2SB1219A力Mosfetのトランジスター ケイ素PNPのエピタキシアル平面のタイプ
メーカー:
製造者
記述:
両極（BJT）トランジスターPNP 50 V 500 mA 200MHz 150 MWの表面の台紙SMini3-G1
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
Collector to base voltage:
−60 V
Collector to emitter voltage:
−50 V
基礎電圧へのエミッター:
−5 V
ピーク コレクター流れ:
−1 A
コレクター流れ:
−500 mA
コレクターの電力損失:
150 MW
ハイライト:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
導入
2SB1219、2SB1219A
ケイ素PNPのエピタキシアルより平らなタイプ
2SD1820および2SD1820Aに補足概要の拡大のため
特徴
•大きいコレクター流れIC
•S小型タイプ パッケージ、装置の小型化および自動挿入をテープ パッキングおよび雑誌のパッキングを通して許可する。
絶対最高評価Ta = 25°C
| 変数 | 記号 | 評価 | 単位 | |
|---|---|---|---|---|
| 基礎電圧へのコレクター | 2SB1219 | VCBO | -30 | V |
| 2SB1219A | -60 | |||
| エミッターの電圧へのコレクター | 2SB1219 | VCEO | -25 | V |
| 2SB1219A | -50 | |||
| 基礎電圧へのエミッター | VEBO | -5 | V | |
| ピーク コレクター流れ | ICP | -1 | ||
| コレクター流れ | IC | -500 | mA | |
| コレクターの電力損失 | PC | 150 | MW | |
| 接合部温度 | Tj | 150 | °C | |
| 保管温度 | Tstg | +150への−55 | °C | |
標準的な提供（熱い販売法）
| 部品番号。 | 量 | ブランド | D/C | パッケージ |
| PIC18F46K20-I/PT | 5242 | マイクロチップ | 15+ | QFP44 |
| PIC18F46K22-I/PT | 2422 | マイクロチップ | 15+ | TQFP-44 |
| PIC18F46K80-I/PT | 7746 | マイクロチップ | 15+ | TQFP-44 |
| PIC18F6722-I/PT | 3380 | マイクロチップ | 10+ | QFP64 |
| PIC18F67K22-I/PT | 2275 | マイクロチップ | 12+ | QFP64 |
| PIC18F87J10-I/PT | 3451 | マイクロチップ | 12+ | TQFP-80 |
| PIC18F87J50-I/PT | 3690 | マイクロチップ | 13+ | TQFP-80 |
| PIC18F97J60-I/PF | 2840 | マイクロチップ | 16+ | QFP100 |
| PIC18F97J60-I/PT | 5330 | マイクロチップ | 16+ | QFP100 |
| PIC18LF4520-I/PT | 5474 | マイクロチップ | 16+ | QFP44 |
| PIC24FJ256GA106-I/PT | 8489 | マイクロチップ | 14+ | QFP64 |
| PIC24FJ256GB110-I/PF | 4615 | マイクロチップ | 16+ | QFP100 |
| PIC24HJ128GP506-I/PT | 1763 | マイクロチップ | 16+ | QFP64 |
| PIC24HJ256GP610A-I/PF | 4766 | マイクロチップ | 13+ | TQFP100 |
| PIC24HJ64GP506-I/PT | 4917 | マイクロチップ | 12+ | QFP64 |
| PIC32MX795F512L-80I/PF | 1586 | マイクロチップ | 15+ | TQFP100 |
| PIC32MX795F512L-80I/PT | 2611 | マイクロチップ | 15+ | TQFP100 |
| PKF4310PI | 2416 | エリクソン | 16+ | モジュール |
| PKLCS1212E4001-R1 | 16023 | 村田 | 13+ | SMD |
| PKM13EPYH4000-AO | 6233 | 村田 | 10+ | SMD |
| PL2303SA | 12112 | 多産 | 15+ | SOP-8 |
| PLVA650A | 149000 | 14+ | SOT-23 | |
| PM20CEE060-5 | 2962 | MITSUBISH | 16+ | モジュール |
| PM30CSJ060 | 931 | MITSUBISH | 10+ | モジュール |
| PM6686 | 3894 | ST | 14+ | QFN |
| PMBT3906 | 15000 | 16+ | SOT-23 | |
| PMEG2020EJ | 62000 | 16+ | SOD-323 | |
| PMEG3020EJ | 63000 | 13+ | SOD-323 | |
| PMEG6010CEH | 34000 | 14+ | SOD-123 | |
| PMLL4148L | 18000 | 13+ | LL34 | |
| PN2907ATA | 12000 | FSC | 16+ | TO-92 |
関連製品
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
| イメージ | 部分# | 記述 | |
|---|---|---|---|
|
|
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
|
|
|
|
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
|
|
|
|
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
|
|
|
|
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
|
|
|
|
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
|
|
|
|
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
|
|
|
|
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
|
|
|
|
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
|
|
|
|
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
|
|
|
|
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
|
RFQを送りなさい
標準的:
MOQ:
20pcs