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キーワード [ epitaxial planar pnp transistor ] マッチ 27 製品.
イメージ | 部分# | 記述 | メーカー | 標準的 | RFQ | |
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2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター |
両極(BJT)トランジスターPNP 60 V 3 50MHz 1 Wの表面の台紙D朴
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220AB高性能への穴を通したD45H8 NPN PNPのトランジスター60V 10A 50W |
穴TO-220を通した両極(BJT)トランジスターPNP 60 V 10 A 50 W
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FMMT734TAダーリントンNPN PNPのトランジスター140MHz 625mW表面の台紙のSOT 23 3 |
両極(BJT)トランジスターPNP -ダーリントン100ボルト800 mA 140MHz 625 MWの表面の台紙SOT-23-3
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BSH201,215 NPN PNPのトランジスターPチャネル60V 300mA (Ta)の417mW (Ta)表面の台紙 |
P-Channel 60 V 300mA (Ta)の417mW (Ta)表面の台紙TO-236AB
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2N7002PW表面の台紙NPN PNPのトランジスターNチャネル60V 310mA (Ta) 260mW |
N-Channel 60 V 315mA (Ta)の260mW (Ta)表面の台紙SOT-323
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2SD1899 NPN PNPのトランジスター ケイ素の物質的で低いコレクターの飽和電圧 |
穴TO-220を通した両極(BJT)トランジスターPNP 60 V 10 A 50 W
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2SD2227STPW 50V DC 0.15Aの一般目的のトランジスターNPNタイプ単一構成 |
穴SPTを通って両極(BJT)トランジスターNPN 50 V 150 mA 250MHz 300 MW
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PIMN31,115 NPN / PNP レジスタ 装備 トランジスタ 500 MA 50V デュアルゲート トランジスタ |
プレバイアスバイアス (BJT) 2 NPN - プレバイアス (ダブル) 50V 500mA 420mW 表面マウント 6-TSOP
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BD140 3 Pinのトランジスター エピタキシアル平面PNPトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 1.5 A 1.25 W Through Hole SOT-32-3
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PZT2907A パワーMOSFET トランジスタ Si エピタキシャル プレーナ スイッチング トランジスタ |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 600 mA 200MHz 1 W Surface Mount SOT-223
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ケイ素PNPエピタキシアル平面の可聴周波力mosfet 2SB1560、 |
Bipolar (BJT) Transistor PNP - DarliCM GROUPon 150 V 10 A 50MHz 100 W Through Hole TO-3P
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ケイ素PNPのエピタキシアル平面トランジスター、2SB1560可聴周波力mosfet |
バイポーラ(BJT) トランジスタ PNP - ダーリントン 150 V 10 A 50MHz 100 W スルーホール TO-3P
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PNP/NPNの高い現在の切換えのためのエピタキシアル平面のケイ素力トランジスター2SC5707 |
両極(BJT)トランジスターNPN 50 V8 330MHz 1 Wの表面の台紙TP-FA
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2SB1219A力Mosfetのトランジスター ケイ素PNPのエピタキシアル平面のタイプ |
両極(BJT)トランジスターPNP 50 V 500 mA 200MHz 150 MWの表面の台紙SMini3-G1
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2SA1295 PNPのエピタキシアル平面トランジスター ケイ素SANKENの真新しい元の状態 |
両極(BJT)トランジスターPNP 230 V 17穴MT-200を通した35MHz 200 W
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BCP55トランジスター サーキット ボードは表面の台紙Siのエピタキシアル平面を欠く |
両極(BJT)トランジスターNPN 60 V 1.5 A 1.5 W表面の台紙SOT-223-4
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EMD3T2R パワー MOSFET モジュール トランジスタ 汎用 (デュアル デジタル トランジスタ) |
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
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TIP3055ケイ素NPN力トランジスター高い発電mosfetのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 15 A 90 W Through Hole TO-247-3
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TIP2955力mosfetの低い電力mosfetを転換する補足力トランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 15 A 90 W Through Hole TO-247-3
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MMBT3904-7-Fの多エミッターのトランジスターNPN小さい信号の表面の台紙のトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 200 mA 300MHz 300 mW Surface Mount SOT-23-3
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DDTC144EE-7-F NPN プリバイアス小信号 SOT-523 表面実装トランジスタ |
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount SOT-523
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DDTC123ECA-7-F NPN PRE-BIASED小さい信号SOT-23の表面の台紙のトランジスター力mosfetモジュール力mosfet IC |
プリバイアス バイポーラ トランジスタ (BJT) NPN - プリバイアス 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW 面実装 SOT-23-3
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MMBT5401 PNPのエピタキシアル ケイ素のトランジスター2L SOT-23 3000 PC |
両極(BJT)トランジスターPNP 150 V 600 mA 300MHz 350 MWの表面の台紙SOT-23
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BC856B SMDの一般目的のトランジスター(PNP)低い電力mosfet高圧力mosfet |
両極(BJT)トランジスターPNP 65 V 100 mA 150MHz 350 MWの表面の台紙SOT-23
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BC858Bの表面の台紙PNPのケイ素のトランジスター電気回路板、プログラム可能なIC |
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DDTC143XCA-7-Fの整流器ダイオード橋タイプ整流器ダイオードの中国の製造者のオリジナルのダイオードICの破片 |
プリバイアス バイポーラ トランジスタ (BJT) NPN - プリバイアス 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW 面実装 SOT-23-3
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MMBT2907A-7-Fの整流器ダイオード プログラムICは色TV ICの記憶抜け目がない破片60Vを欠く |
両極(BJT)トランジスターPNP 60 V 600 mA 200MHz 300 MWの表面の台紙SOT-23-3
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