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epitaxial planar pnp transistor

キーワード   [ epitaxial planar pnp transistor ]  マッチ 27 製品.
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2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター

2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター

両極(BJT)トランジスターPNP 60 V 3 50MHz 1 Wの表面の台紙D朴
220AB高性能への穴を通したD45H8 NPN PNPのトランジスター60V 10A 50W

220AB高性能への穴を通したD45H8 NPN PNPのトランジスター60V 10A 50W

穴TO-220を通した両極(BJT)トランジスターPNP 60 V 10 A 50 W
FMMT734TAダーリントンNPN PNPのトランジスター140MHz 625mW表面の台紙のSOT 23 3

FMMT734TAダーリントンNPN PNPのトランジスター140MHz 625mW表面の台紙のSOT 23 3

両極(BJT)トランジスターPNP -ダーリントン100ボルト800 mA 140MHz 625 MWの表面の台紙SOT-23-3
BSH201,215 NPN PNPのトランジスターPチャネル60V 300mA (Ta)の417mW (Ta)表面の台紙

BSH201,215 NPN PNPのトランジスターPチャネル60V 300mA (Ta)の417mW (Ta)表面の台紙

P-Channel 60 V 300mA (Ta)の417mW (Ta)表面の台紙TO-236AB
2N7002PW表面の台紙NPN PNPのトランジスターNチャネル60V 310mA (Ta) 260mW

2N7002PW表面の台紙NPN PNPのトランジスターNチャネル60V 310mA (Ta) 260mW

N-Channel 60 V 315mA (Ta)の260mW (Ta)表面の台紙SOT-323
2SD1899 NPN PNPのトランジスター ケイ素の物質的で低いコレクターの飽和電圧

2SD1899 NPN PNPのトランジスター ケイ素の物質的で低いコレクターの飽和電圧

穴TO-220を通した両極(BJT)トランジスターPNP 60 V 10 A 50 W
2SD2227STPW 50V DC 0.15Aの一般目的のトランジスターNPNタイプ単一構成

2SD2227STPW 50V DC 0.15Aの一般目的のトランジスターNPNタイプ単一構成

穴SPTを通って両極(BJT)トランジスターNPN 50 V 150 mA 250MHz 300 MW
PIMN31,115 NPN / PNP レジスタ 装備 トランジスタ 500 MA 50V デュアルゲート トランジスタ

PIMN31,115 NPN / PNP レジスタ 装備 トランジスタ 500 MA 50V デュアルゲート トランジスタ

プレバイアスバイアス (BJT) 2 NPN - プレバイアス (ダブル) 50V 500mA 420mW 表面マウント 6-TSOP
BD140 3 Pinのトランジスター エピタキシアル平面PNPトランジスター

BD140 3 Pinのトランジスター エピタキシアル平面PNPトランジスター

Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 1.5 A 1.25 W Through Hole SOT-32-3
PZT2907A パワーMOSFET トランジスタ Si エピタキシャル プレーナ スイッチング トランジスタ

PZT2907A パワーMOSFET トランジスタ Si エピタキシャル プレーナ スイッチング トランジスタ

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 600 mA 200MHz 1 W Surface Mount SOT-223
ケイ素PNPエピタキシアル平面の可聴周波力mosfet 2SB1560、

ケイ素PNPエピタキシアル平面の可聴周波力mosfet 2SB1560、

Bipolar (BJT) Transistor PNP - DarliCM GROUPon 150 V 10 A 50MHz 100 W Through Hole TO-3P
ケイ素PNPのエピタキシアル平面トランジスター、2SB1560可聴周波力mosfet

ケイ素PNPのエピタキシアル平面トランジスター、2SB1560可聴周波力mosfet

バイポーラ(BJT) トランジスタ PNP - ダーリントン 150 V 10 A 50MHz 100 W スルーホール TO-3P
PNP/NPNの高い現在の切換えのためのエピタキシアル平面のケイ素力トランジスター2SC5707

PNP/NPNの高い現在の切換えのためのエピタキシアル平面のケイ素力トランジスター2SC5707

両極(BJT)トランジスターNPN 50 V8 330MHz 1 Wの表面の台紙TP-FA
2SB1219A力Mosfetのトランジスター ケイ素PNPのエピタキシアル平面のタイプ

