2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター
メーカー:
製造者
記述:
両極（BJT）トランジスターPNP 60 V 3 50MHz 1 Wの表面の台紙D朴
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiation
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオンの条件付捺印証書
指定
Collector-Base電圧:
-60V
Collector-emitter電圧:
-60V
Emitter-base電圧:
-7V
現在連続的なコレクター:
-3A
コレクターの電力損失@TC=25℃:
10w
接合部温度:
150℃
貯蔵温度:
-55~150℃
パッケージ:
TO126
ハイライト:
resistor equipped transistor
,epitaxial planar pnp transistor
導入
2SB1261 一般用途の直定ダイオード PNP シリコンエピタキシャルトランジスタ
記述
・低収納器飽和電圧
●高出力消耗:PC=10W (最大) @TC=25°C
・タイプ2SD1899-Kの補完書
応用
応用
·音声増幅器とスイッチ,特にハイブリッド集積回路で使用するために設計されています.
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標準的:
MOQ:
10 PCS