メッセージを送る
> 製品 > 電子ICの破片 > BUK9507-30Bの電子工学の構成のトランジスター力MosfetのトランジスターTrenchMOSの論理のレベルFET

BUK9507-30Bの電子工学の構成のトランジスター力MosfetのトランジスターTrenchMOSの論理のレベルFET

メーカー:
製造者
記述:
N-Channel 30 V 75A (Tc) 157W (Tc) Through Hole TO-220AB
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
drain-source voltage:
30 V
drain-gate voltage:
30 V
gate-source voltage:
±15 V
ピーク下水管の流れ:
435 A
total power dissipation:
157 W
storage temperature:
−55 to +175 °C
ハイライト:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

導入

BUK95/9607-30B

TrenchMOS™の論理のレベルFET

記述

フィリップス高性能自動車(HPA) TrenchMOS™の技術を使用してプラスチック パッケージのN-channelの強化モードfield-effect力トランジスター。

製品納期情報:

SOT78 (TO-220AB)のBUK9507-30B

SOT404 (D2-PAK)のBUK9607-30B。

特徴

低いオン州の抵抗

■迎合的なQ101

■175 °Cは評価した

■互換性がある論理のレベル。

適用

自動車システム

■12のVの負荷

■モーター、ランプおよびソレノイド

■一般目的力の切換え。

即時参考データ

EDS (AL) Sの≤ 327 mJ

■RDSon = 5.9 mΩ (タイプ)

■IDの≤ 75 A

■Ptotの≤ 157 W。

限界値

絶対最高評価システム(IEC 60134)に従って。

記号 変数 条件 最高 単位
VDS 下水管源の電圧(DC) - 30 V
VDGR 下水管ゲートの電圧(DC) RGS = 20 kΩ - 30 V
VGS ゲート源の電圧(DC) - ±15 V
ID 下水管の流れ(DC)

Tmb = 25 °C;VGS = 5ボルト;

図2および3

[1] - 108
[2] - 75

Tmb = 100 °C;VGS = 5ボルト;

図2

[1] - 75
IDM ピーク下水管の流れ

Tmb = 25 °C;脈打つ;TPの≤ 10のµs;

図3

- 435
Ptot 全体の電力損失 Tmb = 25 °C;図1 - 157 W
Tstg 保管温度 -55 +175 °C
Tj 接合部温度 -55 +175 °C

[1つの]流れは電力損失の破片の評価によって限られる。

[2]連続的な流れはパッケージによって限られる。

標準的な提供(熱い販売法)

部品番号。 Q'ty MFG D/C パッケージ
AT42QT1040-MMH 4187 ATMEL 15+ VQFN-20
LMV7219M5X 4183 NSC 14+ SOT-23-5
AT90USB1286-AU 4182 ATMEL 15+ QFP64
BUH517 4182 ST 14+ TO-3P
PIC16F913-I/SS 4178 マイクロチップ 14+ SSOP
MAR9109PD 4175 ST 14+ SSOP
LTC1665CGN#PBF 4169 線形 14+ SSOP
MBI5026GP 4166 MBI 15+ SSOP
AD8362ARUZ 4158 広告 15+ TSSOP-16
LNK605DG 4156 15+ DIP-7
AD8495ARMZ 4156 広告 15+ MSOP-8
M66005-0001AFP 4150 RENESAS 15+ SSOP
ADM206AR 4149 広告 15+ SOP24
AD5246BKSZ100-RL7 4139 広告 15+ SOT23
AD5621AKSZ-REEL7 4133 広告 15+ SC70-6
AD820ARMZ 4133 広告 14+ MSOP-8
M61530FP 4125 MIT 13+ SSOP
LPC1342FHN33 4122 15+ HVQFN33
LP2980IM5X-5.0 4121 NSC 14+ SOT-23-5
LP2950CZ-3.3 4121 NSC 15+ TO-92
AD9235BCPZ-40 4121 広告 14+ FCSP-72

関連製品
イメージ 部分# 記述
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL

0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける

200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業

22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路

MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター

2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A

IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード

DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123

PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC

SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード

SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
RFQを送りなさい
標準的:
MOQ:
10pcs