2SB1219A力Mosfetのトランジスター ケイ素PNPのエピタキシアル平面のタイプ

両極(BJT)トランジスターPNP 50 V 500 mA 200MHz 150 MWの表面の台紙SMini3-G1
2SA1295 PNPのエピタキシアル平面トランジスター ケイ素SANKENの真新しい元の状態

2SA1295 PNPのエピタキシアル平面トランジスター ケイ素SANKENの真新しい元の状態

両極(BJT)トランジスターPNP 230 V 17穴MT-200を通した35MHz 200 W
BCP55トランジスター サーキット ボードは表面の台紙Siのエピタキシアル平面を欠く

BCP55トランジスター サーキット ボードは表面の台紙Siのエピタキシアル平面を欠く

両極(BJT)トランジスターNPN 60 V 1.5 A 1.5 W表面の台紙SOT-223-4
EMD3T2R パワー MOSFET モジュール トランジスタ 汎用 (デュアル デジタル トランジスタ)

EMD3T2R パワー MOSFET モジュール トランジスタ 汎用 (デュアル デジタル トランジスタ)

TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
TIP3055ケイ素NPN力トランジスター高い発電mosfetのトランジスター

TIP3055ケイ素NPN力トランジスター高い発電mosfetのトランジスター

Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 15 A 90 W Through Hole TO-247-3
TIP2955力mosfetの低い電力mosfetを転換する補足力トランジスター

TIP2955力mosfetの低い電力mosfetを転換する補足力トランジスター

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 15 A 90 W Through Hole TO-247-3
MMBT3904-7-Fの多エミッターのトランジスターNPN小さい信号の表面の台紙のトランジスター

MMBT3904-7-Fの多エミッターのトランジスターNPN小さい信号の表面の台紙のトランジスター

Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 200 mA 300MHz 300 mW Surface Mount SOT-23-3
DDTC144EE-7-F NPN プリバイアス小信号 SOT-523 表面実装トランジスタ

DDTC144EE-7-F NPN プリバイアス小信号 SOT-523 表面実装トランジスタ

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount SOT-523
DDTC123ECA-7-F NPN PRE-BIASED小さい信号SOT-23の表面の台紙のトランジスター力mosfetモジュール力mosfet IC

DDTC123ECA-7-F NPN PRE-BIASED小さい信号SOT-23の表面の台紙のトランジスター力mosfetモジュール力mosfet IC

プリバイアス バイポーラ トランジスタ (BJT) NPN - プリバイアス 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW 面実装 SOT-23-3
MMBT5401 PNPのエピタキシアル ケイ素のトランジスター2L SOT-23 3000 PC

MMBT5401 PNPのエピタキシアル ケイ素のトランジスター2L SOT-23 3000 PC

両極(BJT)トランジスターPNP 150 V 600 mA 300MHz 350 MWの表面の台紙SOT-23
BC856B SMDの一般目的のトランジスター(PNP)低い電力mosfet高圧力mosfet

BC856B SMDの一般目的のトランジスター(PNP)低い電力mosfet高圧力mosfet

両極(BJT)トランジスターPNP 65 V 100 mA 150MHz 350 MWの表面の台紙SOT-23
BC858Bの表面の台紙PNPのケイ素のトランジスター電気回路板、プログラム可能なIC

BC858Bの表面の台紙PNPのケイ素のトランジスター電気回路板、プログラム可能なIC

DDTC143XCA-7-Fの整流器ダイオード橋タイプ整流器ダイオードの中国の製造者のオリジナルのダイオードICの破片

DDTC143XCA-7-Fの整流器ダイオード橋タイプ整流器ダイオードの中国の製造者のオリジナルのダイオードICの破片

プリバイアス バイポーラ トランジスタ (BJT) NPN - プリバイアス 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW 面実装 SOT-23-3
MMBT2907A-7-Fの整流器ダイオード プログラムICは色TV ICの記憶抜け目がない破片60Vを欠く

MMBT2907A-7-Fの整流器ダイオード プログラムICは色TV ICの記憶抜け目がない破片60Vを欠く

両極(BJT)トランジスターPNP 60 V 600 mA 200MHz 300 MWの表面の台紙SOT-23-3
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