フィルター
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電子ICの破片
| イメージ | 部分# | 記述 | メーカー | 標準的 | RFQ | |
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TN0200K-T1-E3 パワー MOSFET トランジスタ N チャネル 20 V (D-S) MOSFET |
N-Channel 20 V 730mA (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
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製造者
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STP65NF06 パワー MOSFET トランジスタ N チャネル DPAK/TO-220 パワー MOSFET |
N-Channel 60 V 60A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
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製造者
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SUM110P06-07L-E3 トランジスタ P チャネル 60 V (D-S) 175 度摂氏 MOSFET |
P-Channel 60 V 110A (Tc) 3.75W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak
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製造者
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TIP102 Mosfet トランジスタ相補型シリコンパワーダーリントントランジスタ |
Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 100 V 8 A 2 W Through Hole TO-220
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製造者
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BYV26EGP-E3/73 パワー Mosfet トランジスタ ガラス不動態化超高速整流器 |
Diode 1000 V 1A Through Hole DO-204AC (DO-15)
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製造者
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BF422 Npn シリコン プレーナ エピタキシャル トランジスタ 低電力 MOSFET トランジスタ N チャネル MOSFET |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 250 V 50 mA 60MHz 830 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
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製造者
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2N7002DW-7-F デュアル N チャネルエンハンスメントモード電界効果トランジスタ |
Mosfet Array 60V 230mA 310mW Surface Mount SOT-363
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製造者
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第 2 世代パワー Mosfet トランジスタ STW21NM60N N チャンネル 600V 0.19 Ω - 17 A |
N-Channel 600 V 17A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-247-3
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製造者
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ハイパワー MOSFET トランジスタ IRFP064NPBF HEXFET パワー MOSFET |
N-Channel 55 V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-247AC
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製造者
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TLP291-4 パワー Mosfet トランジスタ フォトカプラ GaAs IRED およびフォト - トランジスタ |
Optoisolator Transistor Output 2500Vrms 4 Channel 16-SO
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製造者
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フォトトランジスターの出力が付いているTCMT4100オプトカプラー 一般目的mosfet |
Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 4 Channel 16-SOP
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製造者
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1.5KE7.5CA 1500W アキシャルリード過渡電圧アッププレッサ - 6.8V-440V 高電圧 |
11.3V Clamp 132A Ipp Tvs Diode Through Hole DO-201AD
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製造者
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1N4148 高速スイッチング ダイオード 電力整流ダイオード 高電圧整流ダイオード |
Diode 100 V 200mA Through Hole DO-35
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製造者
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MJE15030G 8 アンペア パワー トランジスタ 相補型シリコン 120 ～ 150 ボルト、50 ワット |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 150 V 8 A 30MHz 50 W Through Hole TO-220
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製造者
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サイリスタ BT151-650R |
SCR 650 V 12 A Standard Recovery Through Hole TO-220AB
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製造者
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スナバレス⑩、ロジックレベル＆スタンダード BTA06-600B |
TRIAC Alternistor - Snubberless 600 V 6 A Through Hole TO-220
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製造者
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1線式デジタル温度計 DS1820 |
Temperature Sensor Digital, Local -55°C ~ 125°C 9 b TO-92-3
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製造者
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新品およびオリジナル NPN/PNP プラスチック パワー トランジスタ BDX34C |
Bipolar (BJT) Transistor PNP - DarliCM GROUPon 100 V 10 A 70 W Through Hole TO-220
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製造者
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200V NチャンネルMOSFET FQP32N20C |
N-Channel 200 V 28A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-220-3
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製造者
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BT151-500R N チャンネル MOS FET NPN エピタキシャル シリコン トランジスタ 3 ピン トランジスタ サイリスタ |
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製造者
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FQPF10N20C ハイパワー MOSFET トランジスタ パワー MOSFET IC パワー MOSFET トランジスタ 200V N チャネル MOSFET |
N-Channel 200 V 9.5A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F-3
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製造者
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BTA24-600BWRG力mosfetモジュール25標準およびSnubberlessのトライアック |
TRIAC Alternistor - Snubberless 600 V 25 A Through Hole TO-220
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製造者
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IRLL110TRPBF パワー MOSFET ic トランジスタ電気 IC スイッチング パワー MOSFET |
N-Channel 100 V 1.5A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount SOT-223
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製造者
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IRLML6401TRPBF パワー MOSFET トランジスタ P チャネル HEXFET パワー MOSFET |
P-Channel 12 V 4.3A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
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製造者
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MTP16N25E パワー MOSFET トランジスタ TMOS E–FET パワー電界効果トランジスタ |
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製造者
