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220AB高性能への穴を通したD45H8 NPN PNPのトランジスター60V 10A 50W

メーカー:
STMicroelectronics
記述:
穴TO-220を通した両極(BJT)トランジスターPNP 60 V 10 A 50 W
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiation
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオンの条件付捺印証書
指定
部門:
単一トランジスター- (BJT)両極-
トランジスター タイプ:
PNP
現在-コレクター((最高) IC):
10A
電圧-コレクターのエミッターの故障(最高):
60V
Vceの飽和(最高) @ Ib、IC:
1V @ 400mA、8A
現在-コレクターの締切り(最高):
10µA
DCの現在の利益(hFE) (分) @ IC、Vce:
40 @ 4A、1V
パワー最高:
50W
ハイライト:

resistor equipped transistor

,

epitaxial planar pnp transistor

導入

D45H8 NPN PNP トランジスタ 双極 (BJT) トランジスタ PNP 60V 10A 50W 穴を通って TO-220AB

補給電源トランジスタ

特徴

■ コレクター・エミッターの低飽和電圧

■ スイッチの速さ


申請

■ パワー増幅器

■ スイッチ回路


記述

装置は低電圧の多角軸平面技術で製造されています. 一般用途の線形およびスイッチングアプリケーションのために使用されます.

製品属性 すべてを選択する
カテゴリー 離散半導体製品
  トランジスタ - 双極型 (BJT) - 単体
製造者 STMマイクロ電子機器
シリーズ -
パッケージ トューブ
部品のステータス 時代遅れ
トランジスタタイプ PNP
電流 - コレクター (Ic) (最大) 10A
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大) 60V
Vce 飽和度 (最大) @ Ib, Ic 1V @ 400mA, 8A
電流 - コレクター切断値 (最大) 10μA
DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce 40 @ 4A,1V
パワー - マックス 50W
頻度 - 移行 -
動作温度 150°C (TJ)
マウントタイプ 穴を抜ける
パッケージ/ケース TO-220-3
供給者のデバイスパッケージ TO-220AB

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