220AB高性能への穴を通したD45H8 NPN PNPのトランジスター60V 10A 50W
指定
部門:
単一トランジスター- (BJT)両極-
トランジスター タイプ:
PNP
現在-コレクター((最高) IC):
10A
電圧-コレクターのエミッターの故障(最高):
60V
Vceの飽和(最高) @ Ib、IC:
1V @ 400mA、8A
現在-コレクターの締切り(最高):
10µA
DCの現在の利益(hFE) (分) @ IC、Vce:
40 @ 4A、1V
パワー最高:
50W
ハイライト:
resistor equipped transistor
,epitaxial planar pnp transistor
導入
D45H8 NPN PNP トランジスタ 双極 (BJT) トランジスタ PNP 60V 10A 50W 穴を通って TO-220AB
補給電源トランジスタ
特徴
■ コレクター・エミッターの低飽和電圧
■ スイッチの速さ
申請
■ パワー増幅器
■ スイッチ回路
記述
装置は低電圧の多角軸平面技術で製造されています. 一般用途の線形およびスイッチングアプリケーションのために使用されます.
製品属性 | すべてを選択する |
カテゴリー | 離散半導体製品 |
トランジスタ - 双極型 (BJT) - 単体 | |
製造者 | STMマイクロ電子機器 |
シリーズ | - |
パッケージ | トューブ |
部品のステータス | 時代遅れ |
トランジスタタイプ | PNP |
電流 - コレクター (Ic) (最大) | 10A |
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大) | 60V |
Vce 飽和度 (最大) @ Ib, Ic | 1V @ 400mA, 8A |
電流 - コレクター切断値 (最大) | 10μA |
DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce | 40 @ 4A,1V |
パワー - マックス | 50W |
頻度 - 移行 | - |
動作温度 | 150°C (TJ) |
マウントタイプ | 穴を抜ける |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
供給者のデバイスパッケージ | TO-220AB |
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標準的:
MOQ:
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