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TYN1012RG パワー MOSFET トランジスタ センシティブおよびスタンダード (12A SCR) |
SCR 1 kV 12 A Standard Recovery Through Hole TO-220
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製造者
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2N2222A パワー MOSFET トランジスタ NPN スイッチング トランジスタ 高速スイッチ |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 800 mA 300MHz 500 mW Through Hole TO-18
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製造者
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2SC945 オーディオ周波数アンプ高周波 OSC Npn トランジスタ |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 150 mA 150MHz 400 mW Through Hole TO-92
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製造者
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AO4620力Mosfetのトランジスター補足の強化モード電界効果トランジスタ |
Mosfet Array 30V 2W Surface Mount 8-SOIC
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製造者
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AON7403 パワーMOSFET P チャネルエンハンスメントモード電界効果トランジスタ |
P-Channel 30 V 11A (Ta), 29A (Tc) 3.1W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)
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製造者
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BCP51 パワー MOSFET トランジスタ 45 V、1 A PNP 中電力トランジスタ |
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製造者
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BCP54 パワーMOSFET IC トランジスタ NPN 汎用アンプ トランジスタ |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 1.5 A 1.5 W Surface Mount SOT-223-4
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製造者
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BUK9508-55A パワー MOSFET トランジスタ TrenchMOS ロジック レベル FET |
N-Channel 55 V 75A (Tc) 253W (Tc) Through Hole TO-220AB
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製造者
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HUF75645P3 パワー MOSFET モジュール N チャネル、UltraFET パワー MOSFET |
N-Channel 100 V 75A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-220-3
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製造者
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BCX56-16,147 パワーMOSFET IC トランジスタ NPN シリコンプレーナ中型パワートランジスタ |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 180MHz 1.25 W Surface Mount SOT-89
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製造者
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BT152-500R パワー MOSFET トランジスタ SCR サイリスタ 20A 500V |
SCR 500 V 20 A Standard Recovery Through Hole TO-220AB
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製造者
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FDN337N N チャネルロジックレベルエンハンスメントモード電界効果トランジスタ |
N-Channel 30 V 2.2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
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製造者
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IRF1010EPBF パワー MOSFET トランジスタ高速スイッチング HEXFET パワー MOSFET |
N-Channel 250 V 46A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
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製造者
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IRFB4229PBF力MosfetモジュールPDPスイッチN-Channel MOSFETのトランジスター |
N-Channel 250 V 46A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
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製造者
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MJD340TF 高電圧パワートランジスタ D-PAK スイッチングパワー MOSFET |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 500 mA 1.56 W Surface Mount D-Pak
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製造者
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IRFZ34NPBF力Mosfetのトランジスター電気IC HEXFET力MOSFET |
N-Channel 55 V 29A (Tc) 68W (Tc) Through Hole TO-220AB
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製造者
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2SK2414-AZ スイッチング N チャネル パワー Mos Fet 産業用 Npn エピタキシャル シリコン トランジスタ |
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製造者
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4N33M 汎用パワー mosfet ic 6 ピンフォトダーリントンオプトカプラ MOS フィールド |
Optoisolator DarliCM GROUPon with Base Output 4170Vrms 1 Channel 6-DIP
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製造者
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IXFX27N80Q パワー MOSFET トランジスタ HiPerFET パワー MOSFET Q-CLASS |
N-Channel 800 V 27A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
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製造者
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MMBTA92LT1G パワー MOSFET トランジスタ高電圧トランジスタ (PNP シリコン) |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 300 V 500 mA 50MHz 300 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
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製造者
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PZT2222A パワーMOSFET トランジスタ NPN 汎用アンプ |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 600 mA 300MHz 1 W Surface Mount SOT-223
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製造者
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TPC8111 電界効果パワーMOSFET トランジスタ シリコン P チャネル MOS タイプ HEXFET パワー MOSFET |
P-Channel 30 V 11A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
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製造者
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PZT2907A パワーMOSFET トランジスタ Si エピタキシャル プレーナ スイッチング トランジスタ |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 600 mA 200MHz 1 W Surface Mount SOT-223
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製造者
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SIHG20N50C パワー MOSFET トランジスタ高電圧パワー MOSFET |
N-Channel 500 V 20A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC
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製造者
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SMD パワー Mosfet モジュール L7812CV TO-220 パワートランス電子部品 |
Linear Voltage Regulator IC Positive Fixed 1 Output 1.5A TO-220
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製造者
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