2SD1899 NPN PNPのトランジスター ケイ素の物質的で低いコレクターの飽和電圧
指定
コレクター流れ(DC):
3A
Collector-Base電圧:
60V
Collector-emitter電圧:
60V
Emitter-base電圧:
7V
頻度:
120MHz
権力 の 消耗:
2w
トランジスター極性:
NPN
作動の臨時雇用者の範囲:
-55Cへの150C
ハイライト:
epitaxial planar pnp transistor
,silicon npn power transistors
導入
2SD1899 NPN PNPトランジスタ シリコン NPN パワートランジスタ
記述
・低収納器飽和電圧
·100%の雪崩テスト
·装置の性能と信頼性の高い動作のために,少量に各ロットの変動
応用
·高変速周波数アプリケーション
仕様
カテゴリー:BJT - 一般目的
メーカー: RENESAS TECHNOLOGY
コレクター電流 (DC): 3 (A)
コレクターベース電圧: 60V
コレクター・エミッター・電圧: 60v
エミッターベース電圧: 7 ((V)
周波数:120MHz
電力分散: 2 (W)
固定: 表面の固定
動作温度範囲: -55Cから150C
パッケージタイプ:TO-252
ピン数: 2 +Tab
エレメント数: 1
作業温度分類: 軍用
カテゴリー: 双極力
ラッド硬化: ありません
トランジスタの偏性: NPN
出力:不要 (W)
構成: 単機
DC電流増強: 60@0.2A@2V/50@2A@2V
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MOQ:
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