BSH201,215 NPN PNPのトランジスターPチャネル60V 300mA (Ta)の417mW (Ta)表面の台紙
指定
部門:
単一トランジスター- FETs、MOSFETs -
流出させなさいに源の電圧(Vdss):
60V
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C:
300mA (Ta)
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds):
4.5V、10V
(最高) @ ID、VgsのRds:
2.5オーム@ 160mA、10V
Vgs ((最高) Th) @ ID:
1V @ 1mA (分)
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs:
3nC @ 10V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds:
70pF @ 48V
ハイライト:
resistor equipped transistor
,epitaxial planar pnp transistor
導入
BSH201 NPN PNP トランジスタ Pチャネル 60V 300mA (Ta) 417mW (Ta) 表面マウント
Pチャネル強化モード BSH201 MOSトランジスタ
特徴SYMBOL QUICK REFERENCE DATA •低しきい電圧 VDS = -60 V •高速スイッチング •論理レベル互換ID = -0.3 A •ミニチュア表面マウントパッケージ RDS ((ON) ≤ 2.5 Ω (VGS = -10 V)
一般的な記述 ピンリング SOT23
Pチャネル,強化モード,PIN DESCRIPTION 論理レベル,フィールド効果電源トランジスタこのデバイスは,低1ゲートスロープ電圧と非常に速いスイッチを設定し,2つのソースバッテリー駆動アプリケーションと高速デジタルインターフェースのための理想的な. 3 排水
BSH201は,SOT23サブミニチュア表面マウントパッケージで提供されています.
製品属性 | すべてを選択する |
カテゴリー | 離散半導体製品 |
トランジスタ - FET,MOSFET - シングル | |
製造者 | Nexperia USA Inc. |
シリーズ | - |
パッケージ | テープ&ロール (TR) |
部品のステータス | アクティブ |
FETタイプ | Pチャンネル |
テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
流出電圧から源電圧 (Vdss) | 60V |
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 300mA (Ta) |
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) | 4.5V,10V |
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 2.5オム @ 160mA 10V |
Vgs(th) (最大) @ Id | 1V @ 1mA (分) |
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 3nC @ 10V |
Vgs (最大) | ±20V |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 70pF @ 48V |
FET 特徴 | - |
電力消耗 (最大) | 417mW (Ta) |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
マウントタイプ | 表面マウント |
供給者のデバイスパッケージ | TO-236AB |
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