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STP10NK70ZFP電気IC力MosfetのトランジスターN-CHANNELによってZener保護されるSuperMESHPower⑩ MOSFET

メーカー:
製造者
記述:
N-Channel 700 V 8.6A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220FP
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
Drain-source Voltage (VGS = 0):
700 V
Drain-gate Voltage (RGS = 20 kΩ):
700 V
Gate- source Voltage:
± 30 V
ゲートの源ESD (HBM-C=100pF、R=1.5KΩ):
4000のKV
Peak Diode Recovery voltage slope:
4.5 V/ns
Storage Temperature:
-55 to 150 °C
ハイライト:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

導入


STP10NK70Z STP10NK70ZFP
N-CHANNEL 700V - 0.75Ω - 8.6A TO-220/TO-220FP
SuperMESH™Power Zener保護されたMOSFET

タイプVDSSRDS ()IDPw

STP10NK70Z

STP10NK70ZFP

700ボルト

700ボルト

< 0="">

< 0="">

8.6 A

8.6 A

150 W

35 W

■典型的なRDS () = 0.75のΩ
■非常に高いdv/dtの機能
■改善されたESDの機能
■100%のなだれは評価した
■ゲート充満は最小になった
■まさに低く本質的なキャパシタンス
■まさによい製造REPEATIBILITY

記述
SuperMESH™シリーズはSTの確立したstripbased PowerMESH™のレイアウトの極度な最適化によって得られる。オン抵抗をかなり押下げることに加えて最もデマンドが高い適用のための非常によいdv/dtの機能を保障するために、特別な注意は取られる。そのようなシリーズはMDmesh™革命的なプロダクトを含む高圧MOSFETsのフル レンジSTを補足する。

適用
高い流れ、高速切換え
■オフ・ラインの電源、アダプターおよびPFCのための理想

絶対最高評価

記号変数価値単位
STP10NK70ZSTP10NK70ZFP
VDS下水管源の電圧(VGS = 0)700V
VDGR下水管ゲートの電圧(RGS = 20 kΩ)700V
VGSゲート源電圧± 30V
ID現在を(連続的)でTC = 25°C流出させなさい8.68.6 (*)
ID現在を(連続的)でTC = 100°C流出させなさい5.45.4 (*)
IDM (•か。)下水管の流れ(脈打つ)3434 (*)
PTOT総消滅のTC = 25°C15035W
要因の軽減1.200.28With°C
VESD (G-S)ゲートの源ESD (HBM-C=100pF、R=1.5KΩ)4000KV
dv/dt (1)ピーク ダイオードの回復電圧斜面4.5V/ns
VISO絶縁材の抵抗電圧(DC)-2500V

Tj

Tstg

作動の接合部温度

保管温度

-55から150

-55から150

°C

°C

(•か。)安全運転区域限られる脈拍幅
(1) ISD ≤8.6A、di/dt ≤200A/µsのVDDの≤ V (BR) DSSのTjの≤ TJMAX。
(*)割り当てられた最高温度がによってだけ限った



標準的な提供(熱い販売法)

部品番号。Q'tyMFGD/Cパッケージ
MTD1361F7506SHINDENGE10+HSOP
8050HQLT1G1000015+SOT23
L6470HTR1299ST14+TSSOP
LM5576MHX2483NSC14+TSSOP-20
LT3971EMSE-5#PBF3866LT16+MSOP
MOC3063SR2M5567FSC14+SOP
OPA4141AID7700チタニウム12+SOP
PC2SD11NTZAK11300シャープ13+すくい
MMBT2907A-7-F20000ダイオード16+SOT-23
MCP1700T-3302E/TT10000マイクロチップ16+SOT-23
PIC10F202T-I/OT8950マイクロチップ16+SOT
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