの現在の利益:hFE=40Min.@IC=-0.15A

·BD139に補足。

最高の評価(Ta=25℃)

特徴 記号 評価 単位
Collector-Base電圧 VCBO -100 V
Collector-Emitter電圧 VCEO -80 V
Emitter-Base電圧 VEBO -5 V
コレクター流れ IC -1.5
基礎流れ IB -0.5

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