STP20NM50FPのnpnのdarliCM GROUPon力トランジスター力MosfetのトランジスターN-CHANNEL MDmeshか。力MOSFET
npn smd transistor
,silicon power transistors
STB20NM50 - STB20NM50-1
STP20NM50 - STP20NM50FP
N-CHANNEL 550V@Tjmax - 0.20Ω - 20A - TO220/FP-Dの² PAK-Iの²朴
SuperMESH™ Zener保護されたMOSFET
概要の特徴
タイプ | VDSS (最高@Tj) | RDS () | ID |
STB20NM50 STB20NM50-1 STP20NM50 STP20NM50FP |
550ボルト 550ボルト 550ボルト 550ボルト |
<0> <0> <0> <0> |
20 A 20 A 20 A 20 A |
■高いdv/dtおよびなだれの機能
■100%のなだれはテストした
■低い入れられたキャパシタンスおよびゲート充満
■低いゲートの入力抵抗
記述
MDmesh™は会社のPowerMESH™horizontalのレイアウトと多数の下水管プロセスを関連付ける新しい革命的なMOSFETの技術である。生じるプロダクトに顕著で低いオン抵抗、印象的に高いdv/dtおよび優秀ななだれの特徴および動的パフォーマンスがある。
適用
MDmesh™家族は高圧コンバーターの増加する出力密度のために非常に適してシステム小型化のandhiherの効率を許可する。
絶対最高評価
記号 | 変数 | 価値 | 単位 | |
TO-220/Dの² PAK/Iの²朴 | TO-220FP | |||
VGS | ゲート源の電圧 | ± 30 | V | |
ID | 現在を(連続的)でTC = 25°C流出させなさい | 20 | 20 (ノート3) | |
ID | 現在を(連続的)でTC = 100°C流出させなさい | 12.6 | 12.6 (ノート3) | |
IDMのノート2 | 下水管の流れ(脈打つ) | 80 | 80 (ノート3) | |
PTOT | 総消滅のTC = 25°C | 192 | 45 | W |
要因の軽減 | 1.2 | 0.36 | With°C | |
dv/dtのノート1 | ピーク ダイオードの回復電圧斜面 | 15 | V/ns | |
VISO | 絶縁材の抵抗Volatge (DC) | - | 2000年 | V |
Tj Tstg |
作動の接合部温度 保管温度 |
-65から150 | °C |
パッケージ
内部図式的な図表
標準的な提供(熱い販売法)
部品番号。 | Q'ty | MFG | D/C | パッケージ |
LM4652TF | 1435 | NSC | 13+ | ZIP-15 |
PIC24FJ64GB106-I/PT | 4118 | マイクロチップ | 16+ | TQFP |
LM4651N | 1543 | NSC | 14+ | DIP-28 |
PC3H711NIP | 30000 | シャープ | 16+ | SOP |
PC3Q67QJ000F | 11500 | シャープ | 16+ | SOP |
MC68302PV16C | 3628 | MOT | 10+ | QFP |
LMH0356SQE | 437 | チタニウム | 15+ | WQFN-48 |
LMH0036SQE | 1226 | NSC | 12+ | LLP |
CY7B1399B-15VC | 500 | CYPRESS | 01+ | SOJ |
MAX3232EEUE+T | 11450 | 格言 | 16+ | TSSOP |
PIC18F66K22-I/PT | 4308 | マイクロチップ | 14+ | QFP |
PESD5V0S1BA | 25000 | 16+ | 芝地 | |
NUP5150MUTBG | 5340 | 16+ | QFN | |
CS4954-CQZR | 2476 | 毛状突起 | 10+ | TQFP-48 |
MIC2951-02YM | 6460 | MICREL | 11+ | SOP |
MUR1620CTG | 10000 | 16+ | TO-220 | |
MKL25Z128VLK4 | 1070 | FREESCALE | 14+ | LQFP |
BD82H61 SLJ4B | 340 | INTEL | 13+ | BGA |
MBR0540T1G | 20000 | 15+ | SOD-123 | |
SAP16PO | 300 | SANKEN | 06+ | TO-3P |
M48T02-120PC1 | 3607 | ST | 15+ | すくい |
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード
イメージ | 部分# | 記述 | |
---|---|---|---|
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
|
||
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
|
||
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
|
||
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
|
||
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
|
||
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
|
||
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
|
||
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
|
||
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
|
||
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